根據外媒消息，西部數據公司日前宣佈，已成功開發了其第五代3D NAND技術BiCS5，並藉此繼續保持其在業界提供先進閃存技術方面的領導地位。
BiCS5技術為西部數據與鎧俠株式會社（KIOXIA）共同開發——後者的前身為東芝存儲器株式會社，於2019年10月1日起正式更名。與上一代（BiCS4，96層堆棧）相比，BiCS5技術能夠實現更高層數的堆棧——112層。這意味著BiCS5技術能夠帶來更高的閃存密度。
基於BiCS5技術的產品主要有TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）兩種類型，以更優的成本，提供了可觀的容量、性能和可靠性。這使得它成為解決互聯網汽車、移動設備和人工智能相關的數據存儲問題的理想選擇。
西部數據已經開始生產512 Gb BiCS5 TLC存儲芯片，預計到2020年下半年，BiCS5 SSD的商業產量將達到可觀的水平，後續該公司將陸續提供更多容量選擇。
3D NAND層數年年增加，提高密度降低成本
就像機械硬盤提高容量密度主要靠增加碟數一樣，增加堆棧的層數，也是NAND閃存提高密度的主要手段。事實上，西部數據並不是第一個實現堆棧層數破百的廠商。在2019年，SK海力士、三星都已先後實現了128層3D NAND技術，並開始逐步量產——這可能是目前業界已知的最高層數。
據業內人士預測，隨著技術的升級，96層3D NAND將在2020年成為英特爾、三星、東芝/西部數據、美光、SK海力士等原廠的主要發力點，很有可能實現大規模普及，並逐步取代64層3DNAND。而向更高堆疊層數的追求也將在2020年繼續進行，英特爾甚至將在今年推出144層QLC NAND。
從2013年24層3D NAND的推出，到如今的128層，堆疊層數的增長引發了業內的各種預測。2019年5月在上海舉辦的GSA MEMERY＋論壇上，三星曾公開表示，預計在未來5年內，3D NAND堆疊層數將達到500層，10年內將可達到1000層。
閃存價格走勢並不明朗
堆疊層數的提高，毫無疑問將實現容量的提高以及單位成本的降低，也會在很大程度上對NAND閃存的價格產生影響。長期來看，閃存降價似乎是必然的。但短期內，閃存價格走勢仍然不明朗——因為產品的定價往往受到多方面因素的影響。
消費類NAND Flash綜合價格指數走勢圖
來源：中國閃存市場網 www.chinaflashmarket.com，數據截止至2019年12月27日
以2019年NAND閃存市場行情走勢為例，上半年和下半年呈現出完全不一樣的走向。據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，2019上半年NAND 閃存價格持續下跌，一直延續到6月底。而下半年則經歷了2次漲價，如今基本已漲回到2019年初的價位，部分閃存產品價格更是創歷史高點。
同時值得注意的是，雖然2019年下半年NAND閃存價格有所回彈，但原廠的利潤依然在同比下滑。例如，三星2019年Q4初步預計營收額為59兆韓元，同比下降0.5%，營業利潤為7.1兆韓元，同比下降34.26%；美光2020財年Q1營收51.4億美元，同比下滑35%，淨利潤為4.91億美元，同比下滑85%。由此可見，NAND閃存的價格可能已臨近“谷底”。
站在整個產業角度上來看，隨著5G、AI等技術的進一步發展，特別是2020年5G應用的鋪開，市場對於數據存儲的需求將持續拔高。原廠可能會由此提升產能，再加上96層3D NAND技術的大範圍普及，我們可以大膽預測，2020年閃存價格可能會有所下跌，但總體來說，這種下跌也許不會太明顯。
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