Micro-LED不僅僅是尺寸的縮小，它的意味著芯片尺寸、結構、製造工藝、轉移技術和應用的全面升級，是一個全新的產業鏈。
【分享主題】Micro-LED主題報告（三）MICRO-LED技術路線圖解讀
【分享時間】3月27日（週五）14：00-15：00
【分享嘉賓】蔣振宇 深圳第三代半導體研究院光電器件研發總監
▌以下為整理的分享內容（略有刪減）。
《Micro-LED技術路線圖》是第三代半導體產業技術創新戰略聯盟去年組織國內的大學、科研院所，以及相關企業專家一起成立的工作組，一起編撰的技術路線圖。在這裡由我和大家一起來解讀。
今天要和大家分享《Micro-LED技術路線圖》編撰的歷程，以及從《技術路線圖》中截取的一些內容。其中包括Micro-LED產業發展現狀及趨勢，涉及Micro-LED顯示應用、超越顯示應用。本次分享的重點還是Micro-LED技術路線分析，主要是襯底和外延技術、芯片技術、封裝技術、驅動控制技術等。最後分享產業技術路線圖總結。
《Micro-LED技術路線圖》編撰背景主要組織單位是第三代半導體產業技術創新戰略聯盟，由聯盟發起，深圳第三代半導體研究院參與。該技術路線主要是面向未來2020年-2035年，編撰Micro-LED這一新興技術產業發展和技術路線的分析和預判，為業內提供參考。
編撰工作由去年6月份，由聯盟發起。面向2035中長期規劃，提出對Micro-LED技術路線圖的要求。聯盟組織國內相關科研院所，企業界專家，進行分工討論。第一週時，提出提綱和分工，後期將提綱和分工分派給各個單位。由各個單位專家撰寫，蒐集素材，最後通過開會反覆不斷的修稿，最後形成技術路線圖。
該技術路線圖由聯盟進行進度安排，跟進進度。從6月份啟動開始，7月份、8月份編寫初稿。9月份-10月份，進行討論修改。
主要參與編撰的專家主要是北京大學的王新強教授、深圳第三代半導體研究院光電首席科學家閆春輝博士等。其中一些主要的章節，主要是由大學的教授、學者負責蒐集編撰。產業界的朋友們提供相應的素材，最後經過討論形成技術路線圖。主要的編撰的作者有劉召軍、汪萊、嚴群、劉斌、田朋飛、汪勇、何書專、陳志忠、季淵、龔政等，還有企業界的專家們，這裡我就不一一介紹了。該路線圖集合了業內頂尖的專家們共同編撰。
該路線編撰的目錄先分享一下。第一章是產業發展現狀及趨勢。主要介紹了整個Micro-LED產業發展的背景，其中重點提及Micro-LED顯示應用，包括中小尺寸高PPI顯示，中大尺寸低PPI顯示。用這樣的方法把顯示應用分成兩個類別。此外，超越顯示應用也劃分到該部分內容。包括車載應用、可見光通訊應用、生物醫學應用、三位空間交互成像應用。
第二章內容相對來說比較多，關於技術部分。主要分為四大塊，首先是襯底和外延技術，包括襯底外延藍綠光、紅光以及新型的技術路線。第二、芯片技術中，包括產品分析、技術分析，此外，路線圖中涉及了當芯片尺寸很小時，整個工藝製程會遇到的很多問題和解決方案。第三、封裝技術。該部分是《Micro-LED技術路線圖》的重點，其中包括了色彩轉換技術、巨量轉換技術、檢測修復技術。第四、驅動控制技術。該部分包括TFT驅動發展分析、CMOS專用驅動技術分析。
第三章詳細的分析了Micro-LED應用，包括了VR/A應用、投影顯示、小尺寸可穿戴式應用、手機、平板電視的顯示應用、車載應用、超大顯示應用等。
第四章是關於Micro-LED專利分析，對於Micro-LED全球專利態勢分析，以及對國內Micro-LED業界專利佈局的指導性意見。
第五章是總體產業技術路線圖總結。
今天的內容解讀沒有辦法對全書進行一一分享。今天主要截取了前兩節Micro-LED顯示的應用及超越顯示的應用作一些簡單的介紹，另外重點要分析Micro-LED技術。最後是產業技術路線圖的總結。在這裡只是簡單的介紹，詳細的內容，可以在路線圖發佈後瞭解。
