概要
公司是國內功率半導體器件領軍者，並涉足泛文化業務領域，半導體業務經營穩健不受商譽減值的影響。公司主要產品為功率晶閘管、IGBT模塊等功率器件，且其通過收購彼岸春天開展泛文化業務。因泛文化業務出現業績下滑，公司計劃進行大額商譽減值並幾乎可以全部減值完成。未來公司業績大幅下滑的風險也將進一步減弱。
下游需求拉動功率半導體器件市場規模不斷增加，國內IGBT市場規模快速增長，公司將深度受益產業發展。根據Yole，全球功率半導體器件市場規模到2023年有望達到221.5億美元。同時在下游應用拉動下，中國2020年IGBT市場需求將達到30億美元。公司晶閘管和模塊產品市場份額國內領先，已建成大功率IGBT 模塊封測線且IGBT 模塊產銷量不斷擴大，未來將深度受益產業發展。
公司持續拓展IGBT產品，並佈局第三代半導體功率器件產品。公司利用募投項目拓展高功率密度、高性能應用的IGBT 模塊產品且計劃新建的封測線還兼容MOSFET和第三代半導體功率器件的研發生產，為公司培育業績增長新動力。
一、公司概況
臺基股份是大功率器件行業領軍者。自1966年建廠以來，公司一直專注於大功率晶閘管及模塊的研發、製造、銷售及相關服務。公司也是國內大功率半導體器件領域為數不多的掌握前道（擴散）技術、中道（芯片製成）技術、後道（封裝測試）技術，並掌握大功率半導體器件設計、製造核心技術並形成規模化生產的企業。
半導體產品以及泛文化業務是公司兩大業務。其中晶閘管是公司最主要的收入來源，營業收入自2015年1.14億元增長到2018年1.80億元，佔總營業收入43.02%，1H19該項業務營收佔比為49.68%。同時公司2016年收購彼岸春天，進軍文化產業。2018年公司文化產業收入達1.63億元，佔公司營業總收入38.89%，1H19營收佔比為32.92%。
二、營收情況
公司2015-2018業績穩步增長，2019Q3營收與利潤均有所下滑，但是公司19Q3的銷售毛利率與淨利率均有所增長。公司營收在2015/2016/2017年分別為1.66/ 2.42/2.79億元。2018年，公司營業總收入大幅增長至4.18億元，增速高達50%。公司2019Q3營收為2.75億元，同比下滑2.13%。公司歸母淨利潤2015/2016/2017年分別為0.29/0.39/0.53億元，2018年達到0.86億元,同比增長60.63%。公司2019年前三季度歸母淨利潤為0.73億元，同比下滑2.66%。公司2019年前三季度營收與歸母淨利潤均有所下滑主要是受公司文化產業業務影響所導致，其半導體業務收入仍然保持穩步增長。在毛利率方面，由於2018年公司文化產業毛利率下滑至34.82%，拉低公司毛整體利率下滑至35.73%。但是由於公司晶閘管業務，模塊與其他業務穩步發力，公司整體毛利率2019Q3恢復增長，增至41.16%。
其最大的收入來源半導體產品晶閘管的毛利率在2015-2018年穩步增長，分別為39.39%/39.00%/42.86% /44.05%。隨著下游新能源領域需求發酵和第三代半導體日趨成熟，公司半導體業務盈利能力預計將進一步提升。
受泛文化業務虧損以及計提商譽減值準備的影響，公司預計其2019年全年歸母淨利潤虧損2.1億元。根據公司2019年業績預告，影視文化政策監管趨緊，行業整體波動較大，子公司北京彼岸春天影視有限公司業務受到較大影響，愛奇藝定製的網絡劇《明月曾照江東寒》未能按計劃完成，無法在2019年報告期內確認收入，導致公司泛文化業務收入大幅下降，利潤出現虧損。結合公司泛文化業務的實際經營情況及行業政策變化等影響，公司因收購北京彼岸春天影視有限公司存在大額計提商譽減值準備的跡象，預計本期計提商譽減值準備金額為2.83億元左右，公司2019年歸母淨利潤將受此影響出現虧損。但是公司功率半導體業務正常穩健開展，未受本次商譽減值的影響。
在本次大額商譽減值完成後，公司因收購彼岸春天所產生的商譽也幾乎全部減值完成，未來公司業績產生大幅下滑的風險將會進一步減弱。自2016年溢價17倍收購彼岸春天，臺基股份因此產生了約3.53億元商譽。對此，臺基股份在2017和2018年只進行了小額的商譽減值，共計0.65億元（剩餘2.88億元）。此次公司判斷因收購北京彼岸春天存在大額計提商譽減值準備的跡象，預計本期（2019年）計提2.83億元左右的減值準備。在本次減值之後，公司因收購彼岸春天所產生的商譽減值也幾乎可以全部減值完成，公司未來業績產生大幅下滑的風險也會進一步減弱。
公司對外投資與日本半導體廠商建立合資企業，進一步開發日本等海外市場。公司使用自有資金出資2000 萬日元與株式會社Power MTECH、森三郎、山口共同投資設立合資公司日本國際PS 股份有限公司，其中公司佔日本PS 公司33.33%的股權。公司在日本市場已有多年的穩定銷售記錄，但產品品類單一，體量較小。通過此次對外投資，公司通過與有數十年的功率半導體產業經驗的日本團隊的合作，有助於公司開發達到國際標準要求的產品，能進一步提升公司產品品質、技術及服務要求從而可以爭取更多的市場份額進一步開拓日本等海外市場。同時，公司通過日本PS 公司的建立與運營，可以進一步積累國際化運作經驗。
