3 月 21 日，三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網上發佈消息，該公司正式宣佈，首次開發了第三代 10nm 級（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器）。
自開始批量生產第二代 10nm 級 8Gb DDR4 以來僅僅 16 個月，就得到了突破性進展，開發出 1z-nm 8Gb DDR4，不再使用 Extreme Ultra-Violet（EUV）技術，突破了 DRAM 存儲器擴展的極限。
三星電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jung-Bae-Lee 表示：“我們致力於突破技術領域的最大挑戰，推動實現更大的創新。很高興能再次為穩定生產下一代 DRAM奠 定基礎，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出 10nm 級別的製程工藝（1z-nm）的 DRAM 系列產品。未來，三星將繼續致力於支持其全球客戶部署尖端系統，並推動高端內存市場的增長，為重要目標。”
上面多次提到的 DRAM，中文名叫動態隨機存取存儲器，這是一種隨機存取的半導體存儲記憶器，它將每一位數據存儲在集成電路內的單獨的微小電容器中。DRAM 的主要作用原理，是利用電容內儲存電荷的比特值，代表一個二進制位元（bit）是1還是0。
由於在現實中，電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此，DRAM 是存儲芯片當中的必需品。這種產品的必要性和技術性，是非常高的，也是存儲器行業中最值得關注的點。
DRAM 廣泛用於需要低成本和高容量存儲器的數字電子設備中。最典型的是在 RAM 中內置。與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在 DRAM 中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備，沒有長期的記憶保存。
據悉，三星開發的 10nm 級別的（1z-nm）DRAM，將為整個行業的技術改進做出了巨大的貢獻，也為下一代 DRAM 接口（如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6）過渡鋪平了道路，這些接口將推動未來的數字創新。
