美光終於擁有自己的高性能NVMe固態硬盤了。美光自有英睿達品牌長期依靠傳統SATA接口產品，在P1/P2兩款QLC閃存入門NVMe盤之後，高端定位的P5正式亮相，提供3400/3000 MB/s的順序讀寫效能。
從性能指標來看，P5在當今高端NVMe固態硬盤中並沒有任何特別之處，雖然提到了全盤硬件加密，但並未提供TCG Opal或IEEE1667的支持情況。從250GB到2TB容量的標稱寫入耐久度指標為150TBW到1200TBW，保修期均為5年。
和過去一樣，美光並未公開英睿達P5所用的主控和閃存類型，這給人帶來了大量的想象空間。不過從有限的圖片和數據資料當中小編能夠猜測一二。下圖中通過邊緣能夠隱約看到主控的體積，根據美光的傳統，小編認為主控能是慧榮SM2262EN或Marvell 88SS1092/1093中的一個，由於主控表面沒有看到慧榮常見的金屬覆蓋層，所以使用Marvell的可能性更大一些。另外閃存照片中DRAM緩存下方的正方形芯片也是慧榮公版方案中沒有的，更增加了使用非慧榮主控的可能性。
在官網照片當中能夠看到P5所用的閃存編號：NW969，這是一個FBGA代碼。
根據美光FBGA and Component Marking Decoder系統，可以查詢到它對應的零件號是MT29F4T08EQLCEG8-R:C。有些媒體看到"QLC"三個字母就打開腦洞，說這是QLC閃存了，大錯特錯！
其實美光官網上有NAND閃存的零件號含義PDF，雖然年代比較老（最新的是2016年版），但還是能夠從中查詢到很多信息。MT29F代表美光NAND閃存，4T代表容量為4096Gb（512GB，說明照片裡那張P5如果單面佈局的話就是1TB版本的），08代表8比特位寬。
重點來了：08後邊的字母E代表MLC-3，也就是TLC閃存。使用QLC的英睿達P2閃存顆粒這一位是G，也就是2016年版表格裡沒有的MLC-4（QLC閃存）。
至於出現在零件號裡的QLC三個字母分別代表什麼呢？分開來看，"Q"代表8die封裝（說明單die容量是512Gb），4CE；"L"代表Vcc電壓3.3V，Vccq電壓3.3/1.8V；"C"代表3rd set of device features。編號裡出現QLC組合只是一個巧合，其實只要動動腦子都會知道，TLC閃存並沒有在編號裡體現"TLC"字樣。
以上就是PCEVA對英睿達P5主控和閃存的分析猜測，具體結果還是需要等到有實際產品拆解照片才能確認。
