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用三极管可以直接驱动MOS场效应管吗？回答是：可以直接驱动。由于MOS场效应管是一种电压驱动器件，要想使其充分导通，要求其栅极驱动电压的幅度要足够大，而一些低压IC电路（譬如3.3V供电的单片机电路）输出幅度较小，直接用来驱动MOS场效应管，根本无法使管子完全导通。为解决此问题，常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管，其电路如下图所示。
上图中，VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通，电路中加了一级三极管电路，当VT1基极为5V高电平时，VT1导通，VT2截止；当VT1基极为低电平0V时，VT1截止，其集电极的10V电压（Rc上的压降几乎为零，可以忽略不计）直接加至VT2的G极（即栅极），这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。
在用三极管驱动MOS场效应管时，需要注意MOS场效应管栅极所接电阻（即上图中的Rc）的取值。若MOS场效应管的开关速度很低，此时Rc可以选用上百KΩ的电阻，这样可以减小驱动电路的耗电。若MOS场效应管工作于高速开关状态，此时Rc不宜取值过大，否则MOS场效应管栅源电容充放电的时间较长，会影响MOS场效应管的开关速度，此时Rc一般选用几KΩ的电阻。
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三极管是可以驱动MOS管的，而且建议使用三极管来驱动MOS管，因为MOS管是电压驱动型的元器件，依靠栅极G和源极S之间的电压差来工作的，这就需要VGS至少满足开启电压Vth才可以。而对于单片机而言，以5V供电和3.3V供电为主，这对于大功率的MOS管而言，驱动电压有点低可能无法使MOS管完全导通。这就要借助三极管了。
三极管是电流型驱动的元器件，对电压要求比较低，只要基极电流满足条件就可以了。三极管驱动MOS管的电路原理如下图所示。
三极管的基极接控制端，MOS管的G极接在三极管的集电极上，控制逻辑如下所示：
当控制端GPIO为高电平的时候，三极管导通，集电极为低电平，使得MOS管的G极为低电平，所以MOS管截止，负载失电不工作。
当控制端GPIO为低电平的时候，三极管截止，集电极为高电平，使得MOS管的G极为高电平，所以MOS管导通，负载和电源形成回路，负载正常工作。
使用三极管来驱动MOS管，将MOS管的电压控制转化为三极管的电流控制，对于3.3V的单片机来说，更容易控制，所以建议使用三极管来控制MOS管。
在高速应用的情况下需要考虑MOS管的开关速度，因为MOS管存在米勒电容所导致的米勒效应。控制信号VGS的波形要经过一个短暂的平台之后才会上升，这个平台叫做米勒平台。所以，三极管集电极的限流电阻不能选择太大，否则容易导致开关出现延时。
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玩转嵌入式
在频率范围内，减少寄生电容对于开启和关断信号的延时影响和抖动，通断一定要果断，GS之间的泄放能量一定要合理
有信仰吧
MOS管是电压驱动型元件，用三极管直接驱动是没有问题的
MOS管导通后内阻很小，非常适用于功率负载的驱动，电动工具驱动，开关电源、DC-DC应用都可以看到MOS管的身影。MOS管是电压驱动型器件，设计MOS管驱动电路时，需要注意MOS管的门极开启电压（Vgs）
MOS管的门极开启电压（Vgs）是什么？
门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs是MOS管的重要参数，给门极提供的电压需要大于此电压才可以MOS正常导通工作。给MOS管门极施加的电压不同，导通时的内阻也是不同的。门极导通电压不足会导致MOS发热量增加。
在设计MOS管驱动电路时，一定要设置合理的门极开启电压(Gate Threshold Voltage)Vgs。
MOS管驱动电路设计
MCU的工作电压一般是3.3V或者5V，GPIO提供的电压可能不足以驱动MOS导通。驱动工作电压和工作电流较大的MOS管时，我们一般会加入三极管，加入加三极管驱动后，MOS的门极开启电压由三极管的集电极（C）提供。在开关速度较高的应用场合，可以考虑减少MOS门极限流电阻，减少门极的充电时间，加快MOS的导通速度。
MOS导通后的内阻虽然很小，但负载功率较大时，发热是非常厉害的，需要及时把热量散走，在功率较大的应用，可以给MOS管安装散热器
