2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。
2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。<strong>NAND Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。
受到供应商扩产计划调整的影响，尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%的位元产出，而64/72层的产出占比则超过50%。供应商制程推进的放缓将导致2019年NAND Flash位元成长仅约38%，相比2018年逾45%的水平明显下降。
<strong>观察各供应商产能调整，三星持续减产2D NAND产能，加上92层制程会消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约35%。由于三星全球市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大。
<strong>2018年全球半导体厂商收入三星稳居第一
2019年1月7日，Gartner关于全球半导体厂商2018年收入的数据公开之后，三星电子以15.9%的市场份额，继续稳住了全球半导体产业中厂商年收入排名第一的地位。
在2018年全球半导体厂商收入表现中，存储芯片占半导体总营收的比重也在逐渐提升，从2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比更为突出了。
由此，我们看到在2018年，存储半导体的营收增长了27.2%，占据了半导体市场近35%的份额。Gartner表示，这是因为DRAM内存的平均价格在去年大部分时间里都在稳步上涨。虽然2018年继续在2017年确立的内存增长基础上不断发展，但内存驱动的整体收益只是2017年增长率的一半。
<strong>况且更严峻的是相比之下，由于供应过剩，NAND闪存2018年的平均售价在降低。随着SSD采用率和智能手机内容的增加，其营收还是增长了6.5%。
<strong>诸多原厂将面临庞大的库存压力
<strong>SK海力士、东芝/西数分别有M15以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率或低于预期。SK海力士和东芝/西数原先位元产出成长率预估值分别约为50%与40%水平。
<strong>美光的新加坡新厂2020年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；美光曾在财报中预估2019年DRAM产业bit产出量增长20%，NAND产业bit产出量增长35%-40%。NAND Flash和DRAM供应增加是导致价格下滑的主因。
英特尔除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划。美光与英特尔阵营2019年整体位元产出成长接近40%水平，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。
<strong>台积电大约占据全球晶圆代工市场60%的份额。在3nm节点上，台积电曾表示将投资200亿美元左右建3nm圆晶厂，预计到2022年才会量产3nm制程技术。
<strong>三星已投资56亿美元新建晶圆厂，计划2019下半年开始量产7nm以下制程技术，并推进3nm工艺，将在2020年大规模量产，届时有望赶超台积电，提高市场竞争力。
<strong>从2019年NAND Flash价格走势来看，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。
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