2018年NAND Flash市場經歷全年供過於求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色，預計產能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。
2018年因供過於求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。<strong>NAND Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續下滑約2%，總支出規模約為220億美元。
受到供應商擴產計劃調整的影響，儘管各供應商已於2018年第四季起量產92/96層3D NAND，但直至2019年底將僅佔約32%的位元產出，而64/72層的產出佔比則超過50%。供應商製程推進的放緩將導致2019年NAND Flash位元成長僅約38%，相比2018年逾45%的水平明顯下降。
<strong>觀察各供應商產能調整，三星持續減產2D NAND產能，加上92層製程會消耗更多的廠房空間，2019年運轉產能將較2018年底下調，位元產出成長率降至約35%。由於三星全球市佔率約3成，三星位元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大。
<strong>2018年全球半導體廠商收入三星穩居第一
2019年1月7日，Gartner關於全球半導體廠商2018年收入的數據公開之後，三星電子以15.9%的市場份額，繼續穩住了全球半導體產業中廠商年收入排名第一的地位。
在2018年全球半導體廠商收入表現中，存儲芯片佔半導體總營收的比重也在逐漸提升，從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，佔比更為突出了。
由此，我們看到在2018年，存儲半導體的營收增長了27.2%，佔據了半導體市場近35%的份額。Gartner表示，這是因為DRAM內存的平均價格在去年大部分時間裡都在穩步上漲。雖然2018年繼續在2017年確立的內存增長基礎上不斷髮展，但內存驅動的整體收益只是2017年增長率的一半。
<strong>況且更嚴峻的是相比之下，由於供應過剩，NAND閃存2018年的平均售價在降低。隨著SSD採用率和智能手機內容的增加，其營收還是增長了6.5%。
<strong>諸多原廠將面臨龐大的庫存壓力
<strong>SK海力士、東芝/西數分別有M15以及Fab 6的新廠擴建，但同樣受到減產計劃或轉產舊制程的影響，產出年成長率或低於預期。SK海力士和東芝/西數原先位元產出成長率預估值分別約為50%與40%水平。
<strong>美光的新加坡新廠2020年才正式量產，因此全年產能幾乎維持不變；美光曾在財報中預估2019年DRAM產業bit產出量增長20%，NAND產業bit產出量增長35%-40%。NAND Flash和DRAM供應增加是導致價格下滑的主因。
英特爾除了填滿大連廠產能，並無宣佈其他擴產規劃。美光與英特爾陣營2019年整體位元產出成長接近40%水平，相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。
<strong>臺積電大約佔據全球晶圓代工市場60%的份額。在3nm節點上，臺積電曾表示將投資200億美元左右建3nm圓晶廠，預計到2022年才會量產3nm製程技術。
<strong>三星已投資56億美元新建晶圓廠，計劃2019下半年開始量產7nm以下製程技術，並推進3nm工藝，將在2020年大規模量產，屆時有望趕超臺積電，提高市場競爭力。
<strong>從2019年NAND Flash價格走勢來看，由於原廠在各產品線的合約價報價跌幅皆明顯高於預期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此，NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%，一舉提高至20%水平，第二季報價可能將續跌將近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水平，還要看原廠是否能再進一步降低自身產出水位。
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