3D-NAND芯片
基於半導體制造幾大基本模塊工藝批量製作的，每一個是經過精確設計的導體/半導體/絕緣材料。
國產3D NAND芯片之所以落後，就是在於國產芯片的堆疊層數較低，目前國產芯片最高可以做到64層，而一線大廠，如三星、海力士、鎂光等，已經可以做到128層及以上。
疊加的層數越多，工藝製造上遭遇的難度與問題就會越大，電路搭錯的幾率就會越高
在水平方向上，要解決增加圖案密度的問題，以增加存儲密度；在垂直方向上，又要解決高深寬比（HAR）刻蝕均勻性的問題。
邏輯芯片
隨著隨著摩爾定律的推進以及尺寸的縮小，CMOS器件在某些電性能方面出現了衰退，這就需要新的器件設計。
尺寸的縮小不僅僅體現在圖案的尺寸上，垂直方向上的薄膜高度的要求也越來越高。在這樣的背景下，原子層沉積（ALD）技術被髮明出來，這樣在薄膜厚度上可以精確地控制到只有幾層原子的厚度。
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