晚霞中的荒漠
在芯片製造設備中，有兩種設備經常被人搞混，一個叫做光刻機，一個叫做刻蝕機，甚至有人混為一起，覺得是一種設備。
光刻機的作用是用光來刻錄電路，即用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來，而刻蝕機則相反，用來把不需要的部分去掉，只保留劃了電路圖的部分。
可見，作用完全不一樣的，光刻機用來刻畫芯片的電路，而刻蝕機把不需要的部分蝕掉，只保留住光刻機刻錄下來的部分。
目前光刻機國內水平很差，還只能生產90nm的水平，國際上ASML在5nm的水平，相差N代，起碼10年以上的差距吧。
但刻蝕機則不一樣了，中國擁有全球最先進的技術，目前已經生產出5nm的刻蝕機了，並且交付給了臺積電，明年華為、高通、蘋果的5nm的芯片都會用到它。
中國最牛的刻蝕機廠商是中微半導體，總部在上海。目前是全球最先進的刻蝕機企業之一。今年就已經量產了5nm的刻蝕機，目前已交給臺積電驗證了，所以我們可以認為刻蝕機達到了5nm的水準，也就是世界最先進的水準。
技術上來來了，市場沒上來，因為如果從份額來看，那就是落後很遠了，在全球的刻蝕機廠商中，中微半導體的份額不到5%，前四家分別是泛林、應用材料、東京電子、日立，這四家才是真巨頭，佔了90%以上的份額。
互聯網亂侃秀
蝕刻機我國的水平已經達到了世界一流水平，我們的蝕刻機水平已經達到了目前世界上最先進的5納米級別，當然並不是只有我們自己一家達到這個水平，世界上總共能做到5納米級別的有四五家，我們只是其中一家，日本可以做到，美國可以做到，歐洲也有一家可以做到這樣的精度，所以說我們的蝕刻機水平是目前世界上最先進之一。
而光刻機能做到5納米級別的只有一家，屬於世界上最先進的水平沒有之一，蝕刻機和光刻機的區別在於一個是把半導體納米線路印上去，而蝕刻機的作用是把光刻機印在硅片上的多餘的殘渣給去除掉，區別在於一個是雕刻印刷一個是打磨精修，刻上去的難度遠高於精修，所以這也是為什麼光刻機比蝕刻機重要的原因。
在集成半導體線路里面，最重要的就是光刻機，第二重要的就是蝕刻機了，蝕刻機其實屬於老二級別的存在，我們的蝕刻機屬於世界一流水平，光刻機就差一點，大概差多少呢，其實至少在一代半到兩代的差距，也就是說我們的差距至少在十年到十五年之間，蝕刻機已經處在最頂級的一個層面，並沒有形成代差。
蝕刻機雖然也是高尖端科技，但是還是沒有光刻機的難度高，能搞定蝕刻機並不代表光刻機也一樣，打一個比方，蝕刻機的難度是五，那光刻機的難度就是十甚至十以上，這並不是說蝕刻機難度不高，而是恰恰相反說明了光刻機的難度太高，蝕刻機的高難度去襯托光刻機的超高難度，所以並不是說我們的科學家不努力，而是說明了光刻機的尖端。
如何能做到全面達到頂尖水平，這個只能從科學的基礎培養出發，打好堅實的基礎，基礎紮實了，就像高樓大廈建造，地基做好了才能在地基上面建造更高的樓層，光刻機為什麼沒有達到最先進水平，那是因為在這方面我們的基礎沒有足夠好，所以才沒有辦法做到高端方面的最頂級，平衡的科技發展才是真正的強大，偏科很容易給自己阻礙。
無法超越的足跡
先回答核心問題，我國蝕刻機處於世界領先水平，可以生產5nm技術的蝕刻機！但是，蝕刻機相比較於光刻機而言，技術含量要低很多，兩者完全不在一個檔次。
1、中微掌握先進蝕刻機技術
國內掌握領先蝕刻技術的企業叫中微半導體，2017年4月時中微曾公開宣佈掌握5nm工藝蝕刻技術，同年底可以出工程樣機，這個宣佈時間比掌握相同5nm蝕刻技術的IBM早了2周的時間。可見中微在蝕刻機領域不說全面領先，那至少也是和世界最高水平相持平。
中微生產的蝕刻機目前已經被全球多家代工廠商使用，其中就有臺積電，早前7nm的蝕刻機在臺積電有廣泛的應用。5nm的蝕刻機有消息稱現在也已經量產，並已通過臺積電的驗證，未來將供貨給臺積電用於5nm芯片的生產線。
2、中微蝕刻機市場應用份額較低
中微的蝕刻機目前主要應用於三個方面，我們熟知的半導體、IC芯片製造使用的是等離子蝕刻機，主要機型有Primo AD-RIE、Primo D-RIE等，其次是應用於半導體封裝的硅通孔蝕刻機，以及適用於LED芯片聲場的MOCVD設備，前兩類設備目前已經應用於全球20多條一流生產線。
但是就當前中微的全球市場份額而言並不高，根據權威機構的統計，中微的蝕刻機僅佔1.4%左右的市場份額。而全球範圍內目前總計有5家企業能生產蝕刻機，除了中微半導體外，剩下均為日美企業，分別為與泛林、應用材料、東京電子、日立，其中泛林佔有全球55%的份額。
Lscssh科技官觀點
綜合來說，蝕刻機領域我國的技術水平已經和國外競爭者持平，但是就市場佔有率而言，中微的差距還很大，畢竟日美這些傳統強者在這個領域並未衰退，想要從他們口中搶食並非一朝一夕能成。相信未來的中微不僅能在技術上超越競爭對手，在市場份額上也能持續蠶食競爭對手們。
最後再提一點，蝕刻機整體的技術含量不如光刻機，我國想要在半導體領域取得最終的突破，光有蝕刻機不行，核心還得靠光刻機上取得重大突破。
