海特高新:公司在3月底发布了5G基站用氮化镓制造技术

同花顺(300033)金融研究中心4月8日讯,有投资者向海特高新(002023)提问, 万总您好!请问今年5G基站GaN-On-SiC射频芯片量产能否取得较大进展?运行商是否仍难于接受该芯片较高的成本?谢谢!

公司回答表示,公司在3月底发布了5G基站用氮化镓制造技术。设备制造商从4G基站开始就在采用氮化镓功放来替代硅基LDMOS功放。


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