英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對於MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的 600 V CoolMOS™ S7 系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS™ S7 系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈衝電流能力，並且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET 是業界 RDS(on)最小的器件。
該產品系列專為低頻率的開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS™ S7 器件甚至實現了比 CoolMOS™ 7 產品更低的 RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關損耗，最終實現導通電阻降低和成本節省。對於高壓開關而言，CoolMOS™ S7 產品擁有市面上最低的導通電阻（RDS(on)）。此外，10 mΩ芯片採用創新的頂面冷卻 QDPAK 封裝，22 mΩ芯片採用先進的小型 TO 無引腳（TOLL）SMD 封裝。這些 MOSFET 可助力實現經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統可以輕鬆滿足法規要求和能效認證標準（如適用於 SMPS 的 Titanium®標準），也能滿足功率預算，減少零部件數量和散熱器需求，同時降低總擁有成本（TCO）。
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