Micro-LED不仅仅是尺寸的缩小，它的意味着芯片尺寸、结构、制造工艺、转移技术和应用的全面升级，是一个全新的产业链。
【分享主题】Micro-LED主题报告（三）MICRO-LED技术路线图解读
【分享时间】3月27日（周五）14：00-15：00
【分享嘉宾】蒋振宇 深圳第三代半导体研究院光电器件研发总监
▌以下为整理的分享内容（略有删减）。
《Micro-LED技术路线图》是第三代半导体产业技术创新战略联盟去年组织国内的大学、科研院所，以及相关企业专家一起成立的工作组，一起编撰的技术路线图。在这里由我和大家一起来解读。
今天要和大家分享《Micro-LED技术路线图》编撰的历程，以及从《技术路线图》中截取的一些内容。其中包括Micro-LED产业发展现状及趋势，涉及Micro-LED显示应用、超越显示应用。本次分享的重点还是Micro-LED技术路线分析，主要是衬底和外延技术、芯片技术、封装技术、驱动控制技术等。最后分享产业技术路线图总结。
《Micro-LED技术路线图》编撰背景主要组织单位是第三代半导体产业技术创新战略联盟，由联盟发起，深圳第三代半导体研究院参与。该技术路线主要是面向未来2020年-2035年，编撰Micro-LED这一新兴技术产业发展和技术路线的分析和预判，为业内提供参考。
编撰工作由去年6月份，由联盟发起。面向2035中长期规划，提出对Micro-LED技术路线图的要求。联盟组织国内相关科研院所，企业界专家，进行分工讨论。第一周时，提出提纲和分工，后期将提纲和分工分派给各个单位。由各个单位专家撰写，搜集素材，最后通过开会反复不断的修稿，最后形成技术路线图。
该技术路线图由联盟进行进度安排，跟进进度。从6月份启动开始，7月份、8月份编写初稿。9月份-10月份，进行讨论修改。
主要参与编撰的专家主要是北京大学的王新强教授、深圳第三代半导体研究院光电首席科学家闫春辉博士等。其中一些主要的章节，主要是由大学的教授、学者负责搜集编撰。产业界的朋友们提供相应的素材，最后经过讨论形成技术路线图。主要的编撰的作者有刘召军、汪莱、严群、刘斌、田朋飞、汪勇、何书专、陈志忠、季渊、龚政等，还有企业界的专家们，这里我就不一一介绍了。该路线图集合了业内顶尖的专家们共同编撰。
该路线编撰的目录先分享一下。第一章是产业发展现状及趋势。主要介绍了整个Micro-LED产业发展的背景，其中重点提及Micro-LED显示应用，包括中小尺寸高PPI显示，中大尺寸低PPI显示。用这样的方法把显示应用分成两个类别。此外，超越显示应用也划分到该部分内容。包括车载应用、可见光通讯应用、生物医学应用、三位空间交互成像应用。
第二章内容相对来说比较多，关于技术部分。主要分为四大块，首先是衬底和外延技术，包括衬底外延蓝绿光、红光以及新型的技术路线。第二、芯片技术中，包括产品分析、技术分析，此外，路线图中涉及了当芯片尺寸很小时，整个工艺制程会遇到的很多问题和解决方案。第三、封装技术。该部分是《Micro-LED技术路线图》的重点，其中包括了色彩转换技术、巨量转换技术、检测修复技术。第四、驱动控制技术。该部分包括TFT驱动发展分析、CMOS专用驱动技术分析。
第三章详细的分析了Micro-LED应用，包括了VR/A应用、投影显示、小尺寸可穿戴式应用、手机、平板电视的显示应用、车载应用、超大显示应用等。
第四章是关于Micro-LED专利分析，对于Micro-LED全球专利态势分析，以及对国内Micro-LED业界专利布局的指导性意见。
第五章是总体产业技术路线图总结。
今天的内容解读没有办法对全书进行一一分享。今天主要截取了前两节Micro-LED显示的应用及超越显示的应用作一些简单的介绍，另外重点要分析Micro-LED技术。最后是产业技术路线图的总结。在这里只是简单的介绍，详细的内容，可以在路线图发布后了解。
