大规模生产纳米工艺
在第26届技术研讨会上，TSMC公布了其7纳米N7工艺、5纳米N5工艺、N4工艺和3纳米N3工艺的详细介绍，同时还介绍了其最新的3DFrabric技术，而且隐含了3纳米工艺节点的信息。台积电在半导体行业处于领先地位，自从它转移到7纳米工艺节点，就让英特尔和三星已经落后了。此后，公司也向5纳米工艺发展，随着3纳米节点的发展也步入正轨，3纳米工艺的产量将在2022年达到大规模生产水平，而英特尔的7纳米工艺预计将在2022年底甚至2023年初问世。
逻辑密度增益
值得注意的是，台积电的5纳米N5“广泛”使用该公司其EUV技术，与7纳米N7相比带来了许多改进。根据官方说明，N5在与N7相同的功耗下，性能提升高达15%，在相同的性能水平下，功耗甚至降低了30%。N5并没有止步于此，因为N5在7纳米N7工艺上也实现了1.8倍的逻辑密度增益。
N5的发展状态
这意味着N5的缺陷密度学习曲线比N7快，这意味着5纳米工艺将会很快地获得更高的产量。这家芯片制造商还开发了用于高性能应用的N5P节点，并计划在2021年增加产量。3纳米芯片组将采用FinFET晶体管建造，这与三星及其GAA结构不同。台积电正在计划它其N3解决方案中使用“创新特性”，这将带来10-15%的显著性能提升和高达30%的功耗降低。逻辑面积将减少1.7倍，这意味着3纳米芯片的尺寸应该是5纳米芯片的0.58倍。目前，TSMC已经在使用5纳米技术(代号N5)制造芯片组。华为宣布将于9月3日在柏林IFA 2020期间举行新闻发布会。此次活动将发布最新旗舰芯片组麒麟9000以及华为Mate40系列旗舰智能手机。麒麟9000由TSMC采用5纳米节点技术制造。它可能成为世界上第一个5纳米芯片，先于高通和苹果的类似芯片组。
特别重要的客户
即将上市的华为麒麟9000可能是该公司最后一款旗舰智能手机SoC。因为麒麟9000或是全球首款5nm的芯片，但坏消息是发布了这一款5nm的麒麟9000系列芯片之后，华为海思在很长一段时间之内恐再无高端麒麟芯片了，因为找不到制造厂商了。美国又对华为的限制，TSMC无法接受华为的新订单。台积电将从9月15日起完全停止生产硅芯片。当时，TSMC预计苹果和iPhone 12系列将成为其主要客户。
