過去一年，存儲產業併購、建廠、擴產、投產動作不斷，哪些廠商的佈局令你印象深刻？不妨跟著全球半導體觀察的腳步，一同回顧2018年存儲產業大事件。
Part 1、收購篇
Synopsys收購Kilopass
2018年1月11日，全球頂先的EDA和IP供應商Synopsys以非公開的價格收購了非易失性內存IP供應商Kilopass，通過收購繼續構建其龐大的知識產權組合。
Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可編程非易失性存儲器IP的先驅，收購將進一步完善其公司汽車、物聯網、工業和移動應用的現有非易失存儲器IP產品組合。Kilopass IP將支持其現有DesignWare的非易失性存儲器IP一次性和多次可編程，支持在180 nm至7 nm工藝技術中實現高達4 Mbit的一次性可編程實例。
兆易創新併購思立微
2018年1月30日晚間，北京兆易創新科技股份有限公司發佈《發行股份及支付現金購買資產並募集配套資金預案（摘要）》公告，公告表示，兆易創新擬通過發行股份及支付現金的方式購買上海思立微電子科技有限公司100%股權。
兆易創新目前是中國大陸領先的閃存芯片設計企業。思立微全名為上海思立微電子科技有限公司，於2011 年1月27日在上海成立，公司主營業務為智能移動終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發與銷售，主要產品為電容觸控芯片及指紋識別芯片，產品主要應用於手機及平板電腦。
貝恩資本收購東芝存儲
2018年6月初，全球領先的存儲解決方案提供商希捷科技公司宣佈與貝恩資本為首的財團投資者完成了對東芝存儲公司（Toshiba Memory Corporation）的收購，希捷出資12.7億美元。這項收購計劃此前就曾宣佈，並特意為此次收購計劃組建了名為K.K.Pangea的新公司。
在2017年，在貝恩資本所牽頭財團收購東芝芯片業務的交易計劃中，希捷科技公司表示將貢獻12.5億美元。關於被收購的事情，東芝表示，已簽署協議將芯片業務以180億美元價格出售給貝恩資本牽頭的財團。東芝一直在努力籌措資金，以避免被摘牌的命運。除希捷外，貝恩資本財團中還包括蘋果、韓國芯片商SK海力士、戴爾和金士頓。
聯電併購三重富士通半導體
2018年6月29日，聯電與富士通半導體有限公司共同宣佈，聯電將購買與富士通半導體所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部股權，交易金額不超過576.3億日元。為聯電進一步建立多元化量產12英寸廠之生產基地。
三重富士通半導體（MIFS）前身為富士通股份有限公司三重工廠，自1984年開始運營以來，作為最先端存儲器等產品的研發、量產據點，助力富士通半導體快速發展。如今，MIFS是日本為數不多的300mm晶圓代工廠之一，B1廠採用90nm工藝，B2廠初始採用65nm工藝，2016年初開始40nm商用生產，2016年下半年40nm正式進入量產階段。
美光併購與英特爾合資的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣佈，將收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。
美光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份，並預計將在明年1月1日行使購買選擇權後6至12個月完成交易。該公司CFO戴夫·金斯納（Dave Zinsner）在會議上表示，美光科技將通過自由現金流支付收購款項。
猶他州工廠不僅距離該公司愛達荷州的總部很近，而且是全世界唯一可以生產3D XPoint技術的工廠。這種非揮發性存儲可以提升存儲性能，還能降低服務器的存儲成本。
Part 2 建廠、擴產、投產篇
江蘇時代芯存相變存儲器工廠啟動運營
2018年3月底，總投資130億元的江蘇時代芯存半導體有限公司用時9個月實現廠房封頂，歷時1年22天投入使用，同時完成所有設備採購，首臺設備進廠。這標誌著淮安已成為大陸地級市中唯一同時擁有兩個12英寸高水準項目（另一個為德淮半導體項目）的地區。項目全面建成後將達到年產10萬片12英寸相變存儲器的產能，年可實現銷售45億元，利稅3億元，淮安將成為大陸集成電路產業發展的重要增長極。
東芝建新廠增產3D NAND
東芝旗下半導體事業子公司“東芝存儲器(TMC)”2018年5月宣佈，因3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中長期需求料將呈現擴大，因此為了擴增3D NAND Flash產能，決定將在2018年7月於巖手縣北上市著手興建新工廠，該座北上新廠廠房預計將在2019年完工。
TMC指出，上述北上新廠將採用耐震結構、最新的省能源製造設備，且將導入活用人工智能(AI)的生產系統，提升生產效能、改善良率。
東芝與西數合資廠量產96層3D NAND
日本存儲器大廠東芝存儲器與西數（Western Digital）2018年9月19日宣佈，共同在日本三重縣四日市的6號晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。該廠為新設先進半導體制造廠區，並設有存儲器研發中心（Memory R&D Center）。
東芝存儲器是自2017年2月開始興建6號晶圓廠，為生產3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產廠區。東芝存儲器與西數已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關鍵生產製程開始部署先進製造設備，新廠已經在9月初開始量產新一代96層3D NAND Flash。
三星西安NAND工廠3月底啟動擴產
2018年3月，三星宣佈，三星位於西安的NAND工廠3月底啟動擴產。三星未來三年將斥資70億美元，擴大西安廠區NAND Flash產能，西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。這是三星去年宣佈增產DRAM之後，再次在存儲器芯片領域砸下重金擴產，為全球存儲器市場再次投下一顆震撼彈。
美光新加坡第三座3D NAND工廠動工
2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工廠動工，該新工廠是美光Fab 10擴建的第三期工程，佔地165,000平方米，預計會在2019年中完工，在2019年第四季度投產。工廠的量產還需要幾個季度的時間，因此預計大量的3D NAND存儲器將在2020年底之前產出。目前，美光在新加坡有兩座300mm 3D NAND工廠，分別Fab 10N和Fab 10X。 這些工廠目前生產美光的NAND Flash的大部分份額。
英特爾大連廠2期投產
繼2015年宣佈其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之後，英特爾2018年5月宣佈已經正式投產。未來，主要將生產96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競爭對手的市佔率。
SK海力士開建第7座工廠
2018年12月，SK Hynix正式開工建設第7座半導體工廠──M16廠，總投資不低於15萬億韓元（約133億美元）。雖然還沒確定最終生產NAND Flash還是DRAM，但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的EUV光刻技術。
此外，在2018年10月份，SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建，已正式進入量產，且該工廠是2015年SK Hynix宣佈將斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。
M15工廠位於韓國清州市，投資額高達15萬億韓元，以生產3D NAND Flash為主，初期以生產現在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開始，就會轉到96層堆疊的3D NAND Flash上。
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