首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

4月13日,由長江存儲科技有限責任公司CEO、上海大學1981屆校友楊士寧

執掌的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)宣佈研發成功,並且該閃存芯片已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

這是國產閃存首次進入第一梯隊,而且同時在容量、密度及性能上領先,意義重大。這也是中國首次在閃存規格上超過三星等內存大廠,標誌著我國閃存技術的又一次飛躍。

首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)

從 32 層技術切入,一直到 64 層芯片成功研發、量產,提出獨步全球的 Xtacking 技術,再到如今128層閃存芯片達到世界先進水平,這層層飛躍中執掌研發、組織團隊的關鍵人物,即是長江存儲CEO、上大1981屆校友楊士寧。

與其他各國的行業差距、從零開始的技術難關、新冠疫情的嚴峻挑戰……楊士寧和團隊不懈努力,攻堅克難,最終實現了在2020年研發出128層閃存的目標,向國際半導體領域貢獻了中國智慧。

科研攻關,迎難而上追卓越

首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

存儲芯片中最為重要的要屬DRAM(內存)和NAND flash(閃存)。2018年,中國進口了3120億美元的芯片,其中存儲芯片佔集成電路進口金額的39%,達到1230.6億美元。這1230.6億美元的存儲芯片中,高達97%的是DRAM和FLASH。此前,閃存技術已經發展了36年,但其核心技術一直為美日韓三國的三星、東芝、美光、海力士、英特爾五家企業所掌握。國際閃存市場的絕大部分份額都為這幾家企業所佔據。中國對內存閃存芯片的需求同樣也只能依賴進口渠道滿足。

三星、東芝等閃存大廠按照產品規劃,在2020年將量產128層堆棧閃存,紫光卻跳過了96層的研發,直接攻關128層閃存。2020年4月13日,長江存儲科技有限責任公司宣佈其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發成功,並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證,領先了三星等企業。

長江存儲X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

·從容量上來說,長江存儲的X2-6070 QLC閃存與東芝/西數同級,比其他家的要高出33%。

·從性能上來說,IO速度上X2-6070是1600Mbps,而三星的128層閃存速度是1200Mbps,西數、東芝的也是1200Mbps,其他家的IO速度沒有確切數據,估計也在1200Mbps左右。所以在IO性能上,長江存儲的X2-6070閃存也是第一,這點比其他廠商是要領先的。

·從技術指標上來說長江存儲的X2-6070閃存是國產閃存首次進入第一梯隊,而且同時在容量、密度及性能上領先,意義重大。

這也是中國首次在閃存規格上超過三星等內存大廠,成功躋身國際半導體領域的一流行列。

企業抗疫,齊心協力保研產

首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

楊士寧校友所在的長江存儲科技有限責任公司正坐落於全國抗擊疫情一線武漢市。從1 月 23 日封城到4 月 8 日正式解禁,楊士寧和他的團隊遭遇了長達76 日的封城考驗,世界半導體行業的目光聚焦於此。然而,僅在解禁5天后,長江存儲就宣佈了128層閃存芯片的成功研發,讓世界再一次驚歎於"中國智慧"和"中國速度"。

在封城期間,長江存儲如何維持"零感染、不停產" 的目標?如何達到全面復工的高效率?

首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

楊士寧表示,疫情當前,公司堅決把員工的生命安全和社區環境安全放在第一位;相信科學,明確規則,徹底執行。而在總體方針上則做到"戰略上藐視敵人,戰術上重視敵人"。

他進一步指出,在疫情萌芽之際,長江存儲就確定了"零感染、不停產"的總體目標,成立了"緊急狀態前線指揮部",制定了詳盡明確的"在崗員工防疫行為標準" (SOP)。其中包括返崗所需的隔離觀察,核酸監測,日常體溫檢測,口罩佩戴,用餐規範,辦公規範,洗手規範等,並嚴格落實。

楊士寧介紹,疫情期間,長江存儲在行政後勤保障、人文關懷、員工活動和培訓管理等方面也投入了巨大的精力與支持,以保障員工在疫情期間的膳食供應、解決員工可能碰到的心理問題和生活問題。培訓方面,公司針對中層員工推出一系列"雲培訓"課程,幫助員工在疫情期間開展知識和技能學習,實現自我提升。"整個培訓項目取得了良好的預期效果"。


首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

楊士寧和團隊無疑沒有辜負社會各界的支持和期待,128層內存芯片的成功問世,極大地縮短了中國與美日韓三國在半導體領域的差距,為構建屬於中國的半導體生態跨出了一大步。

挑戰依然存在——疫情全球蔓延,海外市場的需求受阻,而長存在生產進度及產能上與美日韓三國公司仍存在一定差距。但相信憑藉著這種不怕艱難、銳意進取的精神,楊士寧以及其他奮戰在研發、生產一線的人們一定能再次戰勝困境,迎來中國存儲芯片的春天!

楊士寧校友簡介:

首次!國產128層閃存芯片問世,超越閃存大廠,躋身國際半導體領域一流行列!

楊士寧,1981年畢業於上海大學(原上海科學技術大學)無線電系,美國倫斯勒理工學院物理學專業碩士、材料工程學專業博士。現任長江存儲科技有限責任公司首席執行官。曾擔任武漢新芯集成電路製造有限公司首席執行官,中芯國際集成電路製造有限公司首席運營官,新加坡特許半導體首席技術官,英特爾公司邏輯技術資深總監。2018年10月19日,楊士寧校友攜手1998屆校友施文廣同返母校,帶來關於儲存芯片產業的精彩報告,200餘名師生及數十名校友自發前來聆聽報告,現場座無虛席。


獲取更多精彩內容,歡迎關注"上海大學本科招生"頭條號!

(本文部分圖文素材來自問芯Voice、半導體行業觀察、新華網、集微網、騰訊看點、每日經濟新聞)


分享到:


相關文章: