无线充电SoC方案：不只高集成和节省元器件，还需要高性能和高效率

劲芯微电子从2013年推出国内第一颗无线充电芯片以来，一直推动和领导无线充电技术发展。这次劲芯微电子更是一次推出3颗无线充电SoC系列芯片，应用覆盖了无线充电的全场景。

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多年来无线充电发射方案多采用MCU + 分立元器件架构， 由于外围器件太多，造成采购和物料管理成本高，生产效率和良品率低。再加上如运算放大器等器件鱼龙混杂，假货居多，严重影响了产品品质，因而市场对专为无线充电设计的SoC（单芯片系统）的期待由来已久。尽管劲芯微电子2013年推出的CV90312T就已经集成了解码、运放、PWM和MOS驱动等组件， 但由于当时功率工艺缺乏多次擦写的程序存储器件，不得不把MCU留在外面， 组成双芯片的方案（早前IDT以及现在市场上部分外置EEPROM的方案，都属于双芯片方案）。

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此次劲芯微推出的高集成SoC发射芯片，集成度高，外围只需MOS和阻容器件。为什么没有把MOS集成进芯片，是因为外置MOS是更优的方案。1）外置MOS管选择较多，使配置更加灵活；2）外置MOS散热更好，温度更低，使得处理困扰无线充电高温问题相对容易，也相应减少了散热处理成本。

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劲芯微高集成SoC发射芯片方案展示如下：

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CV90328 定频调压方案（7.5W/10W/15W EPP)系统及Demo

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CV90328 定频移相双线圈Demo

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CV90326 定频移相方案（7.5W/10W）Demo

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劲芯微CV90326 Vs IDT P9237 效率对比测试（5W模式）

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环境温度28度条件下测试iPhoneX充电。板上最高温度：39.8度（电感），CV90326芯片最高温度31.8度。

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根据上图的温度实测指标来看，CV90326的高效率有利于减少TX系统的发热量，对于目前无线充电应用中的发热问题导致充电慢用户体验差的痛点来说，无疑是最佳的解决方案。

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作为无线充电2.0时代的高集成Tx SoC芯片, 减少外围器件以及成本低固然是其主要特点，但如果不能够提升性能与效率则无疑使得SoC成为伪概念。劲芯微此次推出的无线充电SoC系列芯片把无线充电效率提升到一个新的高度，使系统发热更少，散热处理成本更低，最终提高充电速度，提升用户体验。

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