三、功率半導體應用廣泛，國內企業機遇挑戰並存
1.功率半導體用途廣闊，國產替代空間廣闊
功率半導體器件是電力電子技術的核心，應用領域廣泛。它實現了電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經濟的運行，而且將能源與信息高度地集成在一起，主要用於電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能（功率）處理的核心器件，弱電控制與強電運行間的橋樑。不同工作頻率下的功率半導體可以應用於不同領域，主要包括在、輸電、變電和配電行業，電機驅動行業，鋼鐵及金屬冶煉行業，大功率電源行業以及汽車行業等等。
功率半導體器件種類繁多，其中MOSFET，功率二極管和IGBT是市場主流。在功率半導體行業中，功率IC以及功率器件革各佔總體市場的半壁江山。在“功率模塊+器件”市場結構中，MOSFET、二極管/整流橋、IGBT佔據了接近一半的市場份額，比例分別17％、15％、12％
功率半導體器件市場規模巨大，並且增速可觀。綜合Yole、IHS多家分析機構數據，包含功率模塊及功率分立器件在內的功率半導體器件在2017年的全球市場規模為181.5億美元，2018年可達到187.6億美元，並預估2023年全球功率半導體器件市場規模有望達到221.5億美元規模，年複合增長率為3.38％。其中，中國大陸功率半導體器件市場規模約為全球的40％，並且保持持續增長。
2.IGBT應用廣泛，下游多產業拉動需求增長
IGBT性能優越，應用市場廣闊。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由MOS（絕緣柵型場效應管）和BJT（雙極型三極管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT 既有MOSFET 器件驅動功率小和開關速度快的特點，又兼具雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點，適合應用於直流電壓600V 及以上的變流系統，如馬達驅動、變頻器、開關電源、照明節能控制等。在實際應用中，通常所說的IGBT 多指代IGBT 模塊，即由IGBT 與FWD 芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能環保、安裝方便、散熱穩定等特點。相比分立器件，模塊化器件能有效提升功率器件價值，功率器件模塊化使得器件體積更小，功能更強大，相應產品價值會更高。IGBT也是工業控制及自動化領域的核心元器件，其技術相比傳統功率器件技術先進，優勢明顯。
IGBT市場增速迅猛，國內市場規模增速高於全球。在傳統工業控制及電源行業支撐下，隨著變頻器進入新能源領域的拉動，電焊機市場的持續升溫，IGBT 下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發電等領域發展迅速，未來IGBT 市場將繼續保持穩定增長勢頭。根據半導體行業觀察，2015年國際IGBT市場規模約為48億美元，預計到2020年市場規模可以達到80億美元，CAGR約10%。而2015年國內IGBT銷售額是15億美元，預計2020年中國IGBT市場規模將達到30億美元，CAGR約為15%，國內IGBT市場規模增速快於全球。
IGBT模塊是新能源汽車電機控制系統中負責能源轉換與傳輸的核心功率半導體器件。IGBT佔據新能源汽車電控系統價值的41%。同時IGBT模塊佔電動汽車成本將近10%，佔充電樁成本約20%。它能夠提高新能源汽車電機用電效率和質量，因而新能源汽車用IGBT 模塊市場需求較大。新能源汽車市場升溫拉動IGBT市場需求。根據中汽協發佈的產銷數據，2018 年，中國新能源汽車產量及銷量分別為127萬輛和125.6 萬輛，同比分別增長59.9%和61.7%，產量及銷量連續三年位居全球第一。
隨著國家對新能源汽車產業鼓勵政策的推出，新能源車呈現未來長期向好的趨勢。預計到2020 年，中國新能源汽車有望達到200 萬輛以上的產量，對應2017-2020 年新能源汽車產量每年平均40%的增速。同時每個新能源汽車將需要不低於1 個IGBT 模塊。以中國市場為例，2020 年，新能源汽車產量200 萬輛，則國內新能源汽車市場每年容量將超過200 萬個IGBT 模塊，而全球新能源汽車市場將會有更大的市場容量。隨著新能源汽車替代率逐步上升，將持續拉動IGBT 模塊市場的需求。
