就在大家都觉得摩尔定律难以为继的时候，三星忽然祭出一个神设计，将于2021年推出一项突破性的处理器技术，对最基本的电子元件进行根本性改造，使芯片性能提高35%，同时使能耗降低50%。
这明显是要颠覆半导体产业的节奏啊。近年来，芯片行业一直难以克服极端小型化带来的工程挑战。这项名为“环绕栅极”(gate all around，GAA)的技术能够对芯片核心晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。这是一个FinFET技术的有力的候选人之一。
这个GAA的示意图表示
为了更深入的了解一下该技术，我特意登了一下不常去的谷歌。
FinFET到达22纳米以下尺寸以后，随着fin 越来越窄（fin指的是蓝图中中间部分。），加工的误差相对增大，面临着量子隧穿效应和窄沟道效应。下面两图就是gate门的演化历史，目前分成了两条演化路径：横向 GAA和垂直GAA。
fin 越变越窄
切面示意图
两条演进途径 横向和垂直的GAA
而三星很明显的是才用的Lateral GAA架构，在工艺上能实现是一个很大的进步。看来，摩尔定律的大旗旗手要转移到东方了。
国际商业战略咨询公司(International Business Strategies)首席执行官汉德尔·琼斯(Handel Jones)表示，三星强大的材料研究项目正在取得成效。
他表示:“三星在GAA方面领先台积电大约一年时间。”“而英特尔可能落后三星两到三年。”
到2021年，如果三星能按时推出新的工艺的产品，DDR ram或者是CPU，那么就会在市场上极大地提升占有率。这对台湾的台积电和国内的紫光都形成了巨大压力。
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