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【50nm NOR Flash芯片正式面世，我們何時有7nm EUV光刻機】
最新的消息，NOR Flash的市場規模在逐漸提升，而我國合肥恆爍半導體於近日推出第一款面向物聯網應用的50nm 128Mb高速低功耗NOR Flash存儲芯片，這款芯片尺寸為業界最小，並且擁有很強的成本和性能優勢，對於迎接IoT時代有著深刻的意義。
NOR Flash的再次復甦得益於IoT市場，據瞭解這款恆爍50nm NOR Flash具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特點。因此，對於未來佈局IoT時代頗有意義。
更為主要的是，這是在DRAM和NAND Flash儲存芯片下，探索的又一條路。但是，我們很擔憂的是，到底何時我們能夠打破光刻機的束縛呢？
我們知道中芯雖然獲得了一臺荷蘭ASML的7nm工藝的光刻機，可是它並非是EUV光刻機，而在我國目前在售的光刻機是上海微電子的90nm光刻機，隨著這個設備主要用於8寸線以及12寸線的大規模工業生產，可是也不得不讓我們擔心，到底什麼時候我們有自己不輸於荷蘭的光刻機。
這裡我們要和大家聊的是一個重點的內容——
光刻機的束縛問題。我們知道這裡有幾個問題束縛了我們光刻機發展：
1.歐美國家技術的封鎖。在《瓦森納協議》的技術封鎖下，儘管規定成員國自行決定是否發放敏感產品和技術的出口許可證，並在自願基礎上向“安排”其他成員國通報有關信息。但“安排”實際上完全受美國控制。所以，我們的技術，或者說像光刻機半導體的關鍵技術是被禁止出售給我們的。
2.光刻機的複雜程度以及技術難度。本來光刻機的技術就被壟斷，而且數萬零件都基本上被國外給封鎖。特別是德國蔡司鏡頭，美國光源，以及它的股東Intel、臺積電、三星等等技術的供給，這成就了ASML，也束縛了我們。
我們需要做的可能就是打破技術的封鎖，另闢蹊徑。據說，中科院製造出2納米芯片，全稱為垂直納米環珊晶體管，如果像中科院等我國的技術研究能夠突破這種束縛，我相信一定會有第一的可能。
LeoGo科技
前面有回答搞錯了，確實有國產50nm存儲芯片量產，而不是5nm（真要量產5nm，就真的厲害了，臺積電會表示佩服的）。這個消息（見下圖）透露的技術信息，意味著國產存儲芯片在低端市場有飯恰了，但要論對三星有啥影響，三星表示：你先看到我的背影再說哈！
後面說具體原因。
篩選新聞通稿，得到信息如下：
NOR Flash閃存，屬於非易失性存儲的一種，斷電後仍能保存數據；
主打物聯網市場，128MB的容量滿足物聯網設備問題不大，畢竟很多數據是不存儲在設備上，應用於手機和安防監控，是指做成存儲卡；
50nm的製造工藝，實話實說，在芯片界屬於上古工藝，英特爾和美光的閃存實現50nm量產是在2007年。也就是說，合肥這家公司和國際先進存儲器製造水平相差13年，代數上落後八九代；
目前國際比較先進的閃存製造工藝是10nm，三星在2013年就實現量產，現在最先進的閃存製造工藝大概是7nm。
國產閃存芯片和國際先進水平的閃存芯片的差距是，還看不到三星等國際巨頭的背影！
當然，50nm閃存芯片量產的價值是，將來不用擔心我們的5G和物聯網在存儲器上被卡脖子。
魔鐵的世界
合肥成功研發了50nm 128M的高速低功耗NOR Flash芯片，主要面向物聯網領域。這塊芯片只有128M，與我們手機裡動輒64GB、128GB的存儲芯片有什麼區別呢？NOR Flash有什麼優勢呢？知識點來了。
上圖就是手機裡常用的NAND Flash，以及物聯網設備、BIOS經常採用的NOR Flash，相比來說NOR Flash單位成本遠遠高於NAND Flash。至於他們各自的電氣原理，這裡就不說了，很多人也不感興趣，主要說說兩者的共性和特性上。
共性
①都是非易失存儲介質，也就是說掉電後不會丟失內容。
②寫入之前都要先擦除，然而兩者的機制不同：NOR Flash的一個bit可以從1變成0，而從0變成1這要整塊擦除；NAND Flash都需要擦除。
特性
不同的類型的Flash，特性是不同的，也決定了應用場合不同，如下圖所示▼。
簡單來說，NOR相比NAND，讀取速度更快，寫入速度慢，支持XIP特性，可以直接執行二進制代碼，價格更高。
應用場景
NOR Flash
NOR Flash支持XIP（eXecute In Place）的特性，也就是說可以像普通內存一樣支持隨機訪問，可以像普通ROM那樣執行程序，這一特性讓NOR Flash成為BIOS等開機就可以執行的代碼的絕佳載體。
現在幾乎所有的BIOS、一些機頂盒都使用了NOR Flah，也可以用於大量的物聯網設備，比如智能穿戴、智能音箱、無線藍牙耳機等等。
NAND Flash
NAND Flash主要用於各種存儲卡、U盤、SSD、eMMC、UFS等大容量設備，根據顆粒的每個存儲單元可以存儲的比特個數不同，分為SLC、MLC、TLC三類，其中，在一個存儲單元中，SLC可以存儲1個bit，MLC可以存儲2個bit，TLC則可以存儲3個bit。
單個存儲單元存儲的比特位數越多，讀寫性能變差，壽命變短，成本降低。因此高端的SSD會採用MLC，甚至是SLC，低端的SSD採用了TLC，SD卡一般也會使用TLC。
總之，在眾多的半導體存儲器中，NAND Flash、DRAM佔據了98%的市場份額，Nor Flash市場規模較小，不到1%，然而隨著5G、AMOLED、TWS等下游市場的推動，Nor Flash市場規模逐漸恢復，在物聯網時代將會有大量的需求。
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