芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

同道而行,實現超越前者,極其艱難。因為前者會用領先的優勢,設置各種障礙,阻礙後者超速超越。而實現“變革”——變道,走前者不一樣的道,反而易實現超越,因為新道上,無人為阻礙,只要車有多快,就多大速度,實現超差異道的前者。


芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

自從1958年,傑克·基爾比,將五個晶體管件集成在一起,從而誕生了人類歷史上第一塊集成電路。相對傳統的晶體管,這次創新變革,實現了微小型化、高集成化、低功耗、智能化、高可靠性、低成本等優點,開創了電子技術歷史的新紀元。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

但是以鍺為材料的器件耐熱性差,工作不穩定,且稀有,難以大批量生產。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

1959年,作為一個富有遠見的領導者,英特爾創始人的羅伯特·諾伊斯,實現“變道”,走了不同於前者的“車道”,把多種元件放在單晶硅片上,用平面工藝將它們連接起來,可以大幅降低電路的尺寸,功耗以及成本。”從而實現了超越前者的變革。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

羅伯特領導的“集成電路”變革,很快便擴散全球,半導體初創公司湧現,更多功能更強、結構更復雜的集成電路被髮明,半導體產業由“發明時代”進入了“商用時代”。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

半導體電路集成,從沒有停止前進的步伐,晶體管尺寸越來越小。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

以硅為原材料的芯片,其集成化程度越來越高,在製程工藝方面也逐漸逼近極限。14nm、10nm、7nm、5nm,在製程工藝7nm的硅基芯片,就開始了量子隧穿效應。在硅基製程工藝上,理論極限值為1nm。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

驀然回首,硅基芯片在芯片的“皇位”上,已達60年,其亦出現了老態聾鍾,老眼昏花。在製程工藝方面,逐漸暴露出硅在速度、延遲性、光檢測的一些缺陷。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

由於晶體硅可以看成正立方體。8個頂點就是8個硅原子的球心。故一個晶胞單位,容量就為一個硅原子大,也就是5nm的長度單位 只能放下10個不到的晶胞即硅原子。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

在上圖的晶胞結構中,每個球,即為一個硅原子。如果是1nm,硅基的晶體,只能放入一個硅晶胞,量子隧穿效應,就會非常顯著,就造成電子無法按照規定的線路走,出現電子失控,這樣就會影響芯片的高性能。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

在硅這條道路上,註定了只剩歸途。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

芯片製程工藝,沒有最小,只有更小。按照摩爾定律,硅基芯片該退出“皇位”了,畢竟,科技的寶座,沒有永遠的皇帝,只有不斷湧出的變革的“後浪”,在代表著未來的變化。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

誰能成為坐上“皇位?大道無常!

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

於是乎,各個國家的科學家都尋覓能代替“硅”的新皇帝,以期盼有的變革變化。於是許多科學家提了許多方案,例如,石墨烯、碳納米管、碳化硅、氮化鎵等。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

至於有有些科學家提出在保留硅材料的前提下,也就是從架構的角度將硅材料以全新的方式進行配置,比如3D模式。這些只能苟延“硅基芯片的王朝”,但是不能起到根本性的變化。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

想要有突破性的進展,改進是遠遠不夠的,唯有變革創新。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

我國押注在碳基芯片,提出了利用碳納米管來取代硅的方案,因為,與硅原子相比,碳原子更小,且科學界普遍認為碳納米管自身的材料性能遠優於硅材料,碳管晶體管的理論極限運行速度可比硅晶體管快5~10倍,而功耗卻降低到其1/10。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

也就是說,使用碳納米管材料,14nm製程工藝的碳基芯片,可以達到5nm製程工藝的硅基芯片;5nm製程工藝的碳基芯片,可以達到1nm製程工藝的硅基芯片。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

可見,但從性能上講,碳基芯片的製程工藝,相比硅基芯片,在對光刻機的性能要求上,會顯著的降低。對於我國芯片發展,無疑是天賜良機!

無疑,碳納米管是極佳的晶體管制備材料,這也是為什麼我國會研究碳納米管的原因。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

至於碳管晶體管的極難的提純問題,今年5月份,北京大學教授彭練矛和張志勇教授科課題組,採用多次聚合物分散和提純技術得到超高純度碳管溶液,並結合維度限制自排列法,在4英寸基底上製備出密度為120/μm、半導體純度高達99.99995%、直徑分佈在1.45±0.23 nm的碳管陣列,成功解決了長期困擾碳管集成電路的難題

,驗證了碳基芯片已經具備批量化製備的可能性。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

至於說,我國的碳基芯片方案能否終結硅時代,還要看後續的量產使用,但是最起碼,在爭奪芯片的“皇位”上,我國已經拿到了入場券。可以和其他國家一起同臺競技,不像以前一樣,連當觀眾的資格都沒有。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

故此有了, 9月20日,北京大學官網信息顯示:9月17日上午,華為技術有限公司CEO任正非帶隊訪問北京大學,其深意意味深長,令人遐思。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

更讓人振奮的消息還在後頭,9月16日當天,科研領域的國家隊——中科院代表人士“放話”,接下來將聚焦關鍵的核心技術,有效解決光刻機、高端芯片等方面等“卡脖子”問題。

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

可見,我國在碳基芯片這個新的“車道”上,已經開始佈局,可謂我國在高端芯片上,已經可以“聞得到”,至於“觸手可及”,預估最多不超5年!

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

至於說,更小採用量子位的量子芯片。當前已突破了經典集成電路基於二值邏輯的運算規則,有望突破傳統計算機的算力極限。但是量子計算機仍處於實驗室探索階段,而且對環境要求極為苛刻,需要在接近絕對零度(-273.15攝氏度)的環境下運行,距離真正的商用,還有很長的一段路要走!我國在這方面以潘建偉為首的科研團隊,早已經佈局!

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

故此說,碳基芯片,更有可能成為摩爾定律失效後芯片計算力的突破口!在美國封鎖華為和ARM即將被英偉達收購之後,國產半導體遇到了近年來最大的困境,而碳基芯片無疑我們帶來一縷曙光!

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

至於ASML的市場壟斷和美國的打壓,就會被打破,在芯片領域,不久,我們可大聲說:“讓芯片“卡脖子”,見鬼去吧!”

芯片出路在趨小,中國芯片“變道超車”發展,未來可期

中國高端芯片,加油,未來可期!


分享到:


相關文章: