5G助力下,第三代半導體材料終於上位

投資摘要:

1、5G基站建設加速,這一新材料工藝需求爆發;

2、百億市場空間當前,A股只有少數標的深度受益。



昨晚美國曆史性熔斷引起的恐慌並沒有傳導到國內,今天的反彈已經說明了A股的強勢。

從今天的板塊中,我們可以發現,前期調整的半導體等科技股扛起了反彈的大旗。而其中,氮化鎵概念股表現格外亮眼。

猛地一看,這個化學成分讓人有點莫名其妙,而瞭解科技的投資者可能比較清楚,這是第三代半導體的核心材料,市場上一直有議論認為它將替代硅。

一、靠快充火起來的氮化鎵

作為第三代半導體材料的氮化鎵(GaN),是一種堅硬的高熔點(熔點約為1700℃)材料,具有高頻、高效率、耐高壓等特性,用於製作多種功率器件和芯片。

氮化鎵在半導體材料領域的研究已經持續多年,近期廣為人知,是因為它可以用在充電器中。

今年2月,小米發佈新品,其中65W GaN充電器成為一大亮點。

這款充電器易散熱、充電快(比iphone原裝快50%,從0到100%的電量只需45分鐘)、體積小(比常規充電器小了50%),且售價只要149元,性價比較高。3天預約就超5萬,一時間,這一黑科技產品站上了風口,氮化鎵也因此引發市場的強烈關注。

5G助力下,第三代半導體材料終於上位

圖:小米GaN充電器 Type-C 65W(圖片來源:小米官網)

不過這並不是第一款氮化鎵充電器,早在去年四季度,OPPO就發佈了全球首款65W GaN充電器。兩家大廠相繼佈局,意味著技術已經進一步成熟。

而且,氮化鎵充電器並不僅僅用於手機充電。更小、更便捷的GaN充電器是解放筆記本的一大利器。近期汽車零部件供應商馬瑞利與半導體公司Transphorm合作開發氮化鎵充電技術。未來,筆記本、新能源車或許都會用到氮化鎵充電器。

二、5G帶來更廣闊的應用空間

充電市場並非氮化鎵功率器件的唯一用武之地,它還應用於光電、射頻領域。

5G助力下,第三代半導體材料終於上位

非常值得一提的是,在射頻領域,氮化鎵射頻器件適合高頻高功率場景,是5G時代的絕佳產品,將替代Si基芯片,應用在5G基站、衛星通信、軍用雷達等場景。


在政治局會議多次點名之下,5G基站的建設迎來高峰,相應的各種射頻器件、芯片數量和質量都在提升,市場需求旺盛。氮化鎵工藝正在逐步佔領市場,已經勢不可擋。拓璞產業研究院預計到2023年基站端GaN射頻器件規模達到頂峰,達到112.6億元。

再加上衛星通信、軍用雷達的市場,Yole預測GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。

另外,GaN基紫外激光器在紫外光固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值。疫情當前,中美都啟用了基於GaN的紫外光進行消毒殺菌,相關市場隨之增長。

三、氮化鎵,沒那麼容易發展和普及

空間雖廣(市場預測規模超百億),擺在眼前的難題也不少。

目前氮化鎵產業鏈中,襯底主要供應商有德國Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企業,外延片主要廠商有日本NTT-AT、比利時EpiGaN和英國IQE等。

主流生產廠家集中在歐洲國家及日本等,我國企業尚未進入供給端第一梯隊。也就是說,下游應用方面,我們走在前列,但上游仍有巨大差距。

由於應用端會涉及軍工領域,國外對高性能氮化鎵器件實行對華禁運。在第三代半導體材料領域再次掉隊後,國產替代仍在加速推進。

另外一個不能忽略的問題是,氮化鎵的成本依然偏高。因此之前相關器件更多地運用於軍事雷達、基站等價格敏感度低的領域。而對於價格敏感度高的消費級電子,OPPO小米快充充電器之後帶動產業加速發展,成本問題或許才能逐步克服。

四、哪些相關概念股可以受益?

據中信建投預測,5G對高功率射頻的需求,手機和筆記本對高效輕小快充的需求將在2020-2021年爆發,疫情對深紫外UVC的需求也在2020年短期內集中爆發。

氮化鎵期間面臨這廣闊的藍海市場,增長空間可觀,海特高新、三安光電、聞泰科技、耐威科技等核心概念股自然會受益其中。

不過一些標的市盈率已經較高,有的投資者覺得中氮化鎵只有短線炒作機會,這就需要見仁見智啦~

5G助力下,第三代半導體材料終於上位

表:氮化鎵概念股(數據來源:wind)

股市常變,匠心不移。@魯班行研

參考報告

1.20200217-華西證券-電子行業:GaN(氮化鎵)引爆消費電子快充市場_2020-02-17_華西證券

2.20191209-海通證券-氮化鎵:第三代半導體核心材料

3.20200218-中信建投-中信建投GaN行業深度:5G、快充、UVC,第三代半導體潮起

4.20200219-東吳證券-電子:GaN快充與Wifi6的新趨勢

5.20200214-方正證券-氮化鎵(GaN)功率半導體開始起量




內容供參考,請自主決策,風險自擔。投資有風險,入市需謹慎!


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