近年来,我国政府为了实现可持续发展的战略方针,一直通过政策扶持,大力推进新能源产业发展,鼓励新能源核心技术创新突破。
IGBT芯片
【IGBT定义】
面对如此尴尬的局面,大家难免发问,IGBT究竟是个什么鬼,竟然难倒了我泱泱大国的各路英雄汉。
IGBT芯片
这么重要的小玩意儿,想我大中华人才济济,就真的突破不了这个技术瓶颈了么?当然不。此时此刻,小编就要骄傲的跟大家介绍一下我们的“民族英雄”比亚迪,这个为国争光且极具创新能力的存在了。早在2005年,比亚迪就组建了IGBT研发团队,正式布局IGBT产业。
就这样,经过几代技术升级,比亚迪全新一代车规级IGBT4.0已经成为业界标杆性产品,成就比亚迪新能源产品的超凡特性。经过小编的一番了解,IGBT4.0在诸多关键技术指标上都是十分领先的,接下来小编就为大家一一说明。
【损耗小,电控效率高】
首先比亚迪IGBT4.0芯片的晶圆厚度薄,所以损耗小,电控效率高。要知道,IGBT损耗是整个电控的最主要能耗,在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上,IGBT4.0的晶圆厚度已经减薄到120um,大约也就是两根头发丝直径加起来的厚度。同等工况下,综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%。这意味着电流通过IGBT器件时,受到的阻碍降低,使得整车电耗显著降低。这样低的损耗显然已经达到了国际领先的水平,代表了电控效率提升到了新的高度,可以有效的提升电动续航节约电能。以比亚迪全新一代唐为例,在其他条件不变的情况下,仅此一项技术,就可将百公里电耗降低约3%。
【电流输出能力强,车辆加速能力强】
其次,IGBT4.0电流输出能力较当前市场主流的IGBT高15%(电机功率及扭矩提升15%),支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。
【温度循环能力强,节温提升,性能稳定可靠】
再者,由于比亚迪 IGBT4.0搭载的V315封装模所用的封装材料——AlSiC(铝碳化硅
【半导体材料】
虽然IGBT4.0已经使比亚迪在新能源领域获得了领先地位,但以其前瞻性的战略眼光,追求卓越当然不会就此止步。随着新能源产业的不断发展,电动车性能的不断提升,对功率半导体组件的要求也会不断提高。由于现在IGBT已经发展到逼近Si(硅)材料的性能极限,学界和业界也逐步认识到,寻求芯片损耗更低、电流输出能力更强、更耐高温的全新半导体材料已经势在必行。
第三代半导体材料SiC
比亚迪正是抢先意识到了这一点,所以顺势而为,率先投入巨资,布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC(碳化硅)。与此同时,也将整合材料(高纯碳化硅粉)、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链,进一步降低SiC器件的制造成本,加快其在电动车领域的应用。如今比亚迪已成功研发SiC MOSFET(汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等)。预计到2023年,比亚迪将采用SiC基半导体全面替代硅基半导体(如硅基IGBT),将整车性能在现有基础上再提升10%。
正是在这样优秀技术的加持下,比亚迪新能源汽车销量一直领跑市场,高性能产品更是层出不穷。比亚迪全新一代唐更是跑出了百公里加速4.3秒的好成绩,最大功率441kw,峰值扭矩高达950Nm,可达到怪兽级动力性,可以和赛车比肩。除了霸气的动力性能,全新一代唐的纯电动款续航里程可达520km,续航里程相较同级别产品遥遥领先,一经上市便供不应求。正是由于比亚迪IGBT在其自家产品上的批量应用后的出色表现,现如今比亚迪IGBT芯片产量迅猛攀升,比亚迪IGBT芯片晶圆的产能已经达到5万片/月,预计明年可达到10万片/月,一年可供应120万辆新能源车,随着IGBT芯片的性能升级,想必比亚迪旗下的新能源产品的性能也会更加出色。
正是有了比亚迪这样具有创新能力的自主良心企业,我国才能研发出具有自主知识产权的IGBT产品,打破欧美和日本巨头对IGBT的技术垄断。随着IGBT的量产以及大批量供应,中国已逐步实现和欧洲、日本三分天下。而正是有了IGBT4.0这样的“中国芯做后盾”,我国的新能源产业才能高枕无忧,加速逆袭。未来,相信比亚迪将以逐步强大的“中国芯”带领新能源技术推陈出新,促进我国新能源产业健康、快速、可持续发展,助力中国梦。