Lscssh科技官
據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米制程生產線。5納米，相當於頭髮絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺積電計劃2019年進行5納米制程試產，預計2020年量產。▲半導體器件工藝製程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍刻蝕機是芯片製造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米芯片生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過臺積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。
中科院SP超分辨光刻機提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研製的“超分辨光刻裝備”項目。該項目下研製的這臺光刻機是“世界上首臺分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備”。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。▲中科院研製成功並通過驗收的SP光刻機該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10nm級別的芯片...... 中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國芯片業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過臺積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的“中科院SP超分辨光刻機”其實最多隻能算是一個“原型機”，和ASML的光刻機不能相提並論，也不能用來製造芯片，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了麼？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以後中國就可以生產7nm甚至是5nm的芯片了不要把問題想簡單了，以為芯片也只有光刻機和刻蝕機。芯片製造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，臺積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的芯片。檸檬愛游泳
謝謝您的問題。國產蝕刻機處於全球領先水平，但基本是中微半導體公司一枝獨秀。
刻蝕機技術領先。目前總體看，中微半導體的介質刻蝕機、硅通孔刻蝕機處於全球前三名。中微半導體的介質刻蝕機已經被臺積電納入7nm、10nm製程生產線。刻蝕機制造工藝可以做到5nm，被臺積電驗證通過，比7nm有更大市場份額。中芯國際一半的刻蝕機都來自於中微半導體。 
起點就不一樣。中微半導體是尹志堯、杜志遊、倪圖強、等40多位半導體設備專家創辦了中微公司。尹志堯之前在美國已經從事20多年的半導體業務，帶領科研團隊，2004年創辦中微半導體，這些人覆蓋了多國別、多專業，是技術研發致勝的關鍵，團隊已經申請了1000多項專利。當時全球最先進的製程是90納米，中微半導體起步就研發40納米刻蝕機，提前了至少兩代。
蝕刻機是孤軍深入。蝕刻機是芯片製造的關鍵設備，雖然刻蝕機加工精度不斷提升，但是並不能意味我國芯片整體工藝製程大幅進步，我們必須有清醒的認識。
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我認為什麼水平不重要，只要有就是好事，1949年我們有什麼，1978年改革開放前三十年中國走了西方國家幾百年的工業社會，1978後至今的四十年中國的進步速度令西方國家絕望，他們不自信了才打壓我們，超越西方技術，領先全球只是時間問題，我不應唱衰，相信祖國，相信我的民族自信。
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謙虛點說，我們不敢說第一，也不承認是第二，不謙虛的說，我們說第二，沒人敢說第一，驕傲點說，我們說第一，沒人敢說第二。
巫雲8888
光刻與蝕刻，前種是用可見光對單晶片面進行刻劃的意思！蝕用化學材料進行腐蝕，大概是這樣吧
另類聊八卦
中國芯雖然不是世界第一，但研發水平也是站在世界科技前沿的。不出十年中國芯一定會是世界上最先進芯！中國科學學子們會讓你看到這輝煌時刻的！
鋼子6711
有，但精度不夠，高品質的芯片做起來困難，尷尬的是現在市場上的大部分產品都需要高精度產品
