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随着市场的火热，市面上各种UVC LED应用产品应运而生，其中不乏以次充好，往往同等级别UVC LED产品，实质使用效果却是千差万别。归根到底，是封装设计和封装工艺的差异。
- 现有封装技术的痛点
（1）光萃取效率不高
（2）光窗材料透过率不高
（3）反射材料的 性能不高
（4）低成本小角度产品光学结构困难
（5）不同散热方式对封装要求不同（冷凝水）
- 决定紫外发光二极管的封装技术的因素
应用端的需求（光谱、发光角度、寿命要求、使用环境等）
上游的限制（光子能量、芯片结构、芯片工作氛围要求等）
封装设备的开发和利用（激光封焊设备）
封装工艺的发掘（全无机封装）
应用解决方案的需要
封装材料的限制（透光率、抗紫外性能、老化性能、热膨胀性能）
在UV里面封装材料有非常大的限制，特别对UVC部分，无论是透光的，反光的，抗UV性能的，热膨胀系数的材料，可选范围很小，比如说透光材料，只能选择石英。反射材料，原有的镀金工艺、镀银工艺，几乎在UV LED里已经不太适应。虽然UVC封装使用镀金工艺，但镀金工艺的反射性能很差。
- 热量管理，提高UVC LED寿命的关键
像任何电子元器件一样，UVC LED对热敏感。
UVC LED的外量子效率（EQE）较低，在输入的功率中，大约只有1-3％被转换成光，而剩余的97％左右则基本被转换成热量。此时，如果不将热量快速去除，保持LED芯片低于其最大工作温度，将直接影响芯片的使用寿命，甚至不能使用。可以说，热管理是提高UVC LED使用寿命的关键。
说到封装环节上的热管理，离不开两个方面，一是材料，二是工艺。
材料方面，经过多年的发展，目前市面上UVC LED基本以倒装芯片搭配高导热氮化铝基板的方案为主。氮化铝（AIN）具有优异的导热性（140W/mK-170W/ mK），能耐紫外线光源本身的老化，满足UVC LED高热管理的需求。
工艺方面，目前市场上存在几种固晶方式。第一种是采用银浆，这种方式结合力虽然不错，但容易造成银迁移，导致器件失效。第二种是采用锡膏焊接，这种方式由于锡膏熔点只有220度左右，在器件贴片后，再次过炉会出现再融现象，芯片容易脱落失效，影响UVC LED可靠性。因此，市面上多数采用的是第三种固晶方式：采用金锡共晶焊。与前两种固晶方式相比，其主要通过助焊剂进行共晶焊接，能有效提升芯片与基板的结合强度，导热率，更为可靠，有利于UVC LED的品质管控。
既然市面上UVC LED封装的材料和固晶工艺大多一样，为什么热管理的效果却相差那么大呢？
焊接空洞率简单来说指的是LED芯片与基板焊接过程中，由于工艺等影响，导致部分区域无法焊接上，形成的缺陷，在外形上呈现为空洞的状态，是影响散热的重要指标。
相关数据表明：在0到480小时内，空洞率对光功率维持率的影响基本没有太大的变化；但从480小时后，UVC LED（空洞率9％）的光功率维持率与UVC LED（空洞率18％）相比，差距较明显。4000小时，高空洞率UVC LED光功率维持率只剩60％左右，而低空洞率UVC LED光功率维持率降幅较低，4000小时仍维持在80％左右。因此，焊接空洞率越低，散热效果越好，产品寿命越长，品质越好。
- 紫外发光二极管封装技术发展方向
（1）新型光学结构
（2）新型透光材料的研发及使用
（3）新型反射材料及工艺的研发
（4）高效率低成本非球面石英、玻璃透镜
（5）风冷方式对封装提出新的要求
（6）更短波段真空封装
（7）热量管理
（8）极限增透
（9）特殊功能模组化封装
