台积电首次公开3nm制程:基于FinFET工艺,2021年试产

虽然疫情已经在全球肆虐,同时几乎所有的行业受到了牵连,但是在半导体制造领域,台积电的营收和利润却是节节攀升。而在最新发布的台积电财报中,台积电也首次公布了3nm制程工艺的详情,称台积电计划在2021年开始试产3nm工艺,同时希望能够在2022年正式量产3nm制程。

台积电首次公开3nm制程:基于FinFET工艺,2021年试产

台积电已经宣布原定于4月29日举办的技术论坛上公布3nm制程工艺的详情,然而受疫情影响,本次技术会议将会被延期至8月份,因此台积电才选择在第一季度的财报上公布3nm制程的部分消息。台积电表示目前3nm制程工艺的进展比较顺利,同时台积电希望能够在2021年实施3nm制程的风险试产,而在2022年下半年正式量产全新的3nm制程工艺。

而在材料选择上,台积电认为目前的FinFET技术可以使用在3nm制程工艺上,因此仍然将采用这个成熟的工艺,而作为台积电在晶圆代工领域最大的对手,三星也将宝押在了3nm制程上,将直接使用GAA环绕栅极晶体管,据三星的说法,和目前的7nm制程工艺相比,全新的3nm工艺性能能够提升30%,而功耗则降低50%。当然即使到现在大家还尚不清楚究竟什么时候才是半导体工艺的极限,有人称3nm或许就是在目前科技下半导体的极限。



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