此前有报道称，中芯国际（SMIC）将于今年第四季度开始小规模生产相当于 7nm 的 N+1 制程芯片。这一消息不仅在国内引发了广泛关注，也吸引了西方科技媒体的注意，下面是一篇来自WCCFTech的相关报道。
中芯国际的 7nm 制程芯片将于 2020 年第四季度投产
据中芯国际联席 CEO 梁孟松博士介绍，中芯国际的 N+1 7nm 工艺将在目前的 14nm 工艺基础上进行多种改进，包括性能提高 20% 、逻辑电路面积缩小 63% 以及 SoC 芯片面积降低 55% 等。
WCCFTech称，中芯国际目前落后于三星和台积电，但其正在迎头赶上 —— 该企业刚刚宣布将会冲击 7nm 工艺，而中芯国际的竞争对手将在 2020 年底前开始量产 5nm 芯片。而中芯国际现有的 14nm 工艺仅占其总营收的 1% ，却满足了中国 95% 的国内需求。中芯国际的 N+1 制程芯片生产开始后，性能更强的 N+2 制程芯片也将紧随其后，据说 N+2 在总体功耗方面与 N+1 相似，但对 N+2 的改进将使其拥有更强的性能。
截至目前，尚无关于中芯国际 N+1 制程芯片何时开始量产的消息。尽管其宣布在 2020 年第四季度可以实现 N+1 芯片的小量产出，这一时间比预期的要早，但其现在仍未确定任何的潜在客户。此外，中芯国际用于 7nm 工艺的准备费用将达到 31 亿美元，该费用已经超过了公司的年度营收，而其中的 25 亿美元将用于设备更新（20 亿美元用于中芯国际在上海的 12 寸晶圆厂，5 亿美元用于其在北京的晶圆厂）。
根据当前情况，中芯国际似乎不会对三星或台积电构成迫在眉睫的威胁，但WCCFTech认为看看中芯国际的 7nm 工艺与其竞争对手相比表现如何将是一件有趣的事，而考虑到中芯国际的 14nm 工艺仅占其总营收的 1% ，企业或许需要大幅扩大其客户基础以证明其在 7nm 工艺上的巨额支出是合理的。台积电已经开始使用 EUV 极紫外光刻技术生产其第二代 7nm 制程工艺，而中芯国际则表示其 N+1 和 N+2 工艺都不会使用这一技术。
这里值得注意的是，WCCFTech以及许多媒体都说中芯国际宣布将生产 7nm 芯片，但也有一些观点指出此为误传，因为中芯国际使用的官方代号为 N+1，而梁孟松博士在财政年度报告中的表述也并未提及 7nm 。
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