在前天開幕的三星Tech Day會議上，三星不僅宣佈了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧的3D TLC閃存以及QLC閃存，其中TLC閃存陣容擴大，多款新品性能提升，容量最大可達30.72TB，而QLC閃存無疑是下一步的重點，除了1Tb核心的還會有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消費級的QLC硬盤860 QVO、980 OVO也確定了，不過規格沒公佈。
Anandtech網站詳細介紹了三星SSD產品路線圖的變化，首先來看TLC閃存方面的。
TLC閃存創新高
目前64層堆棧3D TLC閃存的970 EVO、PM981將會被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量沒變化，依然是250GB到2TB，主要提升在連續寫入方面，不過PM981a的隨機性能也明顯提升了可以達到970 EVO及970 EVO Plus的水平。
用於數據中心SSD市場的PM983將被PM983a取代，容量翻倍，最高可達16TB，可能只有NF1、U2規格，也沒有使用SLC緩存，這使得寫入速度會比消費級硬盤更低，不過性能依然是有提升的。
PM991將取代NVMe BGA封裝的PM971a硬盤，隨機性能翻倍，連續讀寫速度提升了50%。
企業級SAS產品線中，PM1643將會被PM1643a取代，整體變化不大，主要是隨機寫入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。
最高端的企業級NVMe硬盤升級了新主控及新閃存，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不過3.5GB/s，新的PM1733硬盤可達8GB/s，最大容量也達到了SAS產品線同級別的30.72TB。此外，PM1733還支持雙口PCIe，為高可靠性用戶帶來了更多的選擇。
QLC閃存新增512Gb核心顆粒，860 QVO、980 QVO確認
在說具體的QLC產品之前，Anandtch解釋了三星的MLC/TLC/QLC硬盤的命名規則，企業級/OEM產品線中，MLC閃存用SM開頭，TLC閃存用PM開頭，QLC閃存用BM開頭。
在SSD產品中，企業級SAS產品線新增BM1653新品，NVMe產品線新增BM9A3、BM1733產品線，客戶端NVMe新增BM991產品線，不過三星並沒有公佈這些QLC硬盤的具體規格。
消費級QLC硬盤中，三星會推出SATA接口的860 QVO、NVMe標準的980 QVO，這些產品在OEM中找不到，因此可以認為是零售市場的新品，不過具體規格還是沒公佈，發售計劃也沒有提及。
此外，三星在2019年Q2季度還會推出512Gb核心容量的QLC閃存，雖然容量比現在的1Tb QLC閃存小了，但是延遲降低了37%，功耗降低了45%，這還是三星用它跟別家1Tb核心QLC閃存對比的，如果對比三星自家的1Tb核心QLC閃存，差距只會更大。
三星第二代Z-SSD
三星面向低延遲SSD市場的Z-SSD系列中還會增加第二代產品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明顯比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及雙口PCIe，因此連續速度可達12GB/s，不過最重要的隨機性能沒有提及。
三星還提到二代Z-SSD會有MLC版本，但Anandtech又說這些產品還是SLC版本。
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