臺積電宣佈了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產。EUV是下一代光刻主流技術，可在大規模製造半導體時能夠有效減少越來越高的成本和工藝複雜程度。（懷新投資）
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