首先关于产业发展现状及趋势。我会分享Micro-LED的发展背景及产业现状、显示应用及超载显示应用。
首先什么是Micro-LED？这张图被多次引用，一个传统的LED，尺寸从1mm-200μm作为一个发光的器件和背光的器件。Mini LED 也可以作为背光、小间距显示屏、大尺寸显示屏。尺寸到50μm以下，被认为是Micro-LED显示的领域。但是Micro-LED在尺寸缩小的同时，整个器件的结构、设备工艺、工作电流以及特性等技术都发生了根本性改变，传统LED、LED小间距屏，所用的技术及驱动的方式都不再适用Micro-LED。
所以Micro-LED不仅仅是尺寸的缩小，它的意味的芯片尺寸、结构、制造工艺、转移技术和应用的全面升级，是一个全新的产业链。与传统LED、Mini LED作对比。传统的LED可以做背光或照明，Mini LED可以做背光，也可以做小间距显示，Micro-LED可以做自发光的显示屏。通常来说，传统LED、Mini LED都是50μm以上。但是通过图中展示，可以看到它不仅仅是尺寸在50μm以上，它是一个三维的结构，还包括了100多微米厚的衬底。但是Micro-LED因为尺寸的进一步缩小，没有办法保留衬底，需要把衬底全部移除掉，只剩下非常薄的外延层的器件。因此，这个器件结构带来了非常多的技术挑战。比如芯片工艺的挑战。在传统LED、Mini LED大多数用蓝宝石衬底，在class 1000的超净室就可以完成制备，但是对于Micro-LED，这么小的薄膜的器件， 100甚至10级以下的超净室才能实现制备，同时制备的设备，包括steppers、ALD等这些新设备都会涌现出来，这与原来的产业是完全不一样的，需要彻底地升级。此外，传统LED、Mini LED的Assembly的转移可以用机械臂做。但是对于Micro-LED需要开发新的技术方法，比如巨量转换技术。
关于Micro-LED产业链是非常漫长的，从传统的LED Epi外延材料的生长，外延材料中用什么样MOCVD设备做材料生长？采用单片还是多片的腔体？用什么样的衬底？多大尺寸的衬底？芯片的制备工艺，是做垂直的芯片还是倒装的芯片？使用现有的LED Fab，还是需要用LED Fab升级到IC Fab？
怎样把自发光的像素点转移到背板或者是驱动电路上？不管是用单片的集成，还是用Pick and Place 巨量转移等各种各样不同技术转移办法来实现？更进一步，转移后的所有芯片，为了形成一个彩色显示，需要实现RGB，即红、绿、蓝三种不同的发光像素单元。包括用RGB三种不同的颜色的LED，或者其他的一些办法来实现彩色的转换。
屏幕完成后，需要做测试，做PL？还是EL测试？以及以后出现坏点后如何做修复？并与Back Plane结合起来，形成一个真正的显示屏的消费级产品。
Micro-LED的产业链可以粗略地分成六大块，但总的来说，从开始的外延材料，到最后消费电子，每一个产业链环节，都不是非常成熟。并且前后的产业链都需要相互的配合来进行技术开发。比如像素点的转移技术（pixel placing），必须要前端外延芯片技术的配合，也要和后面的基板技术配合起来，才能实现转移，获得消费级显示屏。显示屏的制备，当然也会与前面的外延、Pixel Placing、测试和分选的技术路线是相互关联。这些技术是密切关联的，需要大家互通、协同，一起来开发，最后找到一条最优的产业化路径。这一点也是Micro-LED的难点，也是和其他技术不一样的新产业。