首先關於產業發展現狀及趨勢。我會分享Micro-LED的發展背景及產業現狀、顯示應用及超載顯示應用。
首先什麼是Micro-LED？這張圖被多次引用，一個傳統的LED，尺寸從1mm-200μm作為一個發光的器件和背光的器件。Mini LED 也可以作為背光、小間距顯示屏、大尺寸顯示屏。尺寸到50μm以下，被認為是Micro-LED顯示的領域。但是Micro-LED在尺寸縮小的同時，整個器件的結構、設備工藝、工作電流以及特性等技術都發生了根本性改變，傳統LED、LED小間距屏，所用的技術及驅動的方式都不再適用Micro-LED。
所以Micro-LED不僅僅是尺寸的縮小，它的意味的芯片尺寸、結構、製造工藝、轉移技術和應用的全面升級，是一個全新的產業鏈。與傳統LED、Mini LED作對比。傳統的LED可以做背光或照明，Mini LED可以做背光，也可以做小間距顯示，Micro-LED可以做自發光的顯示屏。通常來說，傳統LED、Mini LED都是50μm以上。但是通過圖中展示，可以看到它不僅僅是尺寸在50μm以上，它是一個三維的結構，還包括了100多微米厚的襯底。但是Micro-LED因為尺寸的進一步縮小，沒有辦法保留襯底，需要把襯底全部移除掉，只剩下非常薄的外延層的器件。因此，這個器件結構帶來了非常多的技術挑戰。比如芯片工藝的挑戰。在傳統LED、Mini LED大多數用藍寶石襯底，在class 1000的超淨室就可以完成製備，但是對於Micro-LED，這麼小的薄膜的器件， 100甚至10級以下的超淨室才能實現製備，同時製備的設備，包括steppers、ALD等這些新設備都會湧現出來，這與原來的產業是完全不一樣的，需要徹底地升級。此外，傳統LED、Mini LED的Assembly的轉移可以用機械臂做。但是對於Micro-LED需要開發新的技術方法，比如巨量轉換技術。
關於Micro-LED產業鏈是非常漫長的，從傳統的LED Epi外延材料的生長，外延材料中用什麼樣MOCVD設備做材料生長？採用單片還是多片的腔體？用什麼樣的襯底？多大尺寸的襯底？芯片的製備工藝，是做垂直的芯片還是倒裝的芯片？使用現有的LED Fab，還是需要用LED Fab升級到IC Fab？
怎樣把自發光的像素點轉移到背板或者是驅動電路上？不管是用單片的集成，還是用Pick and Place 巨量轉移等各種各樣不同技術轉移辦法來實現？更進一步，轉移後的所有芯片，為了形成一個彩色顯示，需要實現RGB，即紅、綠、藍三種不同的發光像素單元。包括用RGB三種不同的顏色的LED，或者其他的一些辦法來實現彩色的轉換。
屏幕完成後，需要做測試，做PL？還是EL測試？以及以後出現壞點後如何做修復？並與Back Plane結合起來，形成一個真正的顯示屏的消費級產品。
Micro-LED的產業鏈可以粗略地分成六大塊，但總的來說，從開始的外延材料，到最後消費電子，每一個產業鏈環節，都不是非常成熟。並且前後的產業鏈都需要相互的配合來進行技術開發。比如像素點的轉移技術（pixel placing），必須要前端外延芯片技術的配合，也要和後面的基板技術配合起來，才能實現轉移，獲得消費級顯示屏。顯示屏的製備，當然也會與前面的外延、Pixel Placing、測試和分選的技術路線是相互關聯。這些技術是密切關聯的，需要大家互通、協同，一起來開發，最後找到一條最優的產業化路徑。這一點也是Micro-LED的難點，也是和其他技術不一樣的新產業。
