日前，VishayIntertechnology, Inc. （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款 6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8 单体封装的 ---SiR680ADP，它是 80 V TrenchFET® 第四代 n 沟道功率 MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP 专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 MOSFET 的重要优值系数（FOM）为 129 m*nC，达到同类产品最佳水平。
日前发布的器件 10 V 条件下导通电阻典型值降至 2.35 mΩ，超低栅极电荷仅为 55 nC，COSS 为 614 pF。这些改进后的技术规格，经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗，从而提高能效。这款 MOSFET 的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）比紧随其后的竞争产品低 12.2 %，比前代器件低 22.5 %，使其成为典型 48 V 输入，12 V 输出 DC/DC 转换器最高效的解决方案。
SiR680ADP 可作为模块用于各种 DC/DC 和 AC/DC 转换应用，如同步整流、原边开关、降压 - 升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统 OR-ing 功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
新款 MOSFET 经过 100 % RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。
SiR680ADP 现可提供样品并已实现量产，供货周期为 12 周。
分享到:
閱讀更多 與非網 的文章