这是Yole的Micro-LED产业链地图，把其中更细分了一些。总体来说，不管在产业链的哪一个环节，现在看起来，都非常拥挤。目前国内外已经有一百五六十家企业宣称进入这一领域。国内基本也有六十家企业和研究机构进入Micro-LED领域，在产业链各个环节发力。所以，Micro-LED在整个国际上关注度非常高。在现在这个阶段吸引了众多高校、研究所，以及企业的关注，进行投资，希望能在某个产业环节上开发出独特的、有优势的技术。
在应用市场上，Yole做了这样的预测。该图中，最开始在AR、Smartwatch等电子产品中，还有超大屏的显示，将在2021年慢慢进入市场。再往后，超大屏的显示应用也会慢慢地进入市场，最终2025年，或者甚至产业链成熟到一定阶段以后，手机屏、电脑屏、电视屏等中小尺寸的屏也可以应用Micro-LED。到这个阶段时，Micro-LED终能够取代LCD或是OLED，成为下一代革命性显示技术。当然其中还需要多年的技术、产业整合、资源投入等关键要素。
在应用市场上，Yole做了这样的预测。该图中，最开始在AR、Smartwatch等电子产品中，还有超大屏的显示，将在2021年慢慢进入市场。再往后，超大屏的显示应用也会慢慢地进入市场，最终2025年，或者甚至产业链成熟到一定阶段以后，手机屏、电脑屏、电视屏等中小尺寸的屏也可以应用Micro-LED。到这个阶段时，Micro-LED终能够取代LCD或是OLED，成为下一代革命性显示技术。当然其中还需要多年的技术、产业整合、资源投入等关键要素。
小尺寸高PPI显示，PPI为每英寸下的像素数目。对于AR/VR应用来说，通常需要高像素密度、高刷新率、高填充率和低成本。作为该应用比较流行的技术是LCoS、OLEDoS、LEDoS，其中LEDoS技术指的是Micro-LED技术。相对来说，LCoS、OLEDoS是现在市场的主流。希望在明后年开始，AR/VR会有些Micro-LED屏渗透。像素密度大于2000PPI，每个英寸是2.54cm，基本上每个像素的尺寸要小于10μm。如果是彩色屏，10μm里面要包含3个像素点，如果是单色屏，10μm里面包含1个像素点。关于工艺路线，比如Wafer Bonding，每个像素与每个像素点对准以后做键合。Thin Film Transfer整个外延层转移到基底上后做半导体工艺获得像素点。预计2021年开始，AR/VR开始进入市场，期待到2025年，五年以后，能够达到一千万数量级的出货量。
大尺寸的低PPI显示。超大显示墙，三星的The Wall这样的特别大的高端显示墙应用。现在传统的Mini LED、小间距技术也可以做出来，但是成本相对比较高。特别土豪的消费者会采用。
大尺寸的电视机。成本技术继续往前走，走到高端的电视机先可以进入到一些中产以上的消费群体，预测在2023年左右慢慢进入。
对于平板电脑和智能手机来说，实际上现在OLED、LCD技术已经非常成熟，而且Micro-LED在成本方面，很难与其他两种技术竞争，所以可能需要更长的时间，等整个产业链的成熟起来，和成本下降以后，才有可能进入这两个领域。
但对于超大显示墙、大尺寸电视机，Micro-LED还是有优势，与LCD相比，它可以采用无缝拼接的技术，成本和技术都有优势。
对于超越显示应用，即显示以外的应用，现在比较有潜力的主要有四个方面。
车载应用，在车上面会有Micro-LED屏，大屏化、高清化、交互化智能应用。由于车载应用安全门槛比较高，预期2020年会有一些市场，2024年、2025年以后，会有原型样机或者类似的渗透到消费市场里。
可见光通讯，有Micro-LED发光器件同时做光通讯应用。光通讯是当前研究界非常大的热点。LIFI技术未来取代WIFI技术，还需要更长的时间。期待它在2025年以后，会有一个10亿以上市场的规模。
