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外媒報道稱，
三星已開始其新建的 V1 晶圓工廠的大規模生產，成為業內首批完全使用 6LPP 和 7LPP 製造工藝的純極紫外光刻（EUV）生產線。<strong>作為三星下一代製造工藝的重要推動力，EUVL 能夠減少多重曝光，提升採用更精細設計的芯片的良率。
初期，三星將 EUVL 設備用於其 6LPP 和 7LPP 節點，且未來有望擴展至 5LPE、4LPE、3GAE 和 3GAP 等製程節點。
該工廠的 7LPP 和 6LPP 工藝，將用於今年一季度交付的高端移動 SoC，但目前尚不知合約客戶的名稱。
需要注意的是，6LPP 並不是三星多項目晶圓（MPW）穿梭計劃的一部分，或表明該工藝僅適用於三星自家的產品（或那些不適用 MPW 的客戶）。
6LPP 是三星 7LPP 節點的演進，提升了約 10% 的晶體管密度和更低的功耗，可與最初為 7LPP 開發的 IP 兼容並重復使用。
此外，6LPP 為渴望投資於全新 IP 和多重擴散中斷（Multi Diffusion Break）功能的設計人員，提供了智能結構的支持。
然而 6LPP 可能僅面向部分客戶限量供應，未來重點似乎是新的 5PLE 節點，後者在功耗、性能等方面具有更多的優勢。
據悉，三星 V1 晶圓廠位於韓國華城、毗鄰 S3，該公司在那裡開啟了 7LPP 製程芯片的首次批量生產。
三星於 2018 年 2 月開始建造 V1，並於 2019 下半年開始晶片的測試生產。現在，該公司將繼續擴大 V1 晶圓廠產能規模。
預計到 2020 年底時，EUV 7LPP 以下總產能節點數量將是 2019 年的三倍，且針對 V1 的累計投資將達到 60 億美元。
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