這是Yole的Micro-LED產業鏈地圖，把其中更細分了一些。總體來說，不管在產業鏈的哪一個環節，現在看起來，都非常擁擠。目前國內外已經有一百五六十家企業宣稱進入這一領域。國內基本也有六十家企業和研究機構進入Micro-LED領域，在產業鏈各個環節發力。所以，Micro-LED在整個國際上關注度非常高。在現在這個階段吸引了眾多高校、研究所，以及企業的關注，進行投資，希望能在某個產業環節上開發出獨特的、有優勢的技術。
在應用市場上，Yole做了這樣的預測。該圖中，最開始在AR、Smartwatch等電子產品中，還有超大屏的顯示，將在2021年慢慢進入市場。再往後，超大屏的顯示應用也會慢慢地進入市場，最終2025年，或者甚至產業鏈成熟到一定階段以後，手機屏、電腦屏、電視屏等中小尺寸的屏也可以應用Micro-LED。到這個階段時，Micro-LED終能夠取代LCD或是OLED，成為下一代革命性顯示技術。當然其中還需要多年的技術、產業整合、資源投入等關鍵要素。
在應用市場上，Yole做了這樣的預測。該圖中，最開始在AR、Smartwatch等電子產品中，還有超大屏的顯示，將在2021年慢慢進入市場。再往後，超大屏的顯示應用也會慢慢地進入市場，最終2025年，或者甚至產業鏈成熟到一定階段以後，手機屏、電腦屏、電視屏等中小尺寸的屏也可以應用Micro-LED。到這個階段時，Micro-LED終能夠取代LCD或是OLED，成為下一代革命性顯示技術。當然其中還需要多年的技術、產業整合、資源投入等關鍵要素。
小尺寸高PPI顯示，PPI為每英寸下的像素數目。對於AR/VR應用來說，通常需要高像素密度、高刷新率、高填充率和低成本。作為該應用比較流行的技術是LCoS、OLEDoS、LEDoS，其中LEDoS技術指的是Micro-LED技術。相對來說，LCoS、OLEDoS是現在市場的主流。希望在明後年開始，AR/VR會有些Micro-LED屏滲透。像素密度大於2000PPI，每個英寸是2.54cm，基本上每個像素的尺寸要小於10μm。如果是彩色屏，10μm裡面要包含3個像素點，如果是單色屏，10μm裡面包含1個像素點。關於工藝路線，比如Wafer Bonding，每個像素與每個像素點對準以後做鍵合。Thin Film Transfer整個外延層轉移到基底上後做半導體工藝獲得像素點。預計2021年開始，AR/VR開始進入市場，期待到2025年，五年以後，能夠達到一千萬數量級的出貨量。
大尺寸的低PPI顯示。超大顯示牆，三星的The Wall這樣的特別大的高端顯示牆應用。現在傳統的Mini LED、小間距技術也可以做出來，但是成本相對比較高。特別土豪的消費者會採用。
大尺寸的電視機。成本技術繼續往前走，走到高端的電視機先可以進入到一些中產以上的消費群體，預測在2023年左右慢慢進入。
對於平板電腦和智能手機來說，實際上現在OLED、LCD技術已經非常成熟，而且Micro-LED在成本方面，很難與其他兩種技術競爭，所以可能需要更長的時間，等整個產業鏈的成熟起來，和成本下降以後，才有可能進入這兩個領域。
但對於超大顯示牆、大尺寸電視機，Micro-LED還是有優勢，與LCD相比，它可以採用無縫拼接的技術，成本和技術都有優勢。
對於超越顯示應用，即顯示以外的應用，現在比較有潛力的主要有四個方面。
車載應用，在車上面會有Micro-LED屏，大屏化、高清化、交互化智能應用。由於車載應用安全門檻比較高，預期2020年會有一些市場，2024年、2025年以後，會有原型樣機或者類似的滲透到消費市場裡。
可見光通訊，有Micro-LED發光器件同時做光通訊應用。光通訊是當前研究界非常大的熱點。LIFI技術未來取代WIFI技術，還需要更長的時間。期待它在2025年以後，會有一個10億以上市場的規模。
