長鑫進展喜人，大陸DRAM鉅艦已起航
長鑫是國家戰略級DRAM項目，是大陸首家DRAMIDM廠商，從2017年建廠到2019年9月正式投產，僅花費了短短三年時間。從研發實力看，長鑫已招攬了來自多個全球頂級大廠的相關人才，構建自身研發團隊，並已收穫奇夢達（Qimonda）大量內存專利，融入自身研發體系，進一步助力DRAM關鍵技術開發。從技術路徑看，長鑫採用與三星等大廠相同的主流堆電容DRAM技術，將有利於未來技術升級。從廠區規劃看，長鑫計劃建設三個工廠，一期工廠總設計產能為12萬片/月，是目前已經量產的廠區，計劃於2020年擴產到4萬片/月產能，二期工廠預計將於2020年開始規劃建設。
長鑫量產打破壟斷，大陸DRAM迎來自制曙光
DRAM是存儲最大細分市場，佔存儲市場規模的比例高達58%，大陸是全球DRAM最大市場，佔全球DRAM市場的比例為43%，但自給率幾乎為零。大陸DRAM市場呈現“大市場+低自給率”的特徵，國產替化勢在必行，長鑫量產帶來大陸DRAM自制曙光。長鑫定位利基型動態隨機存取內存（Specialty DRAM），下游應用主要包括TV、低端手機、網絡設備、ADSL和PC周邊產品，佔全球DRAM市場規模的10%左右，其中中國佔20-30%。該市場長期被臺灣、韓國和美國壟斷，臺灣南亞科技、臺灣華邦電子、美國美光、韓國三星全球市佔率依次為39%、18%、14%、13%，位列前四名，合計佔有84%的市場規模，長鑫打破壟斷，將首先保障國內需求。按照規劃，長鑫將於2019年年末、2020、2021、2022年分別達到2萬片/月、4萬片/月、8萬片/月、12萬片/月產能，按此估算，佔全球DRAM產能的比例將分別達到2%、3%、6%和8%，在2020-2021年將有望滿足國內Specialty DRAM需求。在先進製程上，長鑫目前量產產品為19nm，屬於先進1Xnm階段，同時已跳過18nm加緊研發17nm製程，有望於2020-2021年推出，逐漸縮短與三大原廠差距。
產業鏈充分受益，看好大陸龍頭企業發展
長鑫大規模投產將拉動包括設備、封測、材料、設計各環節發展，國內產業鏈優質公司將有望迎來發展良機。
1）設備先行。從成本構成看，光刻、檢測、幹法刻蝕是成本最高的三個工藝，佔比分別為26%、16%、8%。光刻和檢測設備均被國外廠商壟斷，大陸中微和北創在刻蝕設備領域佔有一席之地。
2）封測環節。長鑫主要聚焦設計和製造環節，封測外包，將有效拉動封測廠商發展。存儲器封測廠商包括臺灣力成、華東、南茂科技、新加坡UTAC、韓國Hana Micro等，大陸廠商包括深科技、太極實業、通富微電。
3）材料環節。硅片、電子氣體、光掩模市場規模最大，佔半導體材料的比例依次為37%、13%和12%，其他材料包括拋光材料、光刻膠、靶材等，國外廠商佔據絕大部分市場份額，大陸優質公司如特殊氣體公司華特氣體、IC載板公司深南電路和興森科技、江豐電子（靶材）、硅產業（硅片，擬科創板上市）等。
4）設計環節。長鑫作為大陸唯一具備DRAM製造的廠商，將為DRAM設計廠商提供產能保障，相互拉動成長。以大陸存儲器設計龍頭兆易創新為例，兆易和長鑫的產品定位不同的領域，兆易主要針對消費電子、工控和汽車，長鑫主要是手機、電腦和服務器的大客戶，兆易負責設計，長鑫負責代工，長鑫的產品也可通過兆易的渠道進行銷售。
投資建議
長鑫大規模投產勢必將拉動包括設備、封測、材料、設計等環節發展。我們推薦各環節領先企業，包括設計商兆易創新、封測商通富微電，建議關注設備商北方華創、中微公司，設計商瀾起科技、北京君正，封測商深科技、太極實業、華天科技，材料商深南電路（IC載板）、華特氣體（特殊氣體）和江豐電子（靶材）等。
風險提示
技術和下游需求不及預期、中美貿易摩擦加劇、專利等帶來的長鑫擴產進度不及預期的風險
分享到:
閱讀更多 信息早報 的文章
