臺積電的極紫雕刻工藝和中科院突破的深紫光雕刻技術有什麼差別?

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18年11月,中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”通過驗收。


但是,光電所自己說了,我們光電所的光刻機適合加工一系列納米功能器件,包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、和超表面成像器件。

什麼意思了,就是我們的這個光刻機可以對物體表面進行精密光刻了,但這並不是芯片製造人們理解的光刻技術。

光電所的人給的解釋很適中,

其實,中科院光電技術研究所的這項技術就是表面等離子體超分辨光刻,也叫surface plasma,我們也把其稱之為表面等離子超衍射光刻,這是最近十幾年興起的新技術。這種光刻的工作原理是入射光照射在透鏡表面的小探針上,從而激發產生plasma,產生波長非常短的等離子體,然後在光刻膠上刻出非常小的圖形。(借用國外一家研究所的圖片)

且從上圖就可以看到LWR粗糙,歪歪斜斜,圖像保真度非常低,目前只能作為技術驗證,不能作為真實生產,更不要說量產可能了。

和我們熟悉的半導體集成電路完全無關,無法應用在集成電路領域,SP光刻技術對於集成電路的光刻需求不適用。

國外使用SP光刻技術做的效果,明顯好於中科院,這一技術並非中國首創,國外有很多實驗室也做出了成品驗證機,效果還優於中科院,甚至都達不到國際領先的程度。

最大的缺點是由於SP光刻聚焦的面積非常小,屬於接觸式光刻,一點點的defect缺陷就會造成成像品質的問題,屬於直寫式光刻,所以生產效率很低,只能作為E beam光刻一種補充,適用於特殊應用。

中科院光電技術研究所研究SP最大的意義,在於為中國發展高分辨、低成本、高效、大面積納米光學光刻技術提供重要方法和技術思路,社會應當支持並贊同這種創新!

由此,至少在目前為止,中科院的22納米分辨率光刻機跟ASML用於芯片技術光刻機其實是兩碼事!

至於未來,誰知道會發展成什麼樣?科學就是科學,並不能靠猜測來實現!


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