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隨著市場的火熱，市面上各種UVC LED應用產品應運而生，其中不乏以次充好，往往同等級別UVC LED產品，實質使用效果卻是千差萬別。歸根到底，是封裝設計和封裝工藝的差異。
- 現有封裝技術的痛點
（1）光萃取效率不高
（2）光窗材料透過率不高
（3）反射材料的 性能不高
（4）低成本小角度產品光學結構困難
（5）不同散熱方式對封裝要求不同（冷凝水）
- 決定紫外發光二極管的封裝技術的因素
應用端的需求（光譜、發光角度、壽命要求、使用環境等）
上游的限制（光子能量、芯片結構、芯片工作氛圍要求等）
封裝設備的開發和利用（激光封焊設備）
封裝工藝的發掘（全無機封裝）
應用解決方案的需要
封裝材料的限制（透光率、抗紫外性能、老化性能、熱膨脹性能）
在UV裡面封裝材料有非常大的限制，特別對UVC部分，無論是透光的，反光的，抗UV性能的，熱膨脹係數的材料，可選範圍很小，比如說透光材料，只能選擇石英。反射材料，原有的鍍金工藝、鍍銀工藝，幾乎在UV LED裡已經不太適應。雖然UVC封裝使用鍍金工藝，但鍍金工藝的反射性能很差。
- 熱量管理，提高UVC LED壽命的關鍵
像任何電子元器件一樣，UVC LED對熱敏感。
UVC LED的外量子效率（EQE）較低，在輸入的功率中，大約只有1-3％被轉換成光，而剩餘的97％左右則基本被轉換成熱量。此時，如果不將熱量快速去除，保持LED芯片低於其最大工作溫度，將直接影響芯片的使用壽命，甚至不能使用。可以說，熱管理是提高UVC LED使用壽命的關鍵。
說到封裝環節上的熱管理，離不開兩個方面，一是材料，二是工藝。
材料方面，經過多年的發展，目前市面上UVC LED基本以倒裝芯片搭配高導熱氮化鋁基板的方案為主。氮化鋁（AIN）具有優異的導熱性（140W/mK-170W/ mK），能耐紫外線光源本身的老化，滿足UVC LED高熱管理的需求。
工藝方面，目前市場上存在幾種固晶方式。第一種是採用銀漿，這種方式結合力雖然不錯，但容易造成銀遷移，導致器件失效。第二種是採用錫膏焊接，這種方式由於錫膏熔點只有220度左右，在器件貼片後，再次過爐會出現再融現象，芯片容易脫落失效，影響UVC LED可靠性。因此，市面上多數採用的是第三種固晶方式：採用金錫共晶焊。與前兩種固晶方式相比，其主要通過助焊劑進行共晶焊接，能有效提升芯片與基板的結合強度，導熱率，更為可靠，有利於UVC LED的品質管控。
既然市面上UVC LED封裝的材料和固晶工藝大多一樣，為什麼熱管理的效果卻相差那麼大呢？
焊接空洞率簡單來說指的是LED芯片與基板焊接過程中，由於工藝等影響，導致部分區域無法焊接上，形成的缺陷，在外形上呈現為空洞的狀態，是影響散熱的重要指標。
相關數據表明：在0到480小時內，空洞率對光功率維持率的影響基本沒有太大的變化；但從480小時後，UVC LED（空洞率9％）的光功率維持率與UVC LED（空洞率18％）相比，差距較明顯。4000小時，高空洞率UVC LED光功率維持率只剩60％左右，而低空洞率UVC LED光功率維持率降幅較低，4000小時仍維持在80％左右。因此，焊接空洞率越低，散熱效果越好，產品壽命越長，品質越好。
- 紫外發光二極管封裝技術發展方向
（1）新型光學結構
（2）新型透光材料的研發及使用
（3）新型反射材料及工藝的研發
（4）高效率低成本非球面石英、玻璃透鏡
（5）風冷方式對封裝提出新的要求
（6）更短波段真空封裝
（7）熱量管理
（8）極限增透
（9）特殊功能模組化封裝
