日前，VishayIntertechnology, Inc. （NYSE 股市代號：VSH）宣佈，推出新款 6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8 單體封裝的 ---SiR680ADP，它是 80 V TrenchFET® 第四代 n 溝道功率 MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP 專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 MOSFET 的重要優值係數（FOM）為 129 m*nC，達到同類產品最佳水平。
日前發佈的器件 10 V 條件下導通電阻典型值降至 2.35 mΩ，超低柵極電荷僅為 55 nC，COSS 為 614 pF。這些改進後的技術規格，經過調校最大限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款 MOSFET 的導通電阻與柵極電荷乘積優值係數（FOM）比緊隨其後的競爭產品低 12.2 %，比前代器件低 22.5 %，使其成為典型 48 V 輸入，12 V 輸出 DC/DC 轉換器最高效的解決方案。
SiR680ADP 可作為模塊用於各種 DC/DC 和 AC/DC 轉換應用，如同步整流、原邊開關、降壓 - 升壓轉換器，諧振迴路開關轉換器以及系統 OR-ing 功能，適用於電信和數據中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。
新款 MOSFET 經過 100 % RG 和 UIS 測試，符合 RoHS 標準，無鹵素。
SiR680ADP 現可提供樣品並已實現量產，供貨週期為 12 周。
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