生物醫學應用。目前韓國、日本的一些研究組發現用Micro-LED光源植入到生物體內，可以治療某些腫瘤等類似的疾病。光治療，尤其是使用柔性襯底的Micro-LED光治療，目前是研究界剛剛興起的熱點。
智能顯示。該應用包括髮光，光通訊、光信號探測同時進行的智能應用。該方面也是一個比較前沿的研究。希望以後慢慢地打開它的消費市場。
接下來分享Micro-LED的技術問題。我會著重講一下襯底技術、外延技術、芯片技術以及封裝技術。
圖中展示了從藍寶石和硅襯底尺寸的演進。關於襯底尺寸的大小，大家都在追求更大的尺寸。這是整個半導體IC工藝不斷進步的趨勢。大尺寸襯底，會帶來良率的上升，帶來整個成本的降低。尤其對於LED產業來說，藍寶石襯底主流還是4英寸。基本上4英寸藍寶石工藝，遠遠落後於硅襯底發展了五六十年的IC產業成熟的工藝。如果想要升級類IC工藝，襯底的尺寸至少要到6寸、8寸以上，才能夠升級到與類IC工藝兼容。目前，對於藍寶石來說，還相對比較困難。對於硅襯底來說，半導體工藝是兼容的，但還有一些材料生長的技術問題。
在襯底上面要生長LED發光層的材料，與現有LED外延技術相比，Micro-LED外延又有非常不一樣的要求。Micro-LED作為顯示應用，有更嚴格的要求。人的眼睛非常敏感，2nm波長差異，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此對於整個生產過程中，對外延的均勻性提出了更高的要求。普遍業界認為，外延的均勻性要做到2nm以內無分選，並且滿足後續巨量轉移的要求。此外，對襯底的翹曲率也要嚴格的卡控，這是為後續的芯片工藝所考慮，當Bow超過50μm時，後續的光刻工藝偏差會造成線寬卡控的困難，尤其是Micro-LED尺寸做到越小時，該部分操作越關鍵，所以Bow翹曲的控制，也是為了芯片工藝的良率和線寬的卡控。另外，整個Wafer表面的Particles和Defects需要嚴格控制，業界普遍認為要小於0.2cm2。對於4寸片來說，不能超過15個Defects或者Particles。這也對MOCVD設備和工藝環境都提出了新的技術要求。該圖展示的是Vecco和Allos合作製作出的大尺寸效果，其中Std小於1nm。
Micro-LED產業的侷限性。Yole總結了關於LED廠商、顯示領域的廠商，以及做轉移封裝領域的廠商。這三塊產業實際上非常分立。LED廠商一般來說侷限於6英寸以下，主要為4英寸的顯示及照明的技術應用。LED產業界人士對於顯示屏的產業瞭解並不多。同時，做顯示屏的廠商現在大部分用OLED、LCD成熟的技術，他們對於LED產業的Ⅲ-Ⅴ族的半導體材料外延、器件的製備、半導體工藝等沒有經驗。封裝 Mass transfer、Pick and Place等技術目前是完全是空白的狀態。所以這幾個重大的領域之間是分裂的。怎麼樣想辦法把LED和顯示領域，新興的transfer整合起來，是Micro-LED未來的關鍵。我們認為，硅襯底的Micro-LED外延技術是可以把兩個產業鏈融合起來，硅襯底還可以把IC工藝一起整合起來。所以，硅襯底的Micro-LED技術可能是未來Micro-LED顯示未來發展的一個關鍵。
為什麼硅襯底目前還不是LED界的主流呢？主要是因為硅上面生長GaN材料比在藍寶石上面生長GaN材料要困難得多。原因有以下幾點。第一，GaN生長在Si上面，是一種異質外延。晶格常數適配達17%，是非常大的。第二，生長的條件在一千多度，生長後回到室溫下會有一千度的溫差，材料的熱膨脹係數不同又會造成巨大的應力，GaN和Si有超過56%熱膨脹係數的差異，所以材料生長困難。第三，GaN中的Ga原子本身與Si會發生刻蝕反應。如果把GaN直接長到Si上面，就會被刻蝕反應掉。所以現在國際上比較流行的是在Si上面生長AIN，作為緩衝層，在緩衝層上再生長GaN材料。這需要非常精細地控制AIN材料和界面，以及在緩衝層材料上生長高質量的GaN材料，這些都是當前技術方面的挑戰。國際上也有一些嘗試，比如剛才展示Allos、Vecco以及國內的廠商也在做這方面的工作和努力。我們研究院也有一些自己獨特的技術。
