美光终于拥有自己的高性能NVMe固态硬盘了。美光自有英睿达品牌长期依靠传统SATA接口产品，在P1/P2两款QLC闪存入门NVMe盘之后，高端定位的P5正式亮相，提供3400/3000 MB/s的顺序读写效能。
从性能指标来看，P5在当今高端NVMe固态硬盘中并没有任何特别之处，虽然提到了全盘硬件加密，但并未提供TCG Opal或IEEE1667的支持情况。从250GB到2TB容量的标称写入耐久度指标为150TBW到1200TBW，保修期均为5年。
和过去一样，美光并未公开英睿达P5所用的主控和闪存类型，这给人带来了大量的想象空间。不过从有限的图片和数据资料当中小编能够猜测一二。下图中通过边缘能够隐约看到主控的体积，根据美光的传统，小编认为主控能是慧荣SM2262EN或Marvell 88SS1092/1093中的一个，由于主控表面没有看到慧荣常见的金属覆盖层，所以使用Marvell的可能性更大一些。另外闪存照片中DRAM缓存下方的正方形芯片也是慧荣公版方案中没有的，更增加了使用非慧荣主控的可能性。
在官网照片当中能够看到P5所用的闪存编号：NW969，这是一个FBGA代码。
根据美光FBGA and Component Marking Decoder系统，可以查询到它对应的零件号是MT29F4T08EQLCEG8-R:C。有些媒体看到"QLC"三个字母就打开脑洞，说这是QLC闪存了，大错特错！
其实美光官网上有NAND闪存的零件号含义PDF，虽然年代比较老（最新的是2016年版），但还是能够从中查询到很多信息。MT29F代表美光NAND闪存，4T代表容量为4096Gb（512GB，说明照片里那张P5如果单面布局的话就是1TB版本的），08代表8比特位宽。
重点来了：08后边的字母E代表MLC-3，也就是TLC闪存。使用QLC的英睿达P2闪存颗粒这一位是G，也就是2016年版表格里没有的MLC-4（QLC闪存）。
至于出现在零件号里的QLC三个字母分别代表什么呢？分开来看，"Q"代表8die封装（说明单die容量是512Gb），4CE；"L"代表Vcc电压3.3V，Vccq电压3.3/1.8V；"C"代表3rd set of device features。编号里出现QLC组合只是一个巧合，其实只要动动脑子都会知道，TLC闪存并没有在编号里体现"TLC"字样。
以上就是PCEVA对英睿达P5主控和闪存的分析猜测，具体结果还是需要等到有实际产品拆解照片才能确认。
