比中興事件更值得關注的,是電動汽車

1、懸了兩年的靴子終於落地

2016年3月,美國商務部對中興通訊施行出口限制,禁止美國元器件供應商向中興通訊出口元器件、軟件、設備等技術產品,而後,三名中興高層成員因禁運事件擔責遭解僱,同時支付美國政府8.92億美元罰金。

2017年3月,中興通訊與美國政府就出口管制調查案件達成和解,中興通訊支付約8.9億美元的刑事和民事罰金,美國商務部工業與安全局對中興通訊的3億美元罰金被暫緩,是否支付將依據未來七年中興對協議的遵守情況而定。這是中國企業收到的來自美國政府的金額最高的一張罰單。

2018年4月16日,美國商務部網站公告,7年內禁止美國企業與中興通訊(0763.HK / 000063.SZ)開展任何業務往來。未來7年將禁止美國公司向中興通訊銷售零部件、商品、軟件和技術。公告稱,中興違反了2017年與美國政府達成的和解協議。當時,美國政府指控中興非法向伊朗和朝鮮出口。

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2、中興面臨滅頂危機

中興通訊在殷一民上任董事長後,迅速走出了美國罰款的陰影,2017 年實現營收1088 億元,同比增長7.5%,淨利潤45.7 億元,同比增294%。三大塊業務均取得增長,其中運營商業務營收同比增長8.32%,增速位居四大設備商之首,國內和海外市場均穩步提升。

但多年的積累,很有可能就敗在美國政府長達7 年的制裁禁令上。美國商務部這次對中興下禁令,對中興是巨大的打擊。

中興將會陷入無零件可買、也無替代技術可支援的絕境之中。

中興通訊設備中25%至30%的組件來自美國,高通、英特爾、微軟和杜比都是中興設備的主要提供商。更要命的是,中興通訊需要的高速AD/DA、調製器、高性能鎖相環、中頻VGA 等產品,根本沒有國產芯片廠商可提供替代品。

3、塞翁失馬焉知非福

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本次中興通訊的禁運事件,對於通信產業衝擊較大,也敲響了半導體產業的警鐘,自主可控不僅僅是口號,而是涉及到國家安全,國計民生的要務。

目前,中興通訊的三大應用領域裡,芯片門檻最高的板塊是RRU基站,這一領域要想實現國產替代,需要較長時間。光通信和手機產業鏈門檻相對較低,一些細分領域的國產芯片方案甚至於成為了國際龍頭,但整體來看,還是偏低端應用。

總體而言上游可替代性較弱。而在終端基帶芯片上,高通可被展訊取代。光模塊層面,光迅科技、中際旭創可以在封裝部分進行替代,同時國產也具有10G以下光芯片能力,但高速光芯片部分依然依賴進口。博通、英特爾的基站基帶FGPA、服務器芯片目前沒有替代品。

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最近中美貿易戰持續升級,中興此次事件的漏洞就正好成了美國政府針對中國企業、打擊中國芯片產業的切入口。

為什麼說電動汽車IGBT芯片比此次中興事件更危險?先了解一下基礎知識:

4、電動汽車IGBT基礎知識

4.1、IGBT定義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管

4.2、IGBT的用途

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上

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4.3、IGBT模塊的特點

IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點,當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊。

4.4、用最簡單的語言概括IGBT的功能和作用:控制能源的變換和傳輸

4.5、為什麼電動汽車需要IGBT?

IGBT的作用是交流電和直流電的轉換,同時IGBT還承擔電壓的高低轉換的功能:外界充電的時候是交流電,需要通過IGBT轉變成直流電然後給電池,同時要把220V電壓轉換成適當的電壓以上才能給電池組充電。

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電池放電的時候,把通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電,同時起到對交流電機的變頻控制,當然變壓是必不可少的。IGBT是功率半導體器件,可以說是電動車的的核心技術之一,IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。

4.6、IGBT的工作原理

以空調壓縮機為例:國內規定的電壓220V,頻率50Hz的電流經整流濾波後得到310V左右的直流電,此直流電經過逆變後,就可以得到用以控制壓縮機運轉的變頻電源,這就能將50赫茲的電網頻率轉變為30-130赫茲,利用電源頻率可以控制平滑控制壓縮機轉速,達到自動無級變速,使壓縮機始終處於最佳工作狀態。

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在電動車上,可以把電機看成壓縮機。兩者原理幾乎完全一致。

4.7、IGBT在現代交通系統中的重要性

  • 直流充電樁30%的原材料成本是IGBT

  • 電力機車一般需要 500 個 IGBT 模塊

  • 動車組需要超過 100 個 IGBT 模塊

  • 一節地鐵需要 50-80 個 IGBT 模塊

4.8、IGBT成本的重要性

IGBT約佔電機驅動系統成本的一半,而電機驅動系統佔整車成本的15-20%,也就是說IGBT佔整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。

