争霸3nm工艺,台积电3nm 2021年试产,三星能否抓住机会赶超

欧界报道:

尽管2020年因为疫情的原因,全球各行各业都受到了一定的冲击,整个半导体行业也受到牵连,表现都不容乐观,工厂无法正常复工复产,业绩出现下滑,但业内巨头台积电的表现依然十分强劲,业绩不降反升。

不得不说的是,在半导体行业,这几年台积电的发展势头越来越猛,在发展先进制程工艺的道路上,台积电的表现愈发亮眼,目前其已经成功掌握了7nm制程工艺技术,本月5nm制程工艺技术也已经开始进行量产,在近日的财报会上,台积电还首次正式公布3nm制程工艺的相关情况。

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按照最初的计划,台积电是打算于4月29日在美国举行的技术论坛上公布台积电3nm制程工艺的相关情况,不过因为疫情的原因这一技术论坛会议已经延期至8月份举行,所以台积电才会在财报会上披露3nm工艺的相关信息。台积电表示3nm制程工艺的发展并未受到疫情影响,研发符合预期情况,预计明年将进入风险试产阶段,2020年下半年实现量产。

据了解,台积电的3nm制程工艺会首发FinFET晶体管技术,因为该工艺在成本和能效方面的表现比其它技术路线更出色。根据以往台积电订单的抢手程度来看,台积电3nm制程工艺问世后,估计又能够迎来一大批订单。

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芯片的研发还是有难度的,台积电能一步步朝着更先进制程工艺的道路上前进也表明了其自身的实力,要知道很多巨头在进军10nm制程工艺时就因为技术难度太大放弃了,就连Intel也迟迟停留在14nm制程工艺阶段,今年才会陆续发布10nm制程工艺产品,可见台积电的发展速度有多快。

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台积电虽然实力强劲,但也不能掉以轻心,因为三星正在紧追台积电的步伐,目前也在布局3nm制程工艺,希望借助3nm制程工艺打一场漂亮的翻身仗,为此三星3nm制程工艺在进度和技术上的选择都比较激进,其直接采用GAA环绕栅极晶体管,和7nmFinFET工艺相比,3nm制程工艺芯片能耗降低50%,性能提升30%,按照此前的规划,明年三星将实现3nm制程工艺量产,然而如今受疫情影响,3nm量产也有可能会延后,这也表明台积电和三星之间将暗潮汹涌,不知道谁能够率先首发3nm制程工艺?你觉得三星、台积电谁能够在3nm制程工艺的道路上领跑?

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