直流充電樁和機車（高鐵）新能源發電領域對IGBT模塊的需求量也較大。IGBT約佔直流充電樁材料成本的30％。而電力機車一般需要500個IGBT 模塊，動車組需要超過100 個IGBT 模塊，一節地鐵需要50－80 個IGBT 模塊。IGBT 模塊作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件，新能源發電行業的迅速發展將成為IGBT 模塊行業持續增長的又一動力。新能源發電主要以光伏發電和風力發電為代表。
根據國家能源局數據顯示，2017 年，我國光伏發電裝機容量繼續保持快速增長，新增裝機53.06GW，連續五年位居世界第一，同比增長53.6%。根據中國能源局官網，截至2019 年6 月，中國風電裝機193GW，佔總裝機容量的10.5%，光伏裝機136GW，佔總裝機容量的7.4%。由於新能源發電輸出的電能不符合電網要求，需通過光伏逆變器或風力發電逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網要求的交流電後輸入併網
綜上，下游多個產業將使得IGBT需求進一步提升。
IGBT芯片市場中，英飛凌、三菱與富士電機優勢明顯。國際廠商起步早，研發投入大，形成了較高的專利壁壘。我國在中高端IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口。英飛凌、三菱和富士電機等外資廠商佔有顯著優勢，其中英飛凌在2017年市場份額佔比達到22.4%，位列全球第一。國內廠商目前尚存在一定差距，尤其在中高壓IGBT 領域差距較大。近年來，國內IGBT 產業在政策推動、資金支持及市場牽引下發展迅速，不少國內功率器件廠商紛紛佈局IGBT 領域，部分廠商已形成較為完整的生產線，並已經初步具備量產能力。
公司也加速IGBT產品批量持續供貨，實現了電焊機和變頻器領域銷量和收入較快增長。臺基海德產業基金引入IGBT設計技術團隊，設立了IGBT項目公司浦巒半導體，加速公司在IGBT市場的佈局。
3.MOSFET 市場穩步增長，中高壓產品國產替代空間較大
MOSFET廣泛應用於新能源汽車領域。MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），簡稱金氧半場效晶體管，是一種適用於模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effecttransistor）。MOSFET可以應用於汽車的剎車系統、引擎管理、動力轉向系統及其它小型馬達控制電路，同時其也是汽車充電的核心，被稱為新能源汽車充電樁的“心臟”。未來隨著電動汽車的不斷滲透，MOSFET 的需求量將日益攀升。
全球MOSFET 的市場規模正在穩步增長。根據Yole 統計，2016 年全球MOSFET 市場規模為60 億美元，預計至2022 年全球MOSFET 的市場規模將達到75 億美元，其中中國MOSFET 市場規模有望超過25 億美元。
MOSFET的高端市場幾乎都集中在英飛凌、安森美等國際大廠手中，該領域未來國產化替代空間較大。公司加速佈局中高壓MOSFET研發。英飛凌自2015年收購美國國際整流器公司（International Rectifier）後超越富士電機一躍成為行業龍頭；安森美也在2016年9月完成對仙童半導體的收購後，市佔率躍升至第二位。此外，MOSFET 目前仍然以硅材料為主，未來以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料有望逐漸向MOSFET 領域進行滲透，同時加速國產替代的進程。
公司計劃利用募投項目所新建設的月產4萬隻IGBT模塊封測線，同樣兼容MOSFET生產，並且也兼容月產1.5萬隻SiC等寬禁帶半導體功率器件封測項目。
4.第三代寬禁帶半導體性能優異，國內廠商機遇挑戰並存
第三代功率半導體材料相比傳統半導體材料有更好的性能與廣泛的應用場景。隨著功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發展，傳統的硅基功率半導體器件及其材料已經接近物理極限，再往下發展的空間很有限。而以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代化合物半導體材料又存在成本高、有毒性、環境汙染大等缺點。第三代寬禁帶半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），以其高溫下的穩定性、高效的光電轉化能力、低損耗等絕對優勢，應用場景覆蓋廣泛，包括消費電子設備、照明、新能源汽車、風力發電機、工業發動機甚至導彈和衛星等，未來有望全面取代傳統半導體材料。
