與非網 2 月 13 日訊，SK 海力士宣佈，已經與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術授權協議，獲得了後者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術的授權。
據瞭解，DBI Ultra 是一種專利的裸片 - 晶圓(die-wafer)混合鍵合互連技術，使用化學鍵合來連接不同的互聯層，無需銅柱和底層填充，不會增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將 8 層堆疊翻番到 16 層堆疊，獲得更大容量，每平方毫米的面積裡可以容納 10 萬個到 100 萬個互連開孔，相比每平方毫米最多 625 個互連開孔的傳統銅柱互連技術，可大大提高傳輸帶寬。
DBIUltra 使用化學鍵合來連接不同的互聯層，也不需要銅柱和底層填充，因此不會增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將 8 層堆疊翻番到 16 層堆疊，獲得更大容量。
雖然它要使用新的工藝流程，但是良品率更高，也不需要高溫，而高溫正是影響良品率的關鍵因素。
和其他下一代互連技術類似，DBI Ultra 也靈活支持 2.5D、3D 整合封裝，還能集成不同尺寸、不同工藝製程的 IP 模塊，因此不但可用來製造 DRAM、3DS、HBM 等內存芯片，也可用於高集成度的 CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。
比如 3D 堆棧內存方案，可以是 4 層的 DRAM，可以是 4/8/12/16 層的 HBM2/HBM3 並在底部整合邏輯電路。
比如 3D 集成方案，可以上方是 4-16 層堆疊 HBM、下方是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等邏輯單元。
比如 2.5D 集成方案，可以在基板上一邊是 4-16 層堆疊 HBM 並通過邏輯電路接入基板，另一邊則是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等邏輯單元直接以 DBI Ultra 互連的方式接入基板。
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