生物医学应用。目前韩国、日本的一些研究组发现用Micro-LED光源植入到生物体内，可以治疗某些肿瘤等类似的疾病。光治疗，尤其是使用柔性衬底的Micro-LED光治疗，目前是研究界刚刚兴起的热点。
智能显示。该应用包括发光，光通讯、光信号探测同时进行的智能应用。该方面也是一个比较前沿的研究。希望以后慢慢地打开它的消费市场。
接下来分享Micro-LED的技术问题。我会着重讲一下衬底技术、外延技术、芯片技术以及封装技术。
图中展示了从蓝宝石和硅衬底尺寸的演进。关于衬底尺寸的大小，大家都在追求更大的尺寸。这是整个半导体IC工艺不断进步的趋势。大尺寸衬底，会带来良率的上升，带来整个成本的降低。尤其对于LED产业来说，蓝宝石衬底主流还是4英寸。基本上4英寸蓝宝石工艺，远远落后于硅衬底发展了五六十年的IC产业成熟的工艺。如果想要升级类IC工艺，衬底的尺寸至少要到6寸、8寸以上，才能够升级到与类IC工艺兼容。目前，对于蓝宝石来说，还相对比较困难。对于硅衬底来说，半导体工艺是兼容的，但还有一些材料生长的技术问题。
在衬底上面要生长LED发光层的材料，与现有LED外延技术相比，Micro-LED外延又有非常不一样的要求。Micro-LED作为显示应用，有更严格的要求。人的眼睛非常敏感，2nm波长差异，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此对于整个生产过程中，对外延的均匀性提出了更高的要求。普遍业界认为，外延的均匀性要做到2nm以内无分选，并且满足后续巨量转移的要求。此外，对衬底的翘曲率也要严格的卡控，这是为后续的芯片工艺所考虑，当Bow超过50μm时，后续的光刻工艺偏差会造成线宽卡控的困难，尤其是Micro-LED尺寸做到越小时，该部分操作越关键，所以Bow翘曲的控制，也是为了芯片工艺的良率和线宽的卡控。另外，整个Wafer表面的Particles和Defects需要严格控制，业界普遍认为要小于0.2cm2。对于4寸片来说，不能超过15个Defects或者Particles。这也对MOCVD设备和工艺环境都提出了新的技术要求。该图展示的是Vecco和Allos合作制作出的大尺寸效果，其中Std小于1nm。
Micro-LED产业的局限性。Yole总结了关于LED厂商、显示领域的厂商，以及做转移封装领域的厂商。这三块产业实际上非常分立。LED厂商一般来说局限于6英寸以下，主要为4英寸的显示及照明的技术应用。LED产业界人士对于显示屏的产业了解并不多。同时，做显示屏的厂商现在大部分用OLED、LCD成熟的技术，他们对于LED产业的Ⅲ-Ⅴ族的半导体材料外延、器件的制备、半导体工艺等没有经验。封装 Mass transfer、Pick and Place等技术目前是完全是空白的状态。所以这几个重大的领域之间是分裂的。怎么样想办法把LED和显示领域，新兴的transfer整合起来，是Micro-LED未来的关键。我们认为，硅衬底的Micro-LED外延技术是可以把两个产业链融合起来，硅衬底还可以把IC工艺一起整合起来。所以，硅衬底的Micro-LED技术可能是未来Micro-LED显示未来发展的一个关键。
为什么硅衬底目前还不是LED界的主流呢？主要是因为硅上面生长GaN材料比在蓝宝石上面生长GaN材料要困难得多。原因有以下几点。第一，GaN生长在Si上面，是一种异质外延。晶格常数适配达17%，是非常大的。第二，生长的条件在一千多度，生长后回到室温下会有一千度的温差，材料的热膨胀系数不同又会造成巨大的应力，GaN和Si有超过56%热膨胀系数的差异，所以材料生长困难。第三，GaN中的Ga原子本身与Si会发生刻蚀反应。如果把GaN直接长到Si上面，就会被刻蚀反应掉。所以现在国际上比较流行的是在Si上面生长AIN，作为缓冲层，在缓冲层上再生长GaN材料。这需要非常精细地控制AIN材料和界面，以及在缓冲层材料上生长高质量的GaN材料，这些都是当前技术方面的挑战。国际上也有一些尝试，比如刚才展示Allos、Vecco以及国内的厂商也在做这方面的工作和努力。我们研究院也有一些自己独特的技术。
