为了迎接5G时代的到来，西部数据宣布推出最新的iNAND MC EU521闪存，符合JEDEC最新规范的UFS 3.1闪存，在第六代SmartSLC缓存技术的加持下，顺序写入速度最高可以达到800MB/s，具有128GB以及256GB两种规格，封装尺寸11.5x13x1.0mm。更为详细的技术规格可以。
至于应用层面，西数表示iNAND MC EU521可以用在智能手机、平板的设备内，为游戏、AR/VR、机器学习、人工智能等场景加速。
相较于UFS 3.0，UFS 3.1新增以下三大特性：
Write Booster：就是SSD上常见的SLC Cache，可以显著提升写入速度；
DeepSleep：深度睡眠这个很好理解，就是可以让UFS设备进入一个低功耗状态，降低设备功耗；
Performance Throttling Notification：性能限制通知，由于高温到时存储设备性能受限时，UFS设备可以告知系统。
实际落地产品上，目前将于2月25日发布的iQOO 3手机已经宣布会使用UFS 3.1闪存，至于使用的是谁家的UFS 3.1闪存，则还有待进一步确认。
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