波長的均勻性。用藍寶石和硅兩種不同的襯底時，生長時所有的襯底放在一個石墨盤上。通過加熱石墨盤把溫度熱力傳輸到GaN和硅片上。在外延生長時，整個的波長對溫度非常敏感，基本上兩個表面溫度差1℃，波長會有差異，比如藍光會有2nm差異。如果整個Wafer內的均勻性達到小於2nm，意味著樣品表面的溫度不能超過1℃，這是非常有挑戰的工作。對於現有的MOCVD設備來說，用Pyrometer用980nm激光測量表面的溫度。對於硅來說，硅是一個不透明的物體，這束光可以直接打到硅上面，實時讀取到硅片上表面的溫度，進行實時控制。對於藍寶石襯底來說就比較困難。藍寶石是透明的材料，激光打過去，測到的是石墨盤的溫度。通過間接的石墨盤溫度的控制來控制藍寶石表面的溫度。所以在控溫的直接性和有效性方面，硅比藍寶石更好一些，對於提升波長的均勻性是有幫助的。
同時外延材料方面，大部分廠商硅基GaN材料，缺陷密度都超過3×108 cm2 ，相對於藍寶石來說，缺陷密度比較大。對於未來Micro-LED需求需要把缺陷密度降到1×108 cm2 以下，才會和藍寶石方面有競爭。對於降低缺陷密度來說，提升AIN材料質量非常關鍵。用現有的生產LED的MOCVD設備來說，有一些先天的侷限性。比如反應器硬件的設計、Chamber設計都會需要一些新的設計提升。從外延材料生長工藝來說，也是有同樣的問題，需要提升外延的質量。
總的來說，從襯底尺寸、晶體質量、襯底成本進一步分析藍寶石與硅襯底。藍寶石襯底最大做到6寸，硅襯底可以做到8寸，甚至12寸，這方面硅襯底有優勢。晶體的質量方面，藍寶石更好一些，硅襯底需要持續的優化，才能達到效果。波長均勻性，硅襯底控制更好一些。芯片工藝方面，硅襯底的芯片工藝不需要進行激光剝離，可以進行研磨去除，做到無損傷。藍寶石襯底需要進行激光剝離損傷大。關於轉移襯底，硅和硅同質轉移襯底，有更好的性能。所以芯片性能總的來說，兩者差不多，其中藍寶石可以做倒裝也可以做垂直，硅襯底只能做垂直。芯片可靠性方面，硅襯底無損傷的情況下，也有一些優勢。所以從這個角度來說，未來要做到更大尺寸和後續工藝的結合，硅襯底是一個不錯的選擇。
Micro-LED芯片和LED芯片有一些不同的特徵。LED芯片都是在大電流下照明區間，主要的工作希望減少大電流下的Droop效應。Micro-LED芯片在2A/cm2 以下工作區間裡，主要是減少非輻射覆合提升材料的質量。它與照明用的LED芯片是不一樣的。同時，芯片工藝尺寸越來越小的情況下，效率峰值向大電流密度方向移動，即向右偏。而我們希望它能往左偏，所以這也是一個需要克服和解決的問題。
目前來說，倒裝芯片結構和垂直芯片結構是主要的兩種不同的Micro-LED芯片結構，對於分辨率高的來說，需要垂直結構，分辨率低的可以用倒裝結構。因倒裝結構電極在同一面，所以它的尺寸不能做到太小。倒裝結構可以直接運用巨量轉移工藝，垂直結構巨量轉移後還需要額外的激光剝離工藝和電極工藝，工藝相對複雜。對於芯片成本來說，各有優缺點。
目前來說，市面上比較常見的Micro-LED芯片結構有三種。
1、Chip on Wafer，就是在整個Wafer出貨，單片集成的方式會比較多一些。
2、弱化結構。該結構做巨量轉移配合彈性膜或滾軸轉移技術等。
3、完全放置在臨時基板上的的Freestanding Chip on Carrier，該結構可以配合激光轉移、彈性膜、滾軸轉移技術。