波长的均匀性。用蓝宝石和硅两种不同的衬底时，生长时所有的衬底放在一个石墨盘上。通过加热石墨盘把温度热力传输到GaN和硅片上。在外延生长时，整个的波长对温度非常敏感，基本上两个表面温度差1℃，波长会有差异，比如蓝光会有2nm差异。如果整个Wafer内的均匀性达到小于2nm，意味着样品表面的温度不能超过1℃，这是非常有挑战的工作。对于现有的MOCVD设备来说，用Pyrometer用980nm激光测量表面的温度。对于硅来说，硅是一个不透明的物体，这束光可以直接打到硅上面，实时读取到硅片上表面的温度，进行实时控制。对于蓝宝石衬底来说就比较困难。蓝宝石是透明的材料，激光打过去，测到的是石墨盘的温度。通过间接的石墨盘温度的控制来控制蓝宝石表面的温度。所以在控温的直接性和有效性方面，硅比蓝宝石更好一些，对于提升波长的均匀性是有帮助的。
同时外延材料方面，大部分厂商硅基GaN材料，缺陷密度都超过3×108 cm2 ，相对于蓝宝石来说，缺陷密度比较大。对于未来Micro-LED需求需要把缺陷密度降到1×108 cm2 以下，才会和蓝宝石方面有竞争。对于降低缺陷密度来说，提升AIN材料质量非常关键。用现有的生产LED的MOCVD设备来说，有一些先天的局限性。比如反应器硬件的设计、Chamber设计都会需要一些新的设计提升。从外延材料生长工艺来说，也是有同样的问题，需要提升外延的质量。
总的来说，从衬底尺寸、晶体质量、衬底成本进一步分析蓝宝石与硅衬底。蓝宝石衬底最大做到6寸，硅衬底可以做到8寸，甚至12寸，这方面硅衬底有优势。晶体的质量方面，蓝宝石更好一些，硅衬底需要持续的优化，才能达到效果。波长均匀性，硅衬底控制更好一些。芯片工艺方面，硅衬底的芯片工艺不需要进行激光剥离，可以进行研磨去除，做到无损伤。蓝宝石衬底需要进行激光剥离损伤大。关于转移衬底，硅和硅同质转移衬底，有更好的性能。所以芯片性能总的来说，两者差不多，其中蓝宝石可以做倒装也可以做垂直，硅衬底只能做垂直。芯片可靠性方面，硅衬底无损伤的情况下，也有一些优势。所以从这个角度来说，未来要做到更大尺寸和后续工艺的结合，硅衬底是一个不错的选择。
Micro-LED芯片和LED芯片有一些不同的特征。LED芯片都是在大电流下照明区间，主要的工作希望减少大电流下的Droop效应。Micro-LED芯片在2A/cm2 以下工作区间里，主要是减少非辐射复合提升材料的质量。它与照明用的LED芯片是不一样的。同时，芯片工艺尺寸越来越小的情况下，效率峰值向大电流密度方向移动，即向右偏。而我们希望它能往左偏，所以这也是一个需要克服和解决的问题。
目前来说，倒装芯片结构和垂直芯片结构是主要的两种不同的Micro-LED芯片结构，对于分辨率高的来说，需要垂直结构，分辨率低的可以用倒装结构。因倒装结构电极在同一面，所以它的尺寸不能做到太小。倒装结构可以直接运用巨量转移工艺，垂直结构巨量转移后还需要额外的激光剥离工艺和电极工艺，工艺相对复杂。对于芯片成本来说，各有优缺点。
目前来说，市面上比较常见的Micro-LED芯片结构有三种。
1、Chip on Wafer，就是在整个Wafer出货，单片集成的方式会比较多一些。
2、弱化结构。该结构做巨量转移配合弹性膜或滚轴转移技术等。
3、完全放置在临时基板上的的Freestanding Chip on Carrier，该结构可以配合激光转移、弹性膜、滚轴转移技术。
