三星今天宣布，它正在扩大与ARM的合作，采用7nm和5nm FinFET工艺技术开发下一代ARM内核，将推动移动计算的界限超越3GHz标志。
三星与ARM的合作是重大新闻
三星半导体部门Samsung Foundry将提供7LPP（7nm低功率Plus）和5LPE（5nm低功耗早期）工艺技术，这些技术将与ARM的Artisan物理IP平台配合使用，以开发下一代ARM Cortex内核。克服了Cortex-A76，即将推出的ARM产品将打破3GHz计算速度的障碍。
“构建广泛且差异化的设计生态系统是我们代工厂客户的必备条件。在推动IP解决方案领域与Arm合作对于提高高性能计算能力和加速人工智能（AI）和机器学习能力的发展至关重要，“三星铸造营销团队副总裁Ryan Sanghyun Lee表示。
三星公司涉及的业务十分庞大，手机业务只是其中很小一部分
三星的7nm LPP技术将在2018年上半年进入生产的初始阶段，而基于EUV（极紫外）光刻工艺技术的7nm +芯片的生产将在2019年上半年投入生产。后者是打印实际芯片电路的先进方法，据称将用于生产用于2019年iPhone系列的Apple A13芯片。
至于ARM即将推出的产品，Cortex-A76采用了该公司的DynamIQ技术，并利用big.LITTLE芯片架构在移动设备上提供笔记本电脑级性能，这得益于更高的效率和更高的每线程性能。此外，还期望提供优异的电池寿命，以在更长时间的密集任务期间提供持续的高性能。
5奈米技术世界上仅有少数几家公司可以生产
据称Cortex-A76的功率效率提高了约40％，性能比其前身Cortex-A75提高了35％。然而，无论是三星还是ARM，都没有透露任何有关第一批Cortex-A76供电设备何时上市的信息。
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