中國企業在第三代半導體市場中份額較低，目前我國積極促進第三代半導體材料、器件與應用技術的開發和產業化。在GaN方面，目前我國企業在芯片製造等環節中湧現出大量優秀企業，有望進一步擴大我國在GaN市場佔有率。在SiC方面，我國SiC肖特基二極管產業化程度繼續提升，SiC功率模塊技術也逐步發展。公司抓住時機，跟蹤和研發以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導體材料和器件技術，通過持續技術創新以及聘請的具有資深經驗的外籍團隊和與國內外知名高等院校合作的方式，積極嫁接行業資源，實現公司產業升級，培育公司新的增長點。公司計劃利用募投項目新建的IGBT封測線，將兼容MOSFET、第三代寬禁帶半導體功率器件生產。
四、聚焦新型功率器件，國產替代來日可期
1.功率器件技術先進，募投項目提升核心競爭力
公司IGBT模塊封測的關鍵技術和產品指標已經處於行業先進水平。公司IGBT產品一直重點發展IGBT 模塊，通過自主研發和外部引進雙輪驅動。公司引入在IGBT設計及工藝方面領先的團隊，發展壯大公司的IGBT板塊，並持有浦巒半導體公司40%的股份，成為浦巒第二大股東。浦巒半導體主要進行IGBT 芯片及模塊的研發、設計、生產和銷售，以設計代工的輕資產模式運營，主要面對工控行業客戶，在IGBT生產領域經驗豐富。目前公司已經掌握了工業級IGBT 模塊的封測技術，具有完全自主的知識產權；並且現已建成大功率IGBT 模塊封測線，產品電流規格在50A至200A之間，電壓規格在600V至1,700V 之間，封裝能力可以達到5 萬塊/月，IGBT模塊產銷量與覆蓋領域都不斷增強。
公司還計劃利用募投項目進一步投入為新型高功率半導體器件研究。據公司2019年8月公告，公司通過定向增發的方式，募集資金總額達7億元擬投入新型高功率半導體器件產業升級項目。具體包括：（1）月產4萬隻IGBT模塊（兼容MOSFET等）封測線，兼容月產1.5萬隻SiC等寬禁帶半導體功率器件封測項目；（2）月產6,500只高功率半導體脈衝功率開關（又稱“固態脈衝開關”）生產線建設項目；（3）晶圓線改擴建項目，該生產線將同時兼容6,500V以上高壓晶閘管芯片生產；（4）新型高功率半導體研發中心和營銷中心建設項目。本次新型高功率半導體器件產業升級項目達產後年均銷售收入（不含稅）可以達到7.98億元，年均稅後利潤為1.44億元，所得稅後內部收益率為28.8%，所得稅後靜態投資回收期為5 年（含建設期）。公司進一步利用募投項目拓展高功率密度、高性能應用的IGBT 模塊產品，技術規格將升級到2,000A/4,500V，產品將主要應用於高壓變頻、智能電網和新能源汽車等領域。同時，該封測線將兼容MOSFET、SiC 等半導體功率器件的生產，有助於公司進一步豐富產品結構、拓寬收入來源，增強各業務板塊間的協同效應。
2.泛文化業務計提商譽減值，功率半導體業務穩健開展
泛文化產業業務業績下滑，公司2019年報告期將計提商譽減值且其因收購產生的商譽將幾乎全部減值完成。公司在減值完成後，其業績大幅下滑的風險也將進一步減弱。同時功率半導體業務仍正常穩健開展，不受商譽價值的影響。公司2016年收購彼岸春天100%股權，進軍文化產業。彼岸春天致力於高品質娛樂產品的開發和互聯網影視內容製作，主營互聯網影視製作、娛樂產品推廣營銷以及影視投資、製作等業務。近年隨著影視文化政策監管趨緊，行業整體波動較大，彼岸春天影視有限公司業務受到較大影響，公司計劃將進行大額商譽減值。愛奇藝定製的網絡劇《明月曾照江東寒》未能按計劃完成，無法在2019年報告期內確認收入，導致公司泛文化業務收入大幅下降。公司2016年收購彼岸春天形成商譽3.53億元。同時，彼岸春天2016-2018年實現淨利潤與承諾淨利潤分別為0.32/0.22/0.45億元和0.30/0.39/0.51億元，業績承諾完成率分別為106.82%/55.27%/88.34%，未完成業績承諾。結合公司泛文化業務的實際經營情況及行業政策變化等影響，公司對因收購北京彼岸春天存在大額計提商譽進行減值測試，對可能發生資產減值損失的資產計提減值準備。截止到19Q3商譽減值比例達18.41%，商譽剩餘2.88億元，仍存在減值空間。而公司發佈2019年業績預告稱，預計本期計提商譽減值準備金額為2.83億元左右，其因收購產生的商譽將幾乎全部減值完成。
公司功率半導體業務需求旺盛，前景廣闊，仍會正常穩健開展，不受商譽減值的影響。
五、盈利預測
預計公司未來幾年維持穩定成長。考慮2020年功率半導體景氣度企穩提升，國產替代加速，我們預計公司未來三年2019/2020/2021收入增速-1.82%/20.25%/23.88%，毛利率36.18%/40.31%/39.80%。預計2019-2021 年公司歸母淨利潤為-2.11、1.41、1.69億元，EPS 分別為-0.99、0.66、0.80元
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