芯片做好後要與驅動基板鍵合。目前討論最多的兩種鍵合方式是：巨量轉移技術和單片集成技術。巨量轉移技術將30微米以下尺寸的薄膜芯片從Wafer上轉移到基板上，實現大面積應用。單片集成技術要麼是精準的焊接到顯示基板上，要麼是整面的Wafer轉移到基板上，然後再做半導體工藝，一個一個地分開，和基板上的驅動電路結合起來。這樣的做完全受Wafer的限制，一般來說只適合做小面積高PPI顯示，如AR/VR的應用
巨量轉移技是目前非常熱門的技術。目前已有很多報道，但是報道只是集中於專利，樣機還是非常少見。因為各大公司的保密、技術方面的要求，所以工藝、精度、良率、轉移速率、成本等綜合性能指標，以及詳細的設備資料鮮有公開。主要的六種方法，靜電力、電磁力、範德華力印刷、滾筒式、激光以及自組裝。哪種技術可以勝出，現在還是問號。現在只是Demo樣品出來，但是其良率、成本還需要時間的檢驗。
關於電磁力吸附、靜電吸附技術方案，因為很多的公司未公開，所以設備的開發情況還不瞭解。流體裝配，有一些實驗機，但是也不是特別的公開。現在大家聽到比較多的是彈性印模轉移。激光轉移也有一些廠商宣稱正在開發，市面上沒有。所以這些都是未知數。
單片集成技術最開始Texas Tech University做的一顆芯片的對位鍵合技術，後續Strathclyde University、以及港科大/南科大都做了這樣一些工作。還有一些整片Wafer的集成，比如國內北大青鳥、法國CEA-Leti、英國的Plessey。單片集成一般來說還處在單色光的階段，還沒有彩色的樣品。
要做彩色的產品必須要進行混色技術。現在比較常用的有兩種方式。一種是RGB，即藍、綠、紅三種不同的芯片通過三次巨量轉移，轉移到驅動電路上，實現混色。理論上會得到一個效果非常好的顯示屏，但是因為三次巨量轉移，三次不同的修復，三種不同材料體系的芯片工藝也會增加它的成本，這也是一個需要考慮的問題。
量子點混色技術是採用單色光顯示屏，比如藍光或紫光，然後用量子點進行混色。優點是隻做一次巨量轉移，成本低，易操作。但是量子點本身材料的穩定性，顏色的穩定性，還有能量的損失，這些都需要進一步開發。
量子點混色技術也是當前一個熱門的技術。有四種不同的技術方案，包括噴墨打印技術，直接用量子點黑水噴進去，用布進電動機來控制每個滴墨位置，一個一個滴到想要的位置上。氣霧噴流打印，是將量子點油墨霧化，然後噴到指定的位置。光刻技術，一種是網格式的，把量子點塗上去，然後再刮掉，得到自己想要的量子點模。另一種如圖所示，光刻就像半導體的光刻工藝一樣，通過黃光工藝，曝光牽引，最後得到想要的量子點的圖案。彈性印章轉印，類似於巨量轉移，把量子點Pick up 提起來放置到想要的位置上，從而完成量子點的轉移。
量子點未來線寬能夠做到5微米以下，同時壽命也是一個考驗，希望四五年以後，可以達到10000小時。量子效率提升到95%以上。這樣的要求下，希望有新的材料不斷湧現推動量子點技術的發展。
檢測技術也是一個巨大的挑戰。通常LED用探針檢測，Micro-LED如何檢測？如圖所示。顯微高光譜成像系統檢測、非接觸式PL檢測、接觸式光電檢測、非接觸式EL檢測。
修復技術也是非常重要，任何一個顯示屏最後的顯示都希望良率超過六西格瑪，即一萬個像素中不能超過3個壞點。出現多餘的壞點需要進行修復。因為現在沒有任何一個半導體工藝，任何一個轉移工藝，可以達到六西格瑪良率。所以修復是一個必然的環節。在這個環節中，如何提升修復的效率、降低成本是關鍵的問題。目前主要提出兩種不同的修復技術。一種是冗餘電路修復，即做兩個或多個冗餘的電路，假設有一個不好的電路，則把它斷掉，再重新轉移一次。當檢測出現問題以後，進行替換。另外一種選擇性激光修復。當發現一個壞點，用激光打掉，再重新放置進行修復。
