日前，存儲芯片大廠三星正式宣佈已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
眾所周知，目前全球主要的3D NAND Flash 大廠，包括三星、SK 海力士、東芝、美光等，都已經量產了64層堆疊的3D NAND Flash，不少已經開始更高的72層、96層甚至128層堆疊的3D NAND Flash上取得了進展。
而現在，隨著採用96層堆疊、單Die 32GB容量的三星第五代V-NAND閃存芯片的大規模量產，使得三星在閃存技術成功領先競爭對手兩年的時間。
相比之下，目前國產存儲廠商在3D NAND領域仍處於起步階段。紫光旗下的長江存儲的32層3D NAND Flash還今年下半年才開始小規模量產，2019年64層128G 3D NAND Flash儲器才會進入規模研發的階段。與三星之間的差距可謂是非常之大。
與此同時，三星為了進一步鞏固其領先的優勢，還將進一步加大投入。據韓國產業鏈的消息人士透露，三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預計是64億美元，2019年更是會提高到90億美元。而這些投入首先是用於提高3D閃存的產能，包括位於平澤市和中國西安市的工廠，其次是先進技術。
雖然與一線存儲廠商存在著非常大的差距，不過紫光也在奮力追趕。此前趙偉國就曾表示，紫光要成為比肩英特爾、三星的半導體巨頭，首先就需要在資金投入上與三巨頭站到同一起跑線。而這三家巨頭每年在芯片上的投資額都是超越100億美金的。
於是紫光計劃10年內在芯片製造領域投資超1000億美元，目前已經籌資1800億人民幣。
與此同時，紫光正在和重慶政府、國家大基金髮起紫光國芯集成電路股份有限公司（以下簡稱“國芯集成”），註冊資本1000億人民幣，註冊地重慶。希望通過1000億公司合計籌資1900億。
趙偉國表示，這個1900億加上之前已籌集的1800億，就已經有了3700億（約552.6億美元），足夠紫光五年的彈藥。
所以從資金投入上來看，紫光確實將趕上三星在NAND Flash閃存上的資本支出。但這只是推動紫光縮小與三星等存儲大廠之間差距的一個重要條件，而技術上的差距並不是直接投入更多資金就能夠快速追趕上來的。
更為值得一提的是，根據IC Insights分析，從三星未來的資本支出方向來看，三星將會進一步釋放產能，而未來幾年，SK海力士、美光、Intel、東芝、西數/閃迪等都表態將擴NAND Flash存產能，由此可能會出現供應過剩的風險。而這對於以長江存儲為代表的即將量產的國產存儲廠商來說，可能不是一個好消息。三星等龍頭大廠，未來可能將會通過價格戰來阻撓國產存儲廠商的發展。
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