芯片做好后要与驱动基板键合。目前讨论最多的两种键合方式是：巨量转移技术和单片集成技术。巨量转移技术将30微米以下尺寸的薄膜芯片从Wafer上转移到基板上，实现大面积应用。单片集成技术要么是精准的焊接到显示基板上，要么是整面的Wafer转移到基板上，然后再做半导体工艺，一个一个地分开，和基板上的驱动电路结合起来。这样的做完全受Wafer的限制，一般来说只适合做小面积高PPI显示，如AR/VR的应用
巨量转移技是目前非常热门的技术。目前已有很多报道，但是报道只是集中于专利，样机还是非常少见。因为各大公司的保密、技术方面的要求，所以工艺、精度、良率、转移速率、成本等综合性能指标，以及详细的设备资料鲜有公开。主要的六种方法，静电力、电磁力、范德华力印刷、滚筒式、激光以及自组装。哪种技术可以胜出，现在还是问号。现在只是Demo样品出来，但是其良率、成本还需要时间的检验。
关于电磁力吸附、静电吸附技术方案，因为很多的公司未公开，所以设备的开发情况还不了解。流体装配，有一些实验机，但是也不是特别的公开。现在大家听到比较多的是弹性印模转移。激光转移也有一些厂商宣称正在开发，市面上没有。所以这些都是未知数。
单片集成技术最开始Texas Tech University做的一颗芯片的对位键合技术，后续Strathclyde University、以及港科大/南科大都做了这样一些工作。还有一些整片Wafer的集成，比如国内北大青鸟、法国CEA-Leti、英国的Plessey。单片集成一般来说还处在单色光的阶段，还没有彩色的样品。
要做彩色的产品必须要进行混色技术。现在比较常用的有两种方式。一种是RGB，即蓝、绿、红三种不同的芯片通过三次巨量转移，转移到驱动电路上，实现混色。理论上会得到一个效果非常好的显示屏，但是因为三次巨量转移，三次不同的修复，三种不同材料体系的芯片工艺也会增加它的成本，这也是一个需要考虑的问题。
量子点混色技术是采用单色光显示屏，比如蓝光或紫光，然后用量子点进行混色。优点是只做一次巨量转移，成本低，易操作。但是量子点本身材料的稳定性，颜色的稳定性，还有能量的损失，这些都需要进一步开发。
量子点混色技术也是当前一个热门的技术。有四种不同的技术方案，包括喷墨打印技术，直接用量子点黑水喷进去，用布进电动机来控制每个滴墨位置，一个一个滴到想要的位置上。气雾喷流打印，是将量子点油墨雾化，然后喷到指定的位置。光刻技术，一种是网格式的，把量子点涂上去，然后再刮掉，得到自己想要的量子点模。另一种如图所示，光刻就像半导体的光刻工艺一样，通过黄光工艺，曝光牵引，最后得到想要的量子点的图案。弹性印章转印，类似于巨量转移，把量子点Pick up 提起来放置到想要的位置上，从而完成量子点的转移。
量子点未来线宽能够做到5微米以下，同时寿命也是一个考验，希望四五年以后，可以达到10000小时。量子效率提升到95%以上。这样的要求下，希望有新的材料不断涌现推动量子点技术的发展。
检测技术也是一个巨大的挑战。通常LED用探针检测，Micro-LED如何检测？如图所示。显微高光谱成像系统检测、非接触式PL检测、接触式光电检测、非接触式EL检测。
修复技术也是非常重要，任何一个显示屏最后的显示都希望良率超过六西格玛，即一万个像素中不能超过3个坏点。出现多余的坏点需要进行修复。因为现在没有任何一个半导体工艺，任何一个转移工艺，可以达到六西格玛良率。所以修复是一个必然的环节。在这个环节中，如何提升修复的效率、降低成本是关键的问题。目前主要提出两种不同的修复技术。一种是冗余电路修复，即做两个或多个冗余的电路，假设有一个不好的电路，则把它断掉，再重新转移一次。当检测出现问题以后，进行替换。另外一种选择性激光修复。当发现一个坏点，用激光打掉，再重新放置进行修复。
