近日，长江存储科技有限责任公司宣布：128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商的终端存储产品上通过验证。
什么是128层闪存？
据业内人士透露，长江存储发布的第128款3D NAND闪存芯片是一座里程碑。
128层3D NAND是业界的主流技术，也是国际各大厂商竞争的焦点，三星于2019年8月宣布推出首款100+层TLC 3D NAND闪存；美光公司于同年10月初公布了第四代芯片流的第一批3D NAND闪存芯片样品；去年11月，SK Hynix在128层TLC上发布了3D NAND闪存。
与这些大公司相比，长江存储仅用4年时间就发布了128层闪存产品。半导体行业评论员、芯思想研究院创始人认为，长江存储发布128层闪存意味着公司进入闪存产业的第一梯队。
据长江的存储合作伙伴说，128层闪存必须是一个生命周期很长的产品，这次长江存储已经跨越了96层，直接产生了128层的量产，加快赶超国际先进技术，进入利润区。
QLC技术
一个细节是，这一次，长江采用QLC技术，与其他公司走了一条不同的道路。
对此，长江存储认为，QLC是继TLC（3位/cell，即。每个单元存储3位），具有高容量、高密度的特点，适合读密集型应用，每个x2-6070QLC闪存芯片有128层三维堆叠，总有效存储单元超过3665亿个。每个存储模块可以存储4位数据，总存储容量为1.33b，是以前64层单片机的5.33倍。它也是业内已知产品中单位面积存储密度最高的产品。
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