集微網消息，2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地舉行投產儀式。
中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創新產業園是中國電科圍繞半導體材料、裝備製造產業領域在晉的戰略佈局。
中國電科（山西）電子信息科技創新產業園項目包括“一箇中心、三個基地”。“三個基地”即中國電科（山西）碳化硅材料產業基地、中國電科（山西）電子裝備智能製造產業基地、中國電科（山西）能源產業基地。
此前有消息稱，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地將建成國內最大的碳化硅（SiC）材料供應基地。中國電科（山西）碳化硅產業基地一期項目於2019年4月1日開工建設，同年9月26日封頂，據此前山西綜改示範區消息，一期項目建築面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現完全自主可供。項目投產後將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產企業，可實現年產值10億元。
由於大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，碳化硅材料在眾多戰略行業具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。
自 2007 年，中國電科 2 所便著手佈局碳化硅單晶襯底材料的研製規劃，依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢，潛心鑽研著碳化硅單晶生長爐的研製。目前全面掌握了高純碳化硅粉料製備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的製備工藝，形成了從碳化硅粉料製備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研製線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。（校對/圖圖）
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