意法半導體推出可提高光伏發電逆變器效率 1200V耐壓功率元件

意法半導體公司(STMicroelectronics)12月1日發佈了光伏發電逆變器(PCS)用的1200V耐壓新型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

1200V耐壓的新型絕緣柵雙極晶體管封裝外觀。

該IGBT為進一步降低通態電壓,減少開關損耗,提高了溝槽柵場終止結構水平。由此可大幅提高逆變器的堅固性和轉換效率。

通過優化導通特性和斷路特性,並降低開關側發生的斷路損耗,使之成了最適合硬開關電路(可直接切斷及導通直流電的開關)的絕緣柵雙極晶體管。因能使切斷電路時的超電勢最小化及消除振盪,因此不僅可減少電力損失,還可簡化電路設計。

工作溫度範圍比原有產品高,最高可達175℃。在150℃下工作時的耐短路時間為10微秒(μs:百萬分之1秒)。

目前該產品已經開始量產,支持40A的“STGW40M120DF3”等3個品種採用TO-247封裝,“STGWA40M120DF3”等3個品種採用長導線型TO-247封裝。STGW15M120DF3的單價為,批量購買1000個時大約2.80美元。

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日經BP社


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