由于时间的关系，对于后续的一些驱动电路未有过多的提及。现在的驱动电路中，不管用TFT还是用CMOS，在原来LCD、OLED的显示中还需要进行重新调整，以适用于Micro-LED显示的需求，有相当多的工作需要去做。
关于Micro-LED技术挑战，Yole做了一个小的总结，对Wafer的过程均匀性，Wafer Size，还有不同电流的应用都是新挑战。对于我们关注的巨量转移的Yield，cost还有转移的效率也是业界非常关注的热点。显示屏的缺陷管理，修复技术是非常重要的。混色技术通过什么样的技术可以实现最好的显示效果？Pixel Driving，大家可以参考《技术路线图》进一步解读。
总的来说，《技术路线图》里面汇总了整个Micro-LED发展到现在提出的大部分技术、路线还有一些要点，以及对它的未来的趋势的预判。关于专利和应用的部分，由于时间的关系，本次分享未涉及，如果有兴趣，大家可以到《技术路线图》中找到答案。该领域的技术在飞速发展中，不断有新的内容加入，有兴趣的朋友也可以关注一下国内外论坛以更新这方面的知识。
《Micro-LED产业技术路线图》对Micro-LED衬底、外延、器件、驱动、封装、应用等方面涉及到的问题，进行了总结。
对于衬底来说，要解决基础材料与器件科学问题的需求；解决材料与器件产业化的需求，提供不同产业融合所需要之平台。
对于外延来说，外延技术主要的发展趋势是提高晶圆尺寸，未来Micro-LED至少要做到6寸、8寸以上，才能够真正地实现高效能、低成本产业化。同时降低晶体缺陷和表面颗粒缺陷，提高波长均匀性、改善小电流密度下Droop效应峰值效率，Micro-LED提出新的应用空间，对材料科学研究提出了新的需求。
对于器件方面，一般来说高PPI推荐用垂直结构芯片，低PPI采用倒装结构芯片。通过不同像素密度和应用，可以进行芯片市场的分流。晶圆尺寸向6英寸以上推进，整个工艺线需要进行全方面的产业升级。以器件作为核心点，外延、芯片、封装、应用上中下流相互配合、协同发展。
驱动方面，不管是做硅基CMOS，还是TFT，微小电流的致性，尤其是针对Micro-LED不需要太大电流密度下，怎么做一个驱动？以及高刷新率将是未来需要解决的核心问题。
对于封装来说，高PPI应用以单片集成的方式实现，可以做一个小屏，比如AR/VR、投影屏。但是要解决其全彩化和键合良率问题。低PPI应用以巨量转移技术为主，可以做大尺寸，做到8K以上，转移良率要做到非常高，才可以达到合理的修复成本。这也是大尺寸显示屏封装的难点。
应用方面，高PPI显示，从穿戴显示、AR/VR应用，明年以后会慢慢进入市场。低PPI显示，从明年开始，豪华的大屏幕进入市场。三年以后，高端电视、手机平板显示慢慢进入市场。超越显示应用，比如车载、光通讯在四五年后进入市场。
经过不断地发展，希望Micro-LED技术作为新一代显示技术能够像现有的LCD、OLED一样，成为一个万亿级产业。同时，Micro-LED新的特征和性能，也会带来新的应用。关于技术和产业的问题，有待于大家共同努力。
这就是我今天的分享，没有涉及到内容，比如说专利部分、更细致应用的预测、技术上细节讨论，大家可以从《Micro-LED产业技术路线图》中找到答案。
最后感谢产业界的同仁一起编撰了对中国的Micro-LED技术发展有指导性意见的路线图。感谢联盟组织大家一起花了6-7个月的时间，参与的专家们都是义务劳动，为了产业做出了这份努力。最后，对所有参与编撰的产业界专家、高校及科研院所学者、同仁表示感谢。今天分享到这里，再见！
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