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2016年全球電動車銷量大約200萬輛,共消耗了大約9億美元的IGBT管,平均每輛車大約450美元,是電動車裡除電池外最昂貴的部件。

4.9、豐田是世界上唯一能自產IGBT的車廠

也正因為IGBT太重要,豐田在開發混合動力車時就認定IGBT管要完全控制在手中,豐田也是全球唯一能夠自產IGBT的汽車廠家(注意:自產,不是買別人的晶圓再做封裝),普銳斯也因此獲得強大的生命力,也是目前全球唯一的強混合動力車。

4.10、中國高鐵IGBT市場已基本被日本三菱壟斷

三菱電機生產的IGBT已經成為業內默認的標準,中國的高速機車用IGBT由三菱完全壟斷,同時歐洲的阿爾斯通、西門子、龐巴迪也是一半以上採用三菱電機的IGBT

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4.11、英飛凌則包攬了幾乎所有電動汽車的IGBT

除了日系廠家,英飛凌包攬了幾乎所有電動車的IGBT,而三菱電機則沉醉於中國高鐵的豐厚利潤中無法自拔,在低於2500V市場幾乎一無所獲

4.12、特斯拉用IGBT的成本情況

特斯拉Model X使用132個IGBT管,由英飛凌提供,其中後電機為96個,前電機為36個,每個單管的價格大約4-5美元,合計大約650美元。

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如果改用模塊的話,估計需要12-16個模塊,成本大約1200-1600美元。特斯拉使用單管的原因主要是成本,尤其是其功率比一般的電動車要大不少,加上設計開發週期短,不得不採用單管設計。

4.13、中國製造IGBT的現狀

IGBT目前已經發展到7.5代,第7代由三菱電機在2012年推出,三菱電機目前的水平可以看作7.5代,同時IGBT的下一代SiC技術已經在日本全面普及,無論三菱這樣的大廠還是Fuji、Rohm這樣的小廠都有能力輕鬆製造出SiC元件,我國目前停留在第三代水平上,差距在20年以上。

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自第六代以後,IGBT自身的潛力已經挖掘的差不多了,大家都把精力轉移到IGBT的封裝上,也就是散熱。車用IGBT的散熱效率要求比工業級要高得多,同時還要考慮強振動條件,汽車級的IGBT遠在工業級之上。

散熱的關鍵是材料,而材料科學是一個國家基礎科學的體現,中國在這方面非常落後,日本則遙遙領先,不僅在德國之上,還在美國之上。

4.14、國產IGBT也在起步

2015年10月,深圳比亞迪微電子有限公司與上海先進半導體制造股份有限公司簽訂建立戰略產業聯盟合作協議,共同打造IGBT國產化產業鏈。

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目前比亞迪已整合IGBT產業鏈,包括芯片設計、晶圓製造、測試、封裝等。2015年12月,北汽集團旗下的北汽新能源公司與中國中車旗下的時代電氣在株洲簽署戰略合作協議,開啟新能源汽車領域的合作。

4.15、IGBT是怎樣製造出來的?

IGBT是晶圓經過切割、測試、封裝製造出來的

4.16、什麼是晶圓?

晶圓是指硅半導體集成電路製作所用的硅晶片,由於其形狀為圓形,故稱為晶圓,在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。

wafer 即為圖片所示的晶圓,由純硅(Si)構成,晶片就是基於這個wafer上生產出來的。Wafer上的一個小塊,就是一個晶片晶圓體,學名die,封裝後就成為一個顆粒。

4.17、晶圓是怎樣被製造出來的?

硅被通過化學的方法提純,純到幾乎沒有任何雜質。同時它還得被轉化成硅晶體,從本質上和海灘上的沙子劃清界限。

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在這個過程中,原材料硅將被熔化,並放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐裡放入一顆晶種,以便硅晶體圍著這顆晶種生長,直到形成一個幾近完美的單晶硅。

小心而緩慢的攪拌硅的熔漿,硅晶體包圍著晶種向同一個方向生長,最終,一塊硅錠產生了。 硅錠造出來了,並被整型成一個完美的圓柱體,接下來將被切割成片狀,稱為晶圓。晶圓才被真正用於CPU的製造。

建造一個生產300毫米直徑硅錠的製造廠大約需要35億美元。

4.18、我們平時聽到的6/12/18英寸晶圓是什麼?

目前業界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱,只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等於305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。

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4.19、什麼是光刻機?

