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用三極管可以直接驅動MOS場效應管嗎？回答是：可以直接驅動。由於MOS場效應管是一種電壓驅動器件，要想使其充分導通，要求其柵極驅動電壓的幅度要足夠大，而一些低壓IC電路（譬如3.3V供電的單片機電路）輸出幅度較小，直接用來驅動MOS場效應管，根本無法使管子完全導通。為解決此問題，常加一級雙極型三極管驅動電路來驅動MOS場效應管，其電路如下圖所示。
上圖中，VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導通，其柵極驅動電壓一般要求≥10V。為了能驅動MOS場效應管導通，電路中加了一級三極管電路，當VT1基極為5V高電平時，VT1導通，VT2截止；當VT1基極為低電平0V時，VT1截止，其集電極的10V電壓（Rc上的壓降幾乎為零，可以忽略不計）直接加至VT2的G極（即柵極），這樣便可以使VT2獲得足夠的柵極電壓而導通。
在用三極管驅動MOS場效應管時，需要注意MOS場效應管柵極所接電阻（即上圖中的Rc）的取值。若MOS場效應管的開關速度很低，此時Rc可以選用上百KΩ的電阻，這樣可以減小驅動電路的耗電。若MOS場效應管工作於高速開關狀態，此時Rc不宜取值過大，否則MOS場效應管柵源電容充放電的時間較長，會影響MOS場效應管的開關速度，此時Rc一般選用幾KΩ的電阻。
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三極管是可以驅動MOS管的，而且建議使用三極管來驅動MOS管，因為MOS管是電壓驅動型的元器件，依靠柵極G和源極S之間的電壓差來工作的，這就需要VGS至少滿足開啟電壓Vth才可以。而對於單片機而言，以5V供電和3.3V供電為主，這對於大功率的MOS管而言，驅動電壓有點低可能無法使MOS管完全導通。這就要藉助三極管了。
三極管是電流型驅動的元器件，對電壓要求比較低，只要基極電流滿足條件就可以了。三極管驅動MOS管的電路原理如下圖所示。
三極管的基極接控制端，MOS管的G極接在三極管的集電極上，控制邏輯如下所示：
當控制端GPIO為高電平的時候，三極管導通，集電極為低電平，使得MOS管的G極為低電平，所以MOS管截止，負載失電不工作。
當控制端GPIO為低電平的時候，三極管截止，集電極為高電平，使得MOS管的G極為高電平，所以MOS管導通，負載和電源形成迴路，負載正常工作。
使用三極管來驅動MOS管，將MOS管的電壓控制轉化為三極管的電流控制，對於3.3V的單片機來說，更容易控制，所以建議使用三極管來控制MOS管。
在高速應用的情況下需要考慮MOS管的開關速度，因為MOS管存在米勒電容所導致的米勒效應。控制信號VGS的波形要經過一個短暫的平臺之後才會上升，這個平臺叫做米勒平臺。所以，三極管集電極的限流電阻不能選擇太大，否則容易導致開關出現延時。
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玩轉嵌入式
在頻率範圍內，減少寄生電容對於開啟和關斷信號的延時影響和抖動，通斷一定要果斷，GS之間的洩放能量一定要合理
有信仰吧
MOS管是電壓驅動型元件，用三極管直接驅動是沒有問題的
MOS管導通後內阻很小，非常適用於功率負載的驅動，電動工具驅動，開關電源、DC-DC應用都可以看到MOS管的身影。MOS管是電壓驅動型器件，設計MOS管驅動電路時，需要注意MOS管的門極開啟電壓（Vgs）
MOS管的門極開啟電壓（Vgs）是什麼？
門極開啟電壓(Gate Threshold Voltage)Vgs是MOS管的重要參數，給門極提供的電壓需要大於此電壓才可以MOS正常導通工作。給MOS管門極施加的電壓不同，導通時的內阻也是不同的。門極導通電壓不足會導致MOS發熱量增加。
在設計MOS管驅動電路時，一定要設置合理的門極開啟電壓(Gate Threshold Voltage)Vgs。
MOS管驅動電路設計
MCU的工作電壓一般是3.3V或者5V，GPIO提供的電壓可能不足以驅動MOS導通。驅動工作電壓和工作電流較大的MOS管時，我們一般會加入三極管，加入加三極管驅動後，MOS的門極開啟電壓由三極管的集電極（C）提供。在開關速度較高的應用場合，可以考慮減少MOS門極限流電阻，減少門極的充電時間，加快MOS的導通速度。
MOS導通後的內阻雖然很小，但負載功率較大時，發熱是非常厲害的，需要及時把熱量散走，在功率較大的應用，可以給MOS管安裝散熱器