由於時間的關係，對於後續的一些驅動電路未有過多的提及。現在的驅動電路中，不管用TFT還是用CMOS，在原來LCD、OLED的顯示中還需要進行重新調整，以適用於Micro-LED顯示的需求，有相當多的工作需要去做。
關於Micro-LED技術挑戰，Yole做了一個小的總結，對Wafer的過程均勻性，Wafer Size，還有不同電流的應用都是新挑戰。對於我們關注的巨量轉移的Yield，cost還有轉移的效率也是業界非常關注的熱點。顯示屏的缺陷管理，修復技術是非常重要的。混色技術通過什麼樣的技術可以實現最好的顯示效果？Pixel Driving，大家可以參考《技術路線圖》進一步解讀。
總的來說，《技術路線圖》裡面彙總了整個Micro-LED發展到現在提出的大部分技術、路線還有一些要點，以及對它的未來的趨勢的預判。關於專利和應用的部分，由於時間的關係，本次分享未涉及，如果有興趣，大家可以到《技術路線圖》中找到答案。該領域的技術在飛速發展中，不斷有新的內容加入，有興趣的朋友也可以關注一下國內外論壇以更新這方面的知識。
《Micro-LED產業技術路線圖》對Micro-LED襯底、外延、器件、驅動、封裝、應用等方面涉及到的問題，進行了總結。
對於襯底來說，要解決基礎材料與器件科學問題的需求；解決材料與器件產業化的需求，提供不同產業融合所需要之平臺。
對於外延來說，外延技術主要的發展趨勢是提高晶圓尺寸，未來Micro-LED至少要做到6寸、8寸以上，才能夠真正地實現高效能、低成本產業化。同時降低晶體缺陷和表面顆粒缺陷，提高波長均勻性、改善小電流密度下Droop效應峰值效率，Micro-LED提出新的應用空間，對材料科學研究提出了新的需求。
對於器件方面，一般來說高PPI推薦用垂直結構芯片，低PPI採用倒裝結構芯片。通過不同像素密度和應用，可以進行芯片市場的分流。晶圓尺寸向6英寸以上推進，整個工藝線需要進行全方面的產業升級。以器件作為核心點，外延、芯片、封裝、應用上中下流相互配合、協同發展。
驅動方面，不管是做硅基CMOS，還是TFT，微小電流的致性，尤其是針對Micro-LED不需要太大電流密度下，怎麼做一個驅動？以及高刷新率將是未來需要解決的核心問題。
對於封裝來說，高PPI應用以單片集成的方式實現，可以做一個小屏，比如AR/VR、投影屏。但是要解決其全綵化和鍵合良率問題。低PPI應用以巨量轉移技術為主，可以做大尺寸，做到8K以上，轉移良率要做到非常高，才可以達到合理的修復成本。這也是大尺寸顯示屏封裝的難點。
應用方面，高PPI顯示，從穿戴顯示、AR/VR應用，明年以後會慢慢進入市場。低PPI顯示，從明年開始，豪華的大屏幕進入市場。三年以後，高端電視、手機平板顯示慢慢進入市場。超越顯示應用，比如車載、光通訊在四五年後進入市場。
經過不斷地發展，希望Micro-LED技術作為新一代顯示技術能夠像現有的LCD、OLED一樣，成為一個萬億級產業。同時，Micro-LED新的特徵和性能，也會帶來新的應用。關於技術和產業的問題，有待於大家共同努力。
這就是我今天的分享，沒有涉及到內容，比如說專利部分、更細緻應用的預測、技術上細節討論，大家可以從《Micro-LED產業技術路線圖》中找到答案。
最後感謝產業界的同仁一起編撰了對中國的Micro-LED技術發展有指導性意見的路線圖。感謝聯盟組織大家一起花了6-7個月的時間，參與的專家們都是義務勞動，為了產業做出了這份努力。最後，對所有參與編撰的產業界專家、高校及科研院所學者、同仁表示感謝。今天分享到這裡，再見！
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