為什麼說芯片製造比芯片設計更難?

3D-NAND芯片

為什麼說芯片製造比芯片設計更難?

基於半導體制造幾大基本模塊工藝批量製作的,每一個是經過精確設計的導體/半導體/絕緣材料。

國產3D NAND芯片之所以落後,就是在於國產芯片的堆疊層數較低,目前國產芯片最高可以做到64層,而一線大廠,如三星、海力士、鎂光等,已經可以做到128層及以上。

疊加的層數越多,工藝製造上遭遇的難度與問題就會越大,電路搭錯的幾率就會越高

在水平方向上,要解決增加圖案密度的問題,以增加存儲密度;在垂直方向上,又要解決高深寬比(HAR)刻蝕均勻性的問題。

邏輯芯片

隨著隨著摩爾定律的推進以及尺寸的縮小,CMOS器件在某些電性能方面出現了衰退,這就需要新的器件設計。

尺寸的縮小不僅僅體現在圖案的尺寸上,垂直方向上的薄膜高度的要求也越來越高。在這樣的背景下,原子層沉積(ALD)技術被髮明出來,這樣在薄膜厚度上可以精確地控制到只有幾層原子的厚度。

為什麼說芯片製造比芯片設計更難?


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