三星在较早前宣布开发采用更高密度的DRAM芯片，打造32GB DDR4 双列 UDIMM内存，虽然产品不太可能在短期内上市，但最新已知的是 G.Skill 及 ZADAK 将会推出相关的内存产品，日前华硕也宣布将会打造新的DC DIMM内存标准，预计能为Intel第8代及即将推出的第9代酷睿处理器，将以往内存控制器容量限制提高。
据了解，华硕即将推出基于Intel Z390芯片组的主板上大力推广新的 DC DIMM 内存标准，DC DIMM 全名 Double Capacity DIMM，由华硕独家创建，允许使用较少内存插槽的主板来扩充更大的内存容量。
虽然DC DIMM暂时尚未取得 JEDEC认可成为行业准则，但到目前为止，G.Skill 及 Zadak 511 即将推出的内存将会第一批支持ASUS DC DIMM 标准。以 ZADAK SHIELD DC DDR4 为例，内存外形比以往的产品更高，看似是将两组16GB内存双排并列，组成容量双倍的32GB容量，内存频率为 3200MHz，时序 C14-14-14-34 @1.35V。
根据 VideoCardz 的消息指出，华硕率先加入这项内存技术的主板为ROG Maximus XI EXTREME及ROG Maximus XI GENE，华硕表示，DC DIMM 标准的实用性是突破CPU内存控制器的限制，即使只有两个内存插槽也可安装 64GB的内存，将以往单槽或者双槽的 mini-ITX 主板内存容量大幅提升。
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