中國陝西西安電子科技大學蕪湖研究院，成功試製國產化5G通訊芯片用氮化鎵材料，或許給行業帶來巨大變化。
中國電信巨頭華為是中國最大芯片買家， 這意味著中國各大芯片企業生產該芯片時，有望用上國產材料。
氮化鎵半導體材料具有寬頻隙、電擊穿場強、高熱導率、低介電常數、飄移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越物理化學性質，可望成為繼第一代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之後，製備新一代和電路的關鍵材料，特別適合於高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研製。
西安電子科技大學蕪湖研究院技術總監陳興表示，研究院目前已經掌握氮化鎵材料的生產和5G通訊芯片的核心設計與製造能力，下一步將盡快將這項技術商用，力爭早日推向市場。
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