mos管，金属氧化物半导体，也称场效应晶体管。mos管有三个极，分别是栅极（G极），源极（D极），漏极（S极），是一种电压控制型器件，通过控制G极来控制器件的导通截止。
mos管分为Nmos管和Pmos管，两种在驱动上有着不同的方式，主要是由于两者的构造存在着差异。Nmos管的驱动方式是在GS极上施加正电压，即VGS>0V,同时当电压超过开启电压，即VGS>VGS(on)>0V管子就开始导通，而Pmos管则相反，在GS极施加负电压，当VGS<0V 一般mos管的开启电压在器件的数据手册都有标出，基本上有两个电压，分别为VGS=4.5V或VGS=10，这两个电压造成的不同就是mos管在开启后其内阻不同，VGS越高，其对应的内阻RDS也就相对于越低，简单的说就是电压越高，驱动能力越强，打开通道越彻底，内阻也就越低了，但是该电压值也不是无限高，一般不超过±20V。 通过上面的简单介绍，其实对于mos管的选型也就有相应的了解了，mos管在选择的时候，最基本的就是看VGS（开启电压），RDS（导通内阻），ID（允许通过电流），VDS（耐压）。 从上图可以看出，mos管的电压是施加在DS极，通过控制VGS，来使DS导通，流过电流，因此，器件本身的内阻就显得很重要了，如果内阻太大，则可以通过P=I^2R算出其本省的损耗非常高，这个损耗通过热的形式来散发，因此器件就会非常热，最后超过耐温造成损坏。所以在通过电流很大的时候就会选用内阻非常小的器件来使用。一般这几个参数值在器件的数据手册都是可以很明显的看到。 
在应用的时候，mos管通常需要在GS极之间加下拉电阻。
加上这个电阻的原因是因为mos管的极与极之间存在这一个寄生电容，这个电容会导致没工作的时候G极处于悬空不定态，而当有静电的时候，或者给DS施加电压，会给寄生电容进行充电，若没有下拉电阻来释放能量，则会导致G极电压升高，当此时在G极施加电压时，容易造成损坏。加上下拉电阻后则可以通过电阻到地形成回路对能量进行示范，保护管子。
同时由于电容的存在，在使用时，由于会先给电容进行充电，所以实际上会存在一个电压，叫做平台电压，此时，mos管会进入一个放大区，管子会不断发热，最后造成损坏，所以在控制G极的时候，驱动电流也不能太小，当电流大的时候，可以加快电容充电时间，这样管子处于放大状态也就相对减少，管子发热也就降低。在关断的时候也是同样的情况，所以用示波器测量mos管的输出波形，就会得到如上图的一个波形。
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