直播（今天下午14:00準時開始）：電子電路遠程實境實驗
來源：中時電子報（臺）
臺積電21日發佈108年度年報，在先進製程及先進封裝等技術研發上已有明顯突破。今年除了5納米進入量產、3納米持續研發外，臺積電今年會加快2納米研發速度。另外，臺積電看好整合型扇出（InFO）等先進封裝保持強勁成長，今年投入包括系統整合芯片（SoIC）等3D先進封裝技術開發，以提供業界系統級解決方案。
臺積電董事長劉德音及總裁魏哲家在年報中也聯名發佈致股東報告書，提及臺積電去年達成許多里程碑，儘管面臨國際間貿易緊張局勢所帶來業務上的逆風，年度營收依舊連續10年創下紀錄。臺積電今年在先進製程持續往5納米及3納米推進，3D先進封裝技術能提供業界系統級解決方案，期待5G相關及高效能運算（HPC）應用的發展，將會在未來幾年帶動臺積電先進技術的強勁需求。
臺積電去年晶圓出貨量達1,010萬片12吋晶圓，16納米及以下更先進製程的銷售金額佔整體晶圓銷售金額的50％，提供272種不同的製程技術併為499個客戶生產10,761種不同產品，在晶圓代工市場佔有率提升至52％。
此外，臺積電去年持續增加研發費用，達到29.6億美元的歷史新高，延續技術上的領導地位。臺積電指出，去年5納米制程（N5）進入試產並在今年進入量產，臺積電指出，雖然半導體產業逼近矽晶的物理極限，N5製程仍遵循摩爾定律，3納米（N3）製程技術大幅提升芯片密度及降低功耗並維持相同的芯片效能，去年的研發著重於基礎製程制定、良率提升、晶體管及導線效能改善以及可靠性評估，今年將持續進行N3製程技術的全面開發。
臺積電去年領先半導體產業進行2納米（N2）製程技術的研發，在關鍵的光刻技術上開始進行N2以下技術開發的先期準備。年報中指出，N5技術已經順利移轉，針對N3技術的開發，EUV光刻技術展現優異的光學能力與符合預期的芯片良率。臺積電今年將在N2及更先進製程上將著重於改善EUV技術的品質與成本。
展望未來，劉德音及魏哲家認為，5G網絡在通訊上帶來的顯著進展，將開啟許多不同類型的終端連結裝置間嶄新的應用模式，並且驅動數據量呈指數成長。數位運算如今已逐漸變得無所不在，同時需要大量的運算能力，期待5G相關及HPC應用的發展，將會在未來幾年帶動臺積電先進技術的強勁需求。
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