日前，三星電子宣佈，已經開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊閃存，同時擁有超大容量和超高速度。
三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計，是目前行業紀錄，內部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元，每單元可保存3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。
這些單元以金字塔結構堆積，並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。
它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。
數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
三星還透露，正在開發1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND閃存顆粒。
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