光刻機是芯片製造的核心設備之一,按照用途可以分為好幾種:有用於生產芯片的光刻機;有用於封裝的光刻機;還有用於LED製造領域的投影光刻機。

用於生產芯片的光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板,國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

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4.20、光刻機的工作原理

光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過畫著線路圖的掩模,經物鏡補償各種光學誤差,將線路圖成比例縮小後映射到硅片上,然後使用化學方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖。

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的芯片可以繼續塗膠、曝光。越複雜的芯片,線路圖的層數越多,也需要更精密的曝光控制過程。

4.21、世界上生產光刻機的供應商

目前光刻機領域的龍頭老大是荷蘭ASML,並已經佔據了高達80%的市場份額,壟斷了高端光刻機市場。日本尼康在高端光刻機上完全被ASML擊敗,即便尼康的ArF光刻機售價僅僅不到ASML的一半也無補於事。

Intel、臺積電、三星用來加工14/16nm芯片的光刻機都是買自ASML,格羅方德、聯電以及中芯國際等晶圓廠的光刻機主要也是來自ASML。

更關鍵的是,最先進的EUV光刻機全球僅僅ASML能夠生產(全球僅此一家),ASML在去年第三季度和第四季度出售的兩臺EUV光刻機售價都超過1億美元,落後EUV一代的ArF光刻機平均售價也在4000萬至5000萬歐元左右。

4.22、晶圓的測試和封裝

晶圓生產好了就需要進行測試,就是晶圓級測試,是有良品率的,太低的話,工藝可能就有問題,然後下面就是送去封裝。將晶圓切片後封裝,變成器件,然後就是最後的性能測試,有良品率。在封裝的各個步驟裡都是會有損耗的。IGBT是晶圓經過切割、測試、封裝製造出來的

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5、中興事件給電動汽車行業敲醒了哪些警鐘?

電動汽車時代中國真的能彎道超車嗎?非也,中國在電控領域和美日的差距,比內燃機時代的差距大得多。

人家出了一款先進的發動機,我們可以反向測繪出來,說白了就是山寨,即使不能100%,性能達到個80%沒問題;可是到了IGBT,能山寨嗎?怎麼山寨?你聽說過誰山寨過英特爾的CPU嗎?

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內燃機時代說白了主要就是機械,可是到了電控,對外行來說就是黑匣子;就像深圳華強北的組裝手機,沒有什麼技術含量,可是你扔到原始社會,他們能模仿出來嗎?電子時代的鴻溝和壁壘,不是機械時代能比的。

所謂彎道超車,很可能是個偽命題。

為啥這麼說,汽車底盤懸架部分沒有什麼高科技吧?照著也能模仿個差不多,可是底盤調校國內有幾個自主企業能做、能做好?英國有什麼汽車工業?都被中國買的差不多了,可是你能說掌握了英國人的底盤調校水平?機械時代幹不過人家,升級到電子時代就能超車了?這是什麼邏輯?

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能被稱作國之命脈的,恰恰是曾一度被忽視的製造業

不知道有沒有人去了解法國軍用航空發動機發展歷史,剛開始造出來的發動機也是不行,甚至都沒比當時的中國強到哪裡去,可是法國人不屈不撓不拋棄不放棄,幾十年改進下來(法國人一根筋,堅持用舊的架構不停改進,一條道跑到黑,並沒有被所謂的新技術所誘惑而變更技術路線),終於熬出頭,才有了今天聞名天下的陣風戰鬥機,順帶搞出來一個CATIA全世界都在用。

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德國的房價幾十年不動,聰明的年輕人和社會資本儘量投射到製造業上,才有今天的工業強國德國。反觀我們,有多少企業多少人能安貧樂道幾十年如一日枯燥的搞技術?誠然,中國GDP世界第二了,老外開始學中文了,繁花似錦了,烈火烹油了,民族自豪感不是錯,可是我們周圍天天折騰模式創新,共享自行車燒進去幾百個億,巨頭們天天圍繞外賣送餐拼團打車等破事兒拉幫結派鬥得你死我活,那些富豪排行榜上的頭面人物有幾個投資尖端科技行業、資助大學和科研機構?外賣送餐拼團打車是國家戰略還是核心競爭力?我們都希望偉大祖國越來越好,到底怎樣去做,是時候該深刻反思了。

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人無遠慮必有近憂,美國製裁一箇中興就已經風聲鶴唳,要是IGBT對中國禁運會有什麼後果?中興用的芯片是工業級,距離我們的生活很遠,並且中興在國內的份額也不過30%,還有別的公司能補位;但是裝配IGBT的汽車卻是居民日用消費品,一旦對中國禁運,中國的電動汽車企業怎麼辦?中國電動汽車彎道超車就會成為一個笑話。

那些喊著電動汽車彎道超車的車企老闆們,你們可知道豐田是全球唯一一個能自產IGBT的企業?

中興事件不會是結束,可能只是個開始;隨著中國產業升級,不斷觸碰歐美等洋大人的奶酪的時候,在可預見的未來,衝突只會越來越頻繁、越來越劇烈,這也是中華復興必須經歷的陣痛,歷史上從來沒有一個能夠和平崛起的大國;他山之石可以攻玉,亡羊補牢為時未晚,如果IGBT成為第二個被制裁的,中國的電動汽車企業們,你們想好如何應對了嗎?

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