出處：快科技 作者：萬南
由華人科學家胡正明教授發明的 FinFET（鰭式場效應晶體管）預計在 5nm 節點之後走向終結，三星的方案是 GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）。
三星日前簡要介紹了 GAAFET 中核心技術 MCBFET（多橋溝道場效應晶體管），基於它打造的 3nm 芯片，相較於 7nm FinFET, 可以減少 50% 的能耗，增加 30% 的性能。
按照三星的說法，他們預計 3nm 晶體管的硅間距縮減 45% 之多。
據悉，MCBFET 允許晶體管向上堆疊、並且自定義寬度，以適應低功耗或者高性能產品的不同要求。
另外，三星規劃 3nm 量產的時間是 2022 年，這和上週的報道契合。推遲的原因主要是，EUV 光刻機等關鍵設備在物流上的延遲。
至於臺積電的 3nm，據說第一代還是 FinFET，總投資高達 500 億美元，風險試產也